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最新专利技术
  • 可剥离的氮化镓外延结构的制备方法和氮化镓器件
    可剥离的氮化镓外延结构的制备方法和氮化镓器件_苏州纳维科技有限公司_202511749818.8
    本发明公开一种可剥离的氮化镓外延结构的制备方法和氮化镓器件，该方法包括：于氮化镓衬底上表面形成掩膜层；于掩膜层上形成多个凹槽，凹槽暴露出氮化镓衬底；于凹槽对应位置形成连接结构；于连接结构和掩膜层的上表面形成氮化镓外延结构，得到外延片；对外延...
    2026-03-08
  • 一种用于稳定重掺红磷衬底器件击穿电压的外延工艺方法
    一种用于稳定重掺红磷衬底器件击穿电压的外延工艺方法_浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司_202511806992.1
    本发明涉及一种用于稳定重掺红磷衬底器件击穿电压的外延工艺方法，包括以下步骤：S100、提供具有不同电阻率档位的重掺红磷衬底；S200、根据衬底的电阻率档位与预设阈值的比较结果，选择对应的外延工艺条件：当衬底电阻率低于预设阈值时，选择包含氢气...
    2026-03-08
  • 晶圆级二维半导体异质结薄膜自底向上的制备方法及应用
    晶圆级二维半导体异质结薄膜自底向上的制备方法及应用_贵阳学院_202511799570.6
    本发明提供了一种晶圆级二维半导体异质结薄膜自底向上的制备方法，该方法包括：衬底基片处理、晶圆级第一过渡金属二硫族化合物薄膜的制备和晶圆级二维异质结薄膜制备。还提供了应用，晶圆级二维半导体异质结薄膜用于气敏传感、生物化学传感、光电探测或电子器...
    2026-03-08
  • 层叠结构及其制备方法
    层叠结构及其制备方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511683488.7
    本申请提供了层叠结构及其制备方法，所述层叠结构包括：硅衬底、氮化硅层和多晶硅层，其中，所述氮化硅层位于所述硅衬底与所述多晶硅层之间，并且，所述氮化硅层中的氮元素与硅元素的比例在所述氮化硅层的靠近所述硅衬底的第一端大于所述氮化硅层的远离所述硅...
    2026-03-08
  • 键合晶圆及其制备方法
    键合晶圆及其制备方法_上海新傲芯翼科技有限公司_202511843133.X
    本发明提供一种键合晶圆及其制备方法，在键合晶圆的制备方法中，通过对剥离处理后的键合晶圆执行热扩散处理工艺，以减小键合晶圆的表面的晶格损伤层的损伤深度；然后，对键合晶圆执行氧化加固处理工艺，以修复晶格损伤层并形成氧化层。如此，通过对键合晶圆执...
    2026-03-08
  • 一种用于非侵入性动态排卵监测的忆阻器及其应用
    一种用于非侵入性动态排卵监测的忆阻器及其应用_西安交通大学医学院第一附属医院_202511878715.1
    本发明属于医学检测领域，具体涉及一种用于非侵入性动态排卵监测的忆阻器及应用。该忆阻器包括从上到下依次设置的基底、底电极、功能层和顶电极，功能层为二氧化铪薄膜。本发明提供的忆阻器对唾液、尿液等生物流体中离子浓度与粘度的电学特性变化具有超高灵敏...
    2026-03-08
  • 一种氧化钨掺杂B相二氧化钒薄膜结构及其制备方法和应用
    一种氧化钨掺杂B相二氧化钒薄膜结构及其制备方法和应用_爱发科(苏州)技术研究开发有限公司_202511728316.7
    本发明涉及一种氧化钨掺杂B相二氧化钒薄膜结构及其制备方法和应用，所述氧化钨掺杂B相二氧化钒薄膜结构包括依次层叠设置的硅衬底、缓冲层和氧化钨掺杂B相二氧化钒薄膜层；通过设置氧化钨掺杂B相二氧化钒薄膜层，即在传统的纯B相二氧化钒薄膜层中掺杂氧化...
    2026-03-08
  • 一种量子芯片加工设备和量子芯片均匀性的控制方法
    一种量子芯片加工设备和量子芯片均匀性的控制方法_量子科技长三角产业创新中心_202511765631.7
    本发明公开了一种量子芯片加工设备和量子芯片均匀性的控制方法，方法包括提供晶圆；在晶圆一侧表面依次制备形成第一光刻胶层和第二光刻胶层；在第二光刻胶层背离晶圆一侧形成第一金属层，并确定第一金属层到晶圆中心的距离和厚度；在第一金属层背离晶圆一侧表...
    2026-03-08
  • 一种降低YBCO纳米线起翘电压方法
    一种降低YBCO纳米线起翘电压方法_电子科技大学_202511757827.1
    本发明提供一种离子辐照降低YBCO纳米线起翘电压的方法，属于单光子探测技术领域。该方法采用聚焦离子束(FIB)进行氦(He)离子束局域周期性辐照，在超薄YBCO纳米线中引入额外的钉扎中心，限制纳米线中涡旋的运动，改善涡旋钉扎点分布均匀性，可...
    2026-03-08
  • 一种基于二维铁磁/多铁异质结构的电压调控磁存储器及制备方法
    一种基于二维铁磁/多铁异质结构的电压调控磁存储器及制备方法_杭州市北京航空航天大学国际创新研究院(北京航空航天大学国际创新学院)_202511784943.2
    本发明公开了一种基于二维铁磁/多铁异质结构的电压调控磁存储器及制备方法，器件由衬底、多铁薄膜层、二维铁磁薄膜层及上下电极构成，通过多铁层铁电极化在界面产生未补偿磁矩，并与二维铁磁层形成交换偏置。施加低电压即可反转铁电极化方向，实现二维铁磁层...
