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最新专利技术
  • 发光装置及电子设备
    发光装置及电子设备_精工爱普生株式会社_202511193789.1
    本发明提供能够降低电气布线的断线及高电阻化的可能性的发光装置。发光装置包括：基板；第一层叠体，具有第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二半导体层、及第一发光层；第一绝缘层，设置于第一层叠体的侧面；第一金属层，设置于第一绝缘层并位于第一层...
    2026-03-15
  • 显示面板、LED芯片键合方法及显示装置
    显示面板、LED芯片键合方法及显示装置_成都辰显光电有限公司_202411174614.1
    本申请涉及一种显示面板、LED芯片键合方法及显示装置。显示面板包括：基底，基底上具有多个键合电极组，键合电极组包括第一键合电极和第二键合电极，第一键合电极和第二键合电极之间具有定位间隔；多个LED芯片，一个LED芯片与一个键合电极组对应，L...
    2026-03-15
  • 用于微型LED芯片转移的承接载板的制备方法和转移方法
    用于微型LED芯片转移的承接载板的制备方法和转移方法_苏州芯聚半导体有限公司_202511792381.6
    本发明涉及微电子制造技术领域，公开了用于微型LED芯片转移的承接载板的制备方法和转移方法，制备方法包括：对承接载板基材进行清洗和氧气等离子体活化；采用辊轮刮刀涂布工艺制备五层结构复合膜材，所述复合膜材包括PET基材层及分别涂布于其两侧的第一...
    2026-03-15
  • 一种解决一体式RGB LED余辉的方法及其器件
    一种解决一体式RGB LED余辉的方法及其器件_横店集团得邦照明股份有限公司_202511770888.1
    本发明公开了一种解决一体式RGB LED余辉的方法，包括以下步骤：在红光LED芯片的任一电极上串联一个补偿电阻R1；补偿电阻R1通过金属键合线或焊接与红光LED芯片的电极电连接；补偿电阻R1使红光LED芯片所在支路的总正向压降提升至与蓝光L...
    2026-03-15
  • 一种低蓝光LED面板灯的制备方法
    一种低蓝光LED面板灯的制备方法_百家丽(中国)照明电器有限公司_202511751584.0
    本发明公开了一种低蓝光 LED 面板灯的制备方法，属于 LED 照明技术领域。该方法通过蓝光芯片筛选、复合荧光粉体系优化、多层光学结构设计及散热协同调控，实现蓝光波段(430‑460nm)辐射功率占比≤5%，同时保证显色指数 Ra≥85、光...
    2026-03-15
  • 一种Mini LED白光发光件的加工方法
    一种Mini LED白光发光件的加工方法_长春富维集团汽车零部件股份有限公司_202511751049.5
    本发明提供一种Mini LED白光发光件的加工方法，首先测量所有Mini LED晶元的波长分布和PCB的排布图；然后基于此数据，设计出与之匹配的、非均匀的荧光粉胶层分区方案；最后，根据每个荧光粉分区的最终光学性能，标定各电子驱动分区的最佳驱...
    2026-03-15
  • 量子点封装体及其制作方法、发光器件、显示装置
    量子点封装体及其制作方法、发光器件、显示装置_深圳TCL新技术有限公司_202511934971.8
    本申请实施例提供一种量子点封装体及其制作方法、发光器件、显示装置。量子点封装体包括上盖板、下盖板、壳体以及量子点材料，上盖板和下盖板相对设置，壳体设于上盖板和下盖板之间，壳体具有贯穿其两端的内腔，壳体的两端分别与上盖板和下盖板连接，量子点材...
    2026-03-15
  • 一种耐高温型LED电极保护剂及其制备方法
    一种耐高温型LED电极保护剂及其制备方法_福建省佑达环保材料有限公司_202511748429.3
    本发明公开了一种用于LED芯片封装领域的耐高温型LED电极保护剂及其制备方法，包括如下按质量百分数之和为100%计的组分：pH调节剂0.1‑5%，醇类溶剂20‑30%，含噻二唑的咪唑啉型双子季铵盐表面活性剂0.1‑5%，含巯基含氮杂环化合物...
    2026-03-15
  • 一种微发光二极管及其显示装置
    一种微发光二极管及其显示装置_厦门三安光电有限公司_202511534441.4
    本发明公开了一种微发光二极管及其显示装置，具有半导体层序列，半导体层序列包括背侧和正侧，从正侧开始依次包括第一类型半导体层、第二类型半导体层，有源层位于两者之间，半导体层序列的背侧具有暴露部分，暴露部分贯穿第二类型半导体层、有源层，露出第一...
    2026-03-15
  • 发光二极管及发光装置
    发光二极管及发光装置_厦门三安光电有限公司_202511620546.1
    本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其沿自下向上的方向依次包括：第一半导体层、超晶格层、发光层以及第二半导体层；发光二极管具有V型坑，V型坑由超晶格层向发光层延伸；V型坑具有倾斜侧壁，定义倾斜侧壁的上下两端分别为第一端点和...
