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最新专利技术
  • 增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法
    增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法_深圳镓楠半导体科技有限公司_202511840153.1
    本申请提供了一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管，包括衬底；第一外延结构，所述第一外延结构形成在所述衬底上，所述第一外延结构包括沟道层和形成在所述沟道层上的势垒层；钝化层，所述钝化层形成在所述第一外延结构上；栅极，所述栅极包括：凹槽，所述凹槽...
    2026-03-16
  • 氮化镓HEMT器件的外延结构、氮化镓HEMT器件及其制备方法
    氮化镓HEMT器件的外延结构、氮化镓HEMT器件及其制备方法_深圳镓楠半导体科技有限公司_202511832577.3
    本申请提供了一种氮化镓HEMT器件的外延结构，从下至上依次包括缓冲层；原位氮化物层；第一高碳浓度层，所述第一高碳浓度层的碳浓度大于1018cm‑3；低碳浓度沟道层，所述低碳浓度沟道层的碳浓度小于1018cm‑3；势垒层。本申请实施例中原位氮...
    2026-03-16
  • 高质量的增强型GaN HEMT外延晶片
    高质量的增强型GaN HEMT外延晶片_威弗洛得有限公司_202511209176.2
    本发明的实施方式提供了一种高质量的增强型GaN HEMT外延晶片，其包括：GaN沟道区，其中形成2DEG(二维电子气)；形成在GaN沟道区上的AlGaN势垒区；以及形成在AlGaN势垒区上的p型半导体区，其中p型半导体区在与AlGaN势垒区...
    2026-03-16
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_苏州晶湛半导体有限公司_202411155091.6
    本申请实施例提供了一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括：衬底，以及在所述衬底一侧的沟道结构，所述沟道结构包括依次设于所述衬底一侧的第一沟道层和第一势垒层；其中，所述沟道结构包括栅极区域以及位于所述栅极区域两侧的源极区域和漏极区域，所...
    2026-03-16
  • 半导体装置及其形成方法
    半导体装置及其形成方法_世界先进积体电路股份有限公司_202411130870.0
    本发明公开了一种半导体装置及其形成方法，包括一衬底、位于前述衬底上的一晶种层、位于前述晶种层上的一外延叠层以及位于前述外延叠层上的一栅极结构。半导体装置还包括一源极结构和一漏极结构，分别位于前述栅极结构的相对两侧。半导体装置还包括一隔离区域...
    2026-03-16
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_安徽大学_202610142832.X
    本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构；于所述衬底和所述栅极结构上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层覆盖所述栅极结构的侧壁；向所述栅极结构两侧侧壁的硬掩膜层分别以倾斜角度注入大质量离子；去除部分所述硬掩膜层，...
    2026-03-16
  • 形成半导体器件的方法
    形成半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511655522.X
    形成半导体器件的方法包括：在衬底上方形成导电部件；在导电部件和衬底上方形成介电层；在介电层上方形成多晶材料的层，其中，多晶材料的第一小平面和多晶材料的第二小平面具有不同的晶格密度；选择性吸附多晶材料的第一小平面上的材料的分子；以及在选择性吸...
    2026-03-16
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511655520.0
    本公开的实施例涉及半导体结构及其形成方法，方法包括在衬底上形成堆叠件，图案化堆叠件和衬底，以形成第一有源区域和第二有源区域，在第一有源区域和第二有源区域之间形成隔离结构，在隔离结构上沉积隔离结构保护层，横跨第一和第二有源区域形成伪栅极堆叠件...
    2026-03-16
  • 一种抗辐照氮化镓晶体管及制造方法
    一种抗辐照氮化镓晶体管及制造方法_江南大学_202511522911.5
    本发明公开了一种抗辐照氮化镓晶体管及制造方法，包括自上而下依次设置的衬底、氮化铝成核层、掺杂氮化镓缓冲层、本征氮化镓沟道层、本征AlGaN势垒层及P‑GaN栅极控制层，本征氮化镓沟道层与本征AlGaN势垒层形成异质结且界面存在二维电子气，P...
    2026-03-16
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411180794.4
    本发明提供一种半导体器件的制造方法，在外延生长嵌入式锗硅源漏的掺硼的硅层之前的任意合适工艺节点，在栅极侧墙的外侧壁上形成扩散阻挡侧墙，从而在外延生长掺硼的硅层的过程中和/或在掺硼的硅层形成后的后续工艺中, 利用扩散阻挡侧墙来增大该掺硼的硅层...