    2026-03-08
  • 一种高分子压电薄膜图形化与阵列化方法
    一种高分子压电薄膜图形化与阵列化方法_科锐昇微系统(苏州)有限公司_202511707903.8
    本发明公开的一种高分子压电薄膜图形化与阵列化方法，包括：将薄膜平铺在载物台上；基于第一扫描速度与第一激光参数按照预设图案进行扫描移动，得到预设图案的PVDF‑TrFE薄膜；将预设图案的PVDF‑TrFE薄膜平铺在载物台上；基于光束形成光斑，...
    2026-03-08
  • 一种仿生自适应热电装置及其制备方法
    一种仿生自适应热电装置及其制备方法_中国科学技术大学_202511785294.8
    本申请公开了一种仿生自适应热电装置及其制备方法，所述仿生自适应热电装置包括传感器薄膜、导电电极和基底；所述传感器薄膜包括依次设置的致动层与传感层，所述致动层包括聚二甲基硅氧烷层和聚酰亚胺层，所述聚酰亚胺层靠近传感层一侧；所述传感层包括碲纳米...
    2026-03-08
  • 一种集成歧管微通道换热结构的微型热电器件
    一种集成歧管微通道换热结构的微型热电器件_北京科技大学_202511722074.0
    本发明提供一种集成歧管微通道换热结构的微型热电器件，涉及热电器件技术领域，包括：至少一个热电功能单元以及歧管微通道换热结构；热电功能单元用于实现热电发电或热电制冷的核心功能，用于发电场景时具有冷端和热端，用于制冷场景时具有制冷端和散热端；歧...
    2026-03-08
  • 一种基于挤出式涂覆技术制备的高温薄膜热电偶传感器及方法
    一种基于挤出式涂覆技术制备的高温薄膜热电偶传感器及方法_中南大学_202610109146.2
    本发明提供了一种基于挤出式涂覆技术制备的高温薄膜热电偶传感器及方法。本申请提供的方法，使用特制的剪切稀化浆料，配合挤出式涂覆技术，保障了传感器性能的高灵敏度、高一致性与高成品率。
    2026-03-08
  • 一种基于杯芳烃超分子的钙钛矿与空穴传输层界面稳定方法及其在倒置钙钛矿太阳能电池中的应用
    一种基于杯芳烃超分子的钙钛矿与空穴传输层界面稳定方法及其在倒置钙钛矿太阳能电池中的应用_昆明理工大学_202511792739.5
    本发明公开了一种基于杯芳烃超分子的钙钛矿与空穴传输层界面稳定方法及其在倒置钙钛矿太阳能电池中的应用，属于钙钛矿太阳能电池技术领域。本发明提出了超分子主客体作用策略来稳定倒置钙钛矿太阳能电池中空穴传输层(HTL)与钙钛矿层之间的界面(埋底界面...
    2026-03-08
  • 太阳能电池的钙钛矿膜层的无机相、太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池的钙钛矿膜层的无机相、太阳能电池及其制备方法_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511957886.3
    本申请提供了一种太阳能电池的钙钛矿膜层的无机相、太阳能电池及其制备方法，无机相位于太阳能电池的空穴传输层的绒面上，无机相为片状堆叠结构，片状堆叠结构包括多个片状结构，片状结构排列在绒面上，绒面包括多个金字塔结构，位于金字塔结构的侧壁处的片状...
    2026-03-08
  • 一种在聚合物表面上制备金属电极的方法
    一种在聚合物表面上制备金属电极的方法_长春市华信科瑞光电技术有限公司_202511844615.7
    一种在聚合物表面上制备金属电极的方法，属于微纳加工工艺领域。其首先是在聚合物集成光子器件的聚合物表面上制备铝、氧化硅、氧化锗、聚乙二醇等材料的牺牲层，再在牺牲层上采用光刻工艺制备具有镂空电极图形的光刻胶层；然后以该光刻胶层为掩膜，采用刻蚀工...
    2026-03-08
  • 一种用于X射线探测器的高质量钙钛矿厚膜的制备方法
    一种用于X射线探测器的高质量钙钛矿厚膜的制备方法_中国矿业大学_202511773132.2
    本申请发明一种用于X射线探测器的高质量钙钛矿厚膜的制备方法，涉及辐射探测材料与器件技术领域；厚膜制备方法包括：通过碘化铅、碘化铯、甲脒碘、甲胺碘、4‑胍基苯甲酸盐酸盐、N, N‑二甲基甲酰胺、以及乙腈制备前驱体溶液；引入一种体相功能添加剂来...
    2026-03-08
  • 一种全光调控的光电突触器件及其制备方法和应用
    一种全光调控的光电突触器件及其制备方法和应用_浙江大学_202610107035.8
    本发明公开了一种全光调控的光电突触器件及其制备方法和应用。该器件在紫外光至可见光光谱范围内成功模拟了神经细胞突触行为。并且，器件对于紫外光和可见光的响应都是正响应，光生电流上升。但是，当先用紫外光照射后再用可见光照射，可见光对于紫外光的光生...
    2026-03-08
  • 一种光伏-发光一体化器件
    一种光伏-发光一体化器件_北京大学_202511787533.3
    本发明涉及光电功能器件技术领域，尤其涉及一种光伏‑发光一体化器件。本发明提供了一种光伏‑发光一体化器件，由上至下包括依次层叠设置的第一透明导电电极层、光伏电池层、双面导电透明电极层、发光二极管层和第二透明导电电极层；所述双面导电透明电极层包...
    2026-03-08
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