    2026-03-15
  • 发光二极管及发光装置
    发光二极管及发光装置_厦门三安光电有限公司_202511620529.8
    本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其沿自下向上的方向依次包括：第一半导体层、超晶格层、发光层以及第二半导体层；发光二极管具有V型坑，V型坑由超晶格层向发光层延伸；V型坑具有倾斜侧壁，定义倾斜侧壁的上下两端分别为第一端点和...
    2026-03-15
  • 一种LED芯片及其制作方法
    一种LED芯片及其制作方法_江西乾照半导体科技有限公司_202511694596.4
    本发明提供一种LED芯片及其制作方法，通过设置LED芯片的堆叠结构至少包括依次堆叠的第二型半导体层、有源区以及第一型半导体层，第一型半导体层背离有源区的一侧为LED芯片的出光面，并在第一型半导体层中设有第一型电流扩展层，其中，第一型电流扩展...
    2026-03-15
  • 发光二极管芯片以及制作方法
    发光二极管芯片以及制作方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511644536.1
    本公开提供了一种发光二极管芯片以及制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括n型半导体层、p型半导体层以及位于所述n型半导体层和所述p型半导体层之间的发光层；所述n型半导体层包括n型电流扩展层，所述n型电流扩展层为n型AlGaIn...
    2026-03-15
  • 提高AlGaN基紫外发光二极管p型层的电导率的方法及应用
    提高AlGaN基紫外发光二极管p型层的电导率的方法及应用_北京大学_202511773138.X
    本发明公开了一种提高AlGaN基紫外发光二极管p型层的电导率的方法及应用，属于半导体器件领域。本发明将具有p型AlGaN层的外延片置于电场，并通过高能紫外光照射，将p型AlGaN层中的H‑Mg键断裂，使H原子变成带正电的游离的H原子，并受电...
    2026-03-15
  • 一种太阳能电池和光伏组件
    一种太阳能电池和光伏组件_西安隆基乐叶光伏科技有限公司_202511554528.8
    本发明公开了一种太阳能电池和光伏组件，涉及光伏技术领域，以解决如何提高太阳能电池的电池效率的问题。所述太阳能电池包括：半导体基底包括相对的第一面和第二面；第一面的至少部分区域包括塔基纹理结构和第一纹理结构，塔基纹理结构向靠近半导体基底内部的...
    2026-03-15
  • 一种背接触太阳能电池及电池组件
    一种背接触太阳能电池及电池组件_横店集团东磁股份有限公司_202511523543.6
    本公开涉及太阳能电池技术领域，公开了一种背接触太阳能电池及电池组件。电池包括基底层、第一极性结构和第二极性结构以及隔离凹槽，基底层包括相对设置的受光面和背光面以及侧面，受光面的至少部分表面形成第一绒面，侧面上形成第三绒面；第一极性结构和第二...
    2026-03-15
  • 一种光伏电池以及光伏组件
    一种光伏电池以及光伏组件_隆基乐叶光伏科技有限公司_202511492596.6
    本申请实施例提供了一种光伏电池以及光伏组件。所述光伏电池包括：硅基底，硅基底包括沿第一方向相对设置的第一面和第二面，所述第二面上具有沿第二方向间隔设置的掺杂区域，和相邻的所述掺杂区域之间设置的隔离槽，所述掺杂区域以及所述隔离槽皆沿第三方向延...
    2026-03-15
  • 光电探测器及电子设备
    光电探测器及电子设备_甬江实验室_202511518749.X
    本申请公开了一种光电探测器及电子设备，属于集成光学技术领域。所述光电探测器包括：模斑转换部件和光电探测部件；其中，所述模斑转换部件包括包层部件和核心层部件，所述包层部件包裹所述核心层部件，所述包层部件的输入端的截面面积大于所述包层部件的输出...
    2026-03-15
  • 背接触太阳能电池及光伏组件
    背接触太阳能电池及光伏组件_晶科能源股份有限公司_202610074293.0
    本申请涉及一种背接触太阳能电池及光伏组件，包括硅基底、第一钝化层、防护层、第一电极和第二电极，硅基底具有相对的第一表面和第二表面，硅基底的第二表面一侧设置有间隔排布的P型导电区和N型导电区，第一钝化层设置于硅基底的第一表面，防护层设置于第一...
    2026-03-15
  • 一种背接触电池结构及其制备方法
    一种背接触电池结构及其制备方法_宜宾英发德睿科技有限公司_202511847477.8
    本发明公开了一种背接触电池结构及其制备方法，涉及电池加工技术领域，包括硅基底、第一半导体区域和第二半导体区域，所述第一半导体区域和第二半导体区域均包括第一隧穿氧化层、第一掺杂非晶硅层、第二隧穿氧化层、第二掺杂非晶硅层、钝化层、种子层和纯银层...
    2026-03-15
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