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最新专利技术
  • 一种高效的GPU芯片液冷散热装置
    一种高效的GPU芯片液冷散热装置_盱眙鑫旺电子有限公司_202511537325.8
    本发明涉及芯片技术领域，具体为一种高效的GPU芯片液冷散热装置，包括安装架，安装架外壁顶部固定设有冷板，冷板顶部设有发热芯片，安装架外壁位于冷板底部设有散热机构；散热机构包括安装架内壁处相对设置的两个储液筒，储液筒设有容纳液体的储液腔，储液...
    2026-03-08
  • 芯片、半导体器件及电子设备
    芯片、半导体器件及电子设备_摩尔线程智能科技(北京)股份有限公司_202512040205.3
    本公开涉及一种芯片、半导体器件及电子设备，该芯片包括芯片本体和环形结构，环形结构围绕芯片本体的外周向设置，环形结构包括沿自身厚度方向层叠布置的第一金属互连结构、衬底以及第二金属互连结构；其中，衬底上设置有连接孔，连接孔连接于第一金属互连结构...
    2026-03-08
  • 一种碳化硅金刚石复合衬板及其制备方法
    一种碳化硅金刚石复合衬板及其制备方法_合肥阿基米德电子科技有限公司_202610003482.9
    本发明公开了一种碳化硅金刚石复合衬板及其制备方法，涉及半导体技术领域，碳化硅金刚石复合衬板包括碳化硅基体、金刚石层、冶金结合金属层、绝缘陶瓷层和铜层。制备方法包括：步骤一，对碳化硅基体进行表面处理，形成若干凹坑；步骤二，在碳化硅基体设置有凹...
    2026-03-08
  • 一种新型高集成封装IPM模块及制造方法
    一种新型高集成封装IPM模块及制造方法_深圳尚阳通科技股份有限公司_202511787531.4
    本发明公开一种新型高集成封装IPM模块及制造方法，自下而上分层且横向延伸布置铜底板、陶瓷基板、功率半导体器件、PCB驱动板和塑胶盖板；在陶瓷基板的上层纵向固定安装布置有内部PIN针，其上端部同PCB驱动板过盈配合连接，功率半导体器件和PCB...
    2026-03-08
  • 芯片封装结构
    芯片封装结构_苏州国显创新科技有限公司_202511783343.4
    本申请实施例公开了一种芯片封装结构，该芯片封装结构包括基底、第一布线层、芯片、导热件以及封装层，导热件包括位于本体部远离基底一侧的第一部分，以及围绕本体部的侧面设置的第二部分，第一部分与第二部分导热连接，封装层围绕导热件的第二部分的侧面设置...
    2026-03-08
  • 用于制备全界面导热增强的压接式IGBT模块的方法及模块
    用于制备全界面导热增强的压接式IGBT模块的方法及模块_华中科技大学_202511774587.6
    本发明属于功率半导体器件封装集成技术领域，尤其涉及用于制备全界面导热增强的压接式IGBT模块的方法及模块，其方法包括：在发射极钼片和集电极钼片的上下表面制备散热层；由上至下按顺序组合集电极铜层、含散热层的集电极钼片、功率芯片、含散热层的发射...
    2026-03-08
  • 一种芯片结构和芯片背面散热方法
    一种芯片结构和芯片背面散热方法_重庆芯联微电子有限公司_202511647921.1
    本发明公开了一种芯片结构和芯片背面散热方法，所述芯片结构包括衬底层和位于所述衬底层上的器件层，将所述器件层划分为高功率区域和低功率区域；在所述衬底层上对应所述高功率区域的晶背形成第一刻蚀槽作为第一散热区域，在所述衬底层上对应所述低功率区域的...
    2026-03-08
  • 一种芯片与热沉非焊接连接方法及结构
    一种芯片与热沉非焊接连接方法及结构_江阴市辉龙科技股份有限公司_202511719462.3
    一种芯片与热沉的非焊接连接方法及结构，其特征是：所述的方法首先，将弹簧片的一端与热沉焊接相连，使弹簧片的另一端以设定的压力和间隙与热沉上安装芯片的位置相对，其次，抬起弹簧片的另一端将芯片放置在其下部，松开弹簧片的另一端利用弹性边将芯片压装在...
    2026-03-08
  • 硅通孔及其制造方法
    硅通孔及其制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511728310.X
    本发明公开了一种硅通孔，包括：贯穿硅衬底的硅通孔沟槽。在硅通孔沟槽的侧面形成有渐变热膨胀系数匹配绝缘层。在硅通孔沟槽内填充有第一金属层并形成硅通孔。渐变热膨胀系数匹配绝缘层具有渐变热膨胀系数结构并利用渐变热膨胀系数结构来降低热过程中在硅通孔...
    2026-03-08
  • 单大马士革工艺方法
    单大马士革工艺方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511767476.2
    本发明公开了一种单大马士革工艺方法，包括：提供形成有层间膜的底部结构，层间膜的表面形成有将沟槽的形成区域打开的金属硬质掩膜层。以金属硬质掩膜层为掩膜对层间膜进行第一次刻蚀，第一次刻蚀停止在层间膜中以形成顶部子沟槽。去除金属硬质掩膜层。对层间...
