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最新专利技术
  • 一种基于表面封装技术的锂基突触晶体管器件及其制备方法
    一种基于表面封装技术的锂基突触晶体管器件及其制备方法_福建师范大学_202511620858.2
    本发明公开了一种基于表面封装技术的锂基突触晶体管器件及其制备方法。锂基突触晶体管器件包括衬底、源电极和漏电极、沟道层、电解质层、栅电极以及表面封装层；其中，沟道层、源电极和漏电极形成于衬底表面，源电极和漏电极平行设置且两端分别与沟道层欧姆接...
    2026-03-23
  • 半导体功率模块和用于制造半导体模块的方法
    半导体功率模块和用于制造半导体模块的方法_赛米控丹佛斯有限责任公司_202511220133.4
    半导体功率模块包括：一个或多个半导体，其放置在具有导电层的基板上；由模制材料制成的壳体，其至少封装基板和半导体；至少一个插座，其具有安装在基板上的插座基部并且被配置成用于通过限定直立方向的插座柄部中的中空空间将引脚连接器接收和保持在垂直于基...
    2026-03-23
  • 芯片电子部件及电子部件封装体
    芯片电子部件及电子部件封装体_TDK株式会社_202511151492.9
    本发明的芯片电子部件包括元件主体和外部电极。元件主体包括：配置为构成安装面的第一主面、与第一主面相对的第二主面、以及与第一主面和第二主面相邻的侧面。外部电极包括设置于第一主面的电极部。第二主面从外部电极露出，并且具有大于第一主面的表面粗糙度...
    2026-03-23
  • 封装及其制造方法
    封装及其制造方法_英飞凌科技股份有限公司_202511144139.8
    公开了一种封装(100)，其包括：载体(102)，具有第一主表面和相对的第二主表面，在所述第一主表面处形成至少一个第一焊盘(104)，在所述相对的第二主表面处，至少一个第二焊盘(106)至少部分地形成在所述载体(102)的电绝缘层结构(12...
    2026-03-23
  • 半导体芯片和包括半导体芯片的半导体封装件
    半导体芯片和包括半导体芯片的半导体封装件_三星电子株式会社_202510595510.6
    提供了半导体芯片和包括半导体芯片的半导体封装件。所述半导体芯片包括：半导体基底，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；布线层，布置在半导体基底的第一表面上；多个贯穿电极，从半导体基底的第一表面延伸到半导体基底的第二表面；多个芯片垫，布置在...
    2026-03-23
  • 感测封装结构
    感测封装结构_光宝科技新加坡私人有限公司_202510021814.1
    本发明公开一种传感封装结构，其包含基板、载座、传感层、盖体及封装体依次堆叠而成。所述载座具有一承载面及自所述承载面凹设的一第一凹槽。所述传感层设置于所述承载面且具有彼此间隔的多个热接点与彼此间隔的多个冷接点，并且多个所述热接点位于所述第一凹...
    2026-03-23
  • 半导体封装结构
    半导体封装结构_南茂科技股份有限公司_202411717820.2
    本发明提供一种半导体封装结构，包括基板、第一芯片、第二芯片以及封装胶体。基板的槽孔具有槽宽。第一芯片配置于基板的第一表面。第二芯片配置于基板的第二表面，且对应基板的槽孔设置。封装胶体配置于基板上，填满槽孔且包覆第一芯片与第二芯片。封装胶体包...
    2026-03-23
  • 芯片封装结构及其形成方法
    芯片封装结构及其形成方法_长江存储科技有限责任公司_202411205083.8
    本公开内容提供了一种芯片封装结构以及制造方法。所述芯片封装结构包括：沿垂直方向在封装衬底上堆叠的一个或多个管芯；以及围绕所述一个或多个管芯的封装主体。所述封装主体包括：与所述一个或多个管芯直接接触的复合层，其中，所述复合层包括具有参考强度和...
    2026-03-23
  • 一种半导体元器件封装设备
    一种半导体元器件封装设备_泰州市大洋数控设备有限公司_202610187408.7
    本发明涉及元器件封装设备技术领域，具体的说是一种半导体元器件封装设备，包括机架，所述机架上安装有塑封机构，所述机架上安装有上料机构，所述机架上安装有下料机构；通过塑封机构与上料机构的配合安装，利于对芯片批量塑封，并且通过上料机构的转动，实现...
    2026-03-23
  • HEMT晶体管封装方法及HEMT晶体管
    HEMT晶体管封装方法及HEMT晶体管_北京国联万众半导体科技有限公司_202610170778.X
    本发明涉及HEMT晶体管封装技术领域，尤其涉及一种HEMT晶体管封装方法及HEMT晶体管，本发明HEMT晶体管封装方法首先在HEMT晶体管的上表面构造覆盖有源区的牺牲层；然后在HEMT晶体管的上表面进行沉积，形成覆盖HEMT上方结构的结构层...
