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显示面板及其制备方法、显示装置
本申请提供一种显示面板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,该显示面板的制备方法包括如下步骤:提供基板;其中,基板包括正面、背面和侧面,正面与背面相对设置,且正面通过侧面与背面相连;在正面形成阵列排布的多个发光元件;在发光元件背离基板的...
一种显示面板的切割方法
本发明实施例提供的一种显示面板的切割方法,包括:在基板的发光器件上形成封装层;封装层的边缘超出第一侧边设定距离;在第一侧边的侧壁上形成保护层;将切割刀具设置在基板的背离发光器件的一侧,对超出第一侧边的封装层进行切割处理,切割刀具的切割线与第...
侧面走线制备方法、面板制备方法及面板、显示设备
本申请一些实施例提供了一种侧面走线制备方法、面板制备方法及面板、显示设备。在制备侧面走线前,待加工面板的第一端子区为一完整的金属层,即第一金属层,这样保护膜就可以与面板表面及第一金属层完全贴合,在制备第二金属层时,不会有金属材料渗入保护膜所...
一种垂直LED结构、显示面板及制备方法
本发明涉及LED组装技术领域,公开了一种垂直LED结构、嵌合结构、制备方法及应用,包括呈凸状型的LED本体,从所述LED本体的其中一端面到相对的另一端面依次设置有N‑电极层、N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层和P‑电极层,且所述LED本体...
一种发光器件
本发明涉及半导体发光技术领域,公开了一种发光器件,其包括基板、发光芯片、第一荧光胶层和第二荧光胶层。发光芯片设于基板上。第一荧光胶层至少覆盖发光芯片的上表面。第一荧光胶层内设第一荧光颗粒。第二荧光胶层其至少覆盖第一荧光胶层的上表面,第二荧光...
倒装LED芯片及其制备方法
本发明涉及光电子制造技术领域,具体公开了一种倒装LED芯片及其制备方法。倒装LED芯片包括:衬底,层叠于衬底上的外延层、绝缘保护层、反射层、第一绝缘层、P型金属导电层、N型金属导电层、第二绝缘层、P型焊盘层和N型焊盘层;反射层设于P型半导体...
半导体器件及半导体器件的制造方法
本发明提供一种高性能的半导体器件及半导体器件的制造方法。半导体器件具备活性层和层叠于活性层之上的阻挡层,活性层包含砷或锑,阻挡层包含铝,将阻挡层层叠于活性层的方向设为深度方向,在从活性层到阻挡层的深度方向的原子浓度的分布中,氢浓度的上升位置...
一种红光Micro LED的外延片及其制备方法
本发明公开了一种红光micro发光二极管外延片及其制备方法,所述外延片是在N型AlInP限制层和多量子阱层之间,依次设置n侧电子缓冲层和n侧AlInP过渡层。所述n侧电子缓冲层为周期性的AlxIn1‑xAsyP1‑y/Al0.4In0.6P...
Micro-LED芯片及其制备方法
本发明涉及光电子制造技术领域,具体公开了一种Micro‑LED芯片及其制备方法。Micro‑LED芯片包括:外延层、电流扩展层、P型金属导电层、N型金属导电层、DBR反射层、P型焊盘层和N型焊盘层;外延层包括依次层叠的N型半导体层、发光层和...
一种多波段LED外延结构及其制备方法、白光LED光源
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种多波段LED外延结构及其制备方法、白光LED光源,包括衬底,在所述衬底上依次层叠的缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层和P型半导体层;所述多量子阱发光层包括由下至上依次周期性...
一种倒装LED及其制备方法
本发明公开了一种倒装LED及其制备方法,在衬底上生长外延层,根据切割道区域对外延层进行刻蚀并露出衬底;在蚀刻后的外延层上依次制备透明导电层、主反射镜层和PAD层;在已制备PAD层的LED芯片的表面沉积第一保护层,在第一保护层的表面对应切割道...
一种LED支架制备方法、制备装置及LED支架
本发明实施例涉及LED支架技术领域,公开了一种LED支架制备方法、制备装置及LED支架,该方法包括:对金属基材进行蚀刻处理以使金属引线框架上有用于电气连接的第一区域和用于结构支撑的第二区域;通过将可移除的第一材料覆盖于第一区域表面以形成保护...
一种LED芯片的制备方法及LED芯片
本申请公开了一种LED芯片的制备方法及LED芯片,涉及发光二极管技术领域,先形成堆叠结构,堆叠结构包括第一衬底和位于第一衬底一侧的外延叠层,外延叠层经过台面刻蚀后在背离第一衬底的一侧具有台面和凹槽;然后,在外延叠层背离第一衬底的一侧形成n层...
一种LED芯片的封装装置及封装方法
本发明公开了一种LED芯片的封装装置及封装方法,涉及封装装置领域,包括工作台、移动架、承载机构、点胶机构、驱动机构、消泡机构和切断机构,承载机构设置于工作台上,点胶机构设置于工作台上,用于对LED芯片进行点胶封装,驱动机构设置于移动架的内部...
一种绿光LED外延结构的生长方法
本发明适用于LED制备技术领域,提供了一种绿光LED外延结构的生长方法,采用MOCVD工艺,依次生长成核层、不掺杂U型高温GaN层、持续掺杂Si的N型高温GaN、多量子阱发光层、掺Al和Mg的P型AlGaN层、掺Mg的高温P型GaN层;复合...
一种LED用反光材料层、封装结构及其形成方法
本发明公开了一种LED用反光材料层、封装结构及其形成方法,在本发明的LED封装结构的形成方法中,通过对所述LED单元的上表面和侧表面进行第一次激光处理,以在所述第一无机钝化层的上表面、所述外延功能层的侧表面以及所述基底的侧表面形成多个第一凹...
硅基板、太阳能电池和硅基板的制作方法
本公开涉及半导体技术领域,提供了一种硅基板、太阳能电池和硅基板的制作方法。该硅基板包括基板本体,基板本体具有相对设置的上表面和下表面;基板本体上设置有贯穿上表面和下表面的多个锥形通孔,多个锥形通孔在基板本体上按阵列分布形成镂空图案;锥形通孔...
一种基于低导热率纳米晶嵌入的光伏-热电叠层激光电池及其制备方法
本发明提供了一种基于低导热率纳米晶嵌入的光伏‑热电叠层激光电池及其制备方法,该激光电池自上而下依次设置有导电基底、电子传输层、铯铅溴基光活性层、碳电极层、导热胶与热电模块;所述的铯铅溴基光活性层中含有改性低导热率纳米晶。本发明所述的基于低导...
一种双玻微通道PVT光伏光热组件结构
本发明公开了一种双玻微通道PVT光伏光热组件结构,包括垂直设置的换热层,所述换热层的左右两侧均设置有导热界面层,两侧所述导热界面层的相离面均设置有光伏发电层,所述光伏光热组件结构通过垂直安装,能有效利用早晚的太阳斜射光。本发明,通过垂直安装...
一种用于低温超大靶面探测器的封装结构及探测器
本发明公开了一种用于低温超大靶面探测器的封装结构及探测器,解决了现有技术中探测器尺寸增大导致封装结构热变形量增大,其与封装结构之间的辐射漏热也越多,导致制冷效果差,以及封装结构越厚,内部零件之间安装接触面越大,热阻越小、寄生漏热越大的技术问...
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