    2026-03-16
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411179032.2
    一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成凸起结构，凸起结构包括第一沟道凸起部、第一牺牲层和第二沟道凸起部，第一沟道凸起部包括沿纵向依次堆叠的第一沟道层和第二牺牲层，第二沟道凸起部包括沿纵向依次堆叠的第二沟道层和第二牺...
    2026-03-16
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411155857.0
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，该制备方法包括：去除伪栅，以在间隔设置的侧墙之间形成沟槽，所述沟槽露出鳍和所述鳍两侧的浅槽隔离；在所述沟槽中形成高K/功函数层，其中，所述高K/功函数层有多层，在形成每层所述高K/功函数层之前，均在所...
    2026-03-16
  • 均流功率半导体器件及其制备方法
    均流功率半导体器件及其制备方法_江苏中科君芯科技有限公司_202511750589.1
    本发明涉及一种均流功率半导体器件及其制备方法。其包括：半导体基板；有源区，包括若干并联成一体的沟槽型元胞，其中，沟槽型元胞包括设置于半导体基板内的元胞沟槽以及设置于所述元胞沟槽内的沟槽栅；所述沟槽栅包括分布于所在元胞沟槽内的栅主体以及低阻接...
    2026-03-16
  • 一种异质结双极型晶体管
    一种异质结双极型晶体管_常州纵慧芯光半导体科技有限公司_202511774253.9
    本发明公开了一种异质结双极型晶体管，包括叠层设置的衬底、隔离结构、集电极层、基极层以及发射极层；隔离结构包括至少一组子隔离层组，子隔离层组包括叠层设置的第一子隔离层以及第二子隔离层；隔离结构的材料与衬底的材料相同，且第一子隔离层的导电类型与...
    2026-03-16
  • 一种异质结双极型晶体管
    一种异质结双极型晶体管_常州纵慧芯光半导体科技有限公司_202511774248.8
    本发明公开了一种异质结双极型晶体管，包括叠层设置的衬底、隔离结构、集电极层、基极层以及发射极层；隔离结构包括至少一组子隔离层组，子隔离层组包括叠层设置的第一子隔离层以及第二子隔离层；其中，第一子隔离层的导电类型与第二子隔离层的导电类型相反。...
    2026-03-16
  • 碳化硅BJT器件结构及制备方法
    碳化硅BJT器件结构及制备方法_成都芯电慧芯科技有限公司_202511867051.9
    本发明提供了一种碳化硅BJT器件结构及制备方法，涉及半导体器件制备技术领域，包括如下步骤：在衬底上的外延层内形成与外延层掺杂类型相反的终端结构；在外延层的上表面生成基区；在基区的上表面生成发射区；在基区和发射区上分别生成基区引线金属；在基区...
    2026-03-16
  • PNP型双极结型晶体管的制造方法
    PNP型双极结型晶体管的制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511746164.3
    本发明提供一种PNP型双极结型晶体管的制造方法。该方法包括：提供衬底，限定拾取区及发射区预设位置；形成掩膜并图案化，同时暴露拾取区及发射区预设位置；对暴露区域进行P型离子注入；去除掩膜并在发射区生长材料层。本发明通过修改光刻版图，利用拾取区...
    2026-03-16
  • 基于极化异质结终端的垂直GaN肖特基二极管及其制备方法
    基于极化异质结终端的垂直GaN肖特基二极管及其制备方法_天津大学_202511771690.5
    本发明公开了一种基于极化异质结终端的垂直GaN肖特基二极管及其制备方法：包括阴极金属层、n+‑GaN衬底层、n‑漂移层、第一阳极金属层、第二阳极金属层、极化异质结终端结构；极化异质结终端结构由p‑InGaN层和p‑GaN层构成，或由p‑Ga...
    2026-03-16
  • 二极管装置以及其制作方法
    二极管装置以及其制作方法_台积电(中国)有限公司_202411164738.1
    一种二极管装置包含半导体基板、隔离结构及金属硅化物层。半导体基板包含井区及处于井区中的第一掺杂区至第三掺杂区。第一掺杂区及第二掺杂区具有相反的导电类型，且井区的导电类型与第二掺杂区的导电类型相同。第三掺杂区处于第一掺杂区与第二掺杂区之间。第...
    2026-03-16
  • 一种超结快恢复二极管及其制造方法
    一种超结快恢复二极管及其制造方法_深圳云潼微电子科技有限公司_202610136703.X
    本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种超结快恢复二极管及其制造方法，该超结快恢复二极管包括：衬底；缓冲层，所述缓冲层位于所述衬底之上；漂移层，所述漂移层位于所述缓冲层之上；P型区，所述P型区位于所述漂移层之上；P柱，所述P柱位于所述漂移层中...
    2026-03-16
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