    2026-03-23
  • 一种防止功率器件封装分层的封装工艺
    一种防止功率器件封装分层的封装工艺_郑州兴航科技有限公司_202511931778.9
    本发明属于塑料电子封装技术领域，具体涉及一种防止功率器件封装分层的封装工艺。包括以下步骤：将芯片焊接在引线框架上；将焊接好芯片的引线框架进行等离子清洗；将硅烷偶联剂和稀释剂混合均匀，得到胶液；调试喷胶头高度、喷胶路径与喷胶速度，使硅烷偶联剂...
    2026-03-23
  • 一种用于芯片封装的高精度压框封装方法及其应用
    一种用于芯片封装的高精度压框封装方法及其应用_东莞康源电子有限公司_202511903270.8
    一种用于芯片封装的高精度压框封装方法及其应用，其包括如下步骤：步骤S1、提供DAM基材，步骤S2、在DAM基材的底面复合DAF胶膜形成DAM复合材料层；步骤S3、在DAM复合材料层上锣芯片容置孔，所述芯片容置孔自上向下同时贯穿DAF胶膜及D...
    2026-03-23
  • 一种芯片封装结构及制备方法
    一种芯片封装结构及制备方法_华进半导体封装先导技术研发中心有限公司_202511902350.1
    本申请公开了一种芯片封装结构及制备方法，涉及芯片封装技术领域，包括：提供基板，在基板的第一表面形成凸台；在凸台的顶面形成桥接线路，桥接线路与凸台构成桥接芯片；在桥接线路的表面上形成多个第一导电柱，在凸台四周刻蚀后的第一表面上形成多个第二导电...
    2026-03-23
  • 一种集成电路板封装装置
    一种集成电路板封装装置_明华熙宇(深圳)科技有限公司_202511849631.5
    本发明公开了一种集成电路板封装装置，包括机架及其上端的箱体，箱体上设有烘干结构、注胶结构，所述轴杆上设有旋转架，所述短轴上设有螺旋槽，所述短轴上设有套管且内壁设有位于螺旋槽内的凸起，所述套管上设有位于导向槽内的活动架，所述轴杆驱动旋转架旋转...
    2026-03-23
  • 一种芯片封装结构及其制备方法与测温方法
    一种芯片封装结构及其制备方法与测温方法_苏试宜特(深圳)检测技术有限公司_202511838827.4
    本发明提供一种芯片封装结构及其制备方法与测温方法，该制备方法包括步骤：提供一预封装结构，预封装结构包括至少一个芯片及包裹芯片的封装层，在芯片上表面选定设有目标测试位点的预设区域，形成显露出预设区域的开口，形成引出槽于封装层表层，形成绝缘层于...
    2026-03-23
  • 一种多次成型塑封的方法
    一种多次成型塑封的方法_杭州晶通科技有限公司_202511789582.0
    本发明公开了一种多次成型塑封的方法，将贴附好芯片die的载板进行一次成型，在载板上获得一次成型后的EMC晶圆塑封体；利用模具对一次成型后的EMC晶圆塑封体进行二次成型；根据工艺流程所需的塑封次数，利用模具重复成型步骤，获得最终的EMC晶圆塑...
    2026-03-23
  • 塑封成型中基板的矫正方法
    塑封成型中基板的矫正方法_苏州固锝电子股份有限公司_202511731486.0
    本申请涉及一种塑封成型中基板的矫正方法，包括如下步骤：将基板放置于下模板上，下模板内抽真空将基板吸附固定；上模板朝向下模板的方向运行，触发了行程开关组件，行程开关组件将开关信号传递给控制线路，计时开始；控制线路关闭真空继电器，打开压缩气电磁...
    2026-03-23
  • 一种器件灌胶界面防脱粘结构和工艺方法
    一种器件灌胶界面防脱粘结构和工艺方法_深圳振华富电子有限公司_202511706669.7
    本申请提供了一种器件灌胶界面防脱粘结构和工艺方法，当所述挡圈部的外侧端面与所述灌胶口的端面齐平时，位于所述挡圈部外侧端面的胶液边缘至所述灌胶口的外侧边缘具有间隔距离，且所述挡圈部的内侧边缘至所述胶液边缘的距离大于所述挡圈部的内侧边缘至所述灌...
    2026-03-23
  • 半导体器件和制作芯片级封装的方法
    半导体器件和制作芯片级封装的方法_星科金朋私人有限公司_202511047537.8
    半导体器件和制作芯片级封装的方法。半导体器件具有半导体晶片。在第一半导体管芯和第二半导体管芯之间通过半导体晶片的有源表面形成沟槽。在沟槽中沉积密封剂。使用粗研磨机对半导体晶片的与有源表面相对的背表面进行背面研磨以暴露密封剂。使用细研磨机对半...
    2026-03-23
  • 一种用于功率芯片封装的低应力互联结构及结构制造方法
    一种用于功率芯片封装的低应力互联结构及结构制造方法_正齐动力科技(杭州)有限公司_202511863099.2
    本发明涉及功率半导体封装技术领域，具体地涉及一种用于功率芯片封装的低应力互联结构及结构制造方法。包括：功率芯片，功率芯片具有至少一个大电流输出端面；无铅焊料层，无铅焊料层设置于功率芯片的大电流输出端面上；铜钼铜复合金属片，铜钼铜复合金属片通...
    2026-03-23
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