    2026-03-08
  • 钨填充的连接孔结构的制造方法
    钨填充的连接孔结构的制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511676167.4
    本发明公开了一种钨填充的连接孔结构的制造方法，包括：步骤一、在底层结构上进行形成连接孔。步骤二、形成阻挡层，阻挡层采用能同时实现后续的钨选择性刻蚀以及钨选择性生长的材料。步骤三、进行第一次CVD工艺沉积第一钨层，第一钨层将连接孔部分填充且将...
    2026-03-08
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_格科微电子(上海)有限公司_202511596202.1
    本发明提供一种半导体结构及其形成方法。所述方法包括：提供衬底，在衬底中形成多个硅通孔并填充导电材料，在硅通孔上方形成导电的金属焊盘，并在导电焊盘周围形成至少一圈盲孔结构，以实现导电焊盘的电隔离。其中盲孔结构在衬底法线方向的截面为绝缘的介质结...
    2026-03-08
  • 临时键合法制备SOI衬底的方法及SOI衬底
    临时键合法制备SOI衬底的方法及SOI衬底_上海新傲科技股份有限公司_202511707330.9
    本发明涉及一种临时键合法制备SOI衬底的方法及SOI衬底。所述临时键合法制备SOI衬底的方法包括如下步骤：形成初始SOI结构，所述初始SOI结构包括第一晶圆、第二晶圆以及夹设于所述第一晶圆和所述第二晶圆之间的埋氧层；对所述初始SOI结构中的...
    2026-03-08
  • 一种消除高深宽比硅通孔刻蚀中掩模塌陷的工艺方法
    一种消除高深宽比硅通孔刻蚀中掩模塌陷的工艺方法_华东理工大学_202610099584.5
    本发明公开了一种消除高深宽比硅通孔刻蚀中掩模塌陷的工艺方法，属于半导体制造技术领域，包括以下步骤：提供一硅衬底，所述硅衬底表面设置有光刻胶掩膜层；采用源功率与偏置功率独立可调的等离子体刻蚀设备，以交替进行钝化‑去钝化‑刻蚀步骤的深反应离子刻...
    2026-03-08
  • 半导体结构的退火方法
    半导体结构的退火方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511716294.2
    本发明提供一种半导体结构的退火方法，该半导体结构的退火方法包括以下步骤：提供一包括工艺控制模块及退火机台的退火系统，建立不同材质的金属功函数层的膜层厚度与退火时的开环功率及退火时间之间的关系并写入工艺控制模块中；提供一上表层形成有金属功函数...
    2026-03-08
  • 一种含氧氢化非晶硅薄膜及其制备方法、光伏器件
    一种含氧氢化非晶硅薄膜及其制备方法、光伏器件_华能(嘉峪关)新能源有限公司_202411727196.4
    本发明公开了一种含氧氢化非晶硅薄膜及其制备方法、光伏器件，含氧氢化非晶硅薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)将氢化非晶硅薄膜在含氘氛围中进行退火处理；(2)将退火处理后的氢化非晶硅薄膜置于含氧氛围中进行氧化处理，得到含氧氢化非晶硅薄膜。本发...
    2026-03-08
  • 一种键合结构的制备方法、键合结构、键合装置
    一种键合结构的制备方法、键合结构、键合装置_天津中科晶禾电子科技有限责任公司_202610098950.5
    本申请属于半导体制造技术领域，本申请提供了一种键合结构的制备方法、键合结构、键合装置，该制备方法包括在待键合的第一材料和/或第二材料上形成第三材料，然后在依次进行特定的冷冻活化处理、升温恢复处理以及激活处理之后，将第一材料与第二材料通过第三...
    2026-03-08
  • 晶圆再生项目中Pattern膜的无损伤化学机械剥离方法及环保溶剂体系
    晶圆再生项目中Pattern膜的无损伤化学机械剥离方法及环保溶剂体系_安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司_202511700764.6
    本申请涉及半导体制造与材料回收技术领域，公开了一种晶圆再生项目中Pattern膜的无损伤化学机械剥离方法及环保溶剂体系，旨在解决现有技术在高效去除氮化类膜、阻抗类膜和金属类膜时存在的不足。该方法包括：将待处理晶圆依次浸入阻抗类膜去除药液、氮...
    2026-03-08
  • 一种采用SiO2/SiOxNy复合掩膜的低损伤刻蚀方法
    一种采用SiO2/SiOxNy复合掩膜的低损伤刻蚀方法_北京工业大学_202610100583.8
    本发明公开了一种采用SiO22/SiOxxNyy复合掩膜的低损伤刻蚀方法，该方法通过PECVD在超晶格材料表面沉积SiO22和SiOxxNyy叠层复合掩膜；在复合掩膜表面涂布图形化光刻胶；对复合掩膜进行ICP刻蚀，去除残留光刻胶层后得到图形...
    2026-03-08
  • 监测FDSOI源/漏区外延掺杂浓度的方法
    监测FDSOI源/漏区外延掺杂浓度的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511695332.0
    本申请提供一种监测FDSOI源/漏区外延掺杂浓度的方法，包括：步骤一，提供绝缘体上硅衬底，在绝缘体上硅衬底上形成具有SIMS pad图案的掩膜层；步骤二，以该掩膜层为掩模，通过刻蚀去除露出的绝缘体上硅衬底中的绝缘体层；步骤三，去除该掩膜层后...
    2026-03-08
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