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  • 本申请提供了一种用于芯片散热的自适应负压腔体结构及方法,涉及电子硬件领域,包括:电路板,在电路板的下表面电连接有芯片;散热基板,设置在芯片的下方,散热基板与电路板固定连接;散热基板与芯片之间设置有散热导体,散热导体与芯片面接触,散热基板与散...
  • 本公开提供一种芯片封装结构及芯片封装方法、芯片封装模组,该芯片封装结构包括基板、和芯片,其中基板包括相对设置在第一表面和第二表面,基板上设置有安装槽和多个第一散热通孔,安装槽自第一表面向靠近所述第二表面方向凹陷,第一散热通孔连通第一表面和第...
  • 揭露一种包括薄膜电阻器的半导体装置及其制造方法。该方法包括在第一金属化层内形成包括具有不同硅铬成分的子层的硅铬基薄膜电阻器,在硅铬基薄膜电阻器的端部和接触结构上形成接触区。该方法还包括在第一金属化层上形成包括与接触结构接触的其他接触结构的第...
  • 本申请提供一种半导体器件及其制备方法、电子设备。该半导体器件包括多个源极接触层、多个栅极接触层、连接部和栅极接触孔。多个源极接触层沿第一方向间隔排布,多个栅极接触层沿第一方向间隔排布,且每个栅极接触层位于相邻的源极接触层之间;多个栅极接触层...
  • 在衬底的第一侧上方形成第一互连结构。第一互连结构包括嵌入第一介电结构中的多个第一互连层。第一互连层中的一个包括具有网状结构的着落焊盘。在衬底的与第一侧相对的第二侧上方形成第二互连结构。第二互连结构包括嵌入第二介电结构中的多个第二互连层。形成...
  • 本发明的实施例提供了一种集成电路、集成电路器件及其制造集成电路的方法。一种集成电路,包括具有前侧和与前侧相对的后侧的衬底。衬底在前侧上包括至少一个有源区。电路位于衬底的前侧,前侧金属化层设置在电路上方。后侧金属化层设置在衬底的后侧下方,第一...
  • 本发明的实施例提供了一种半导体结构,包括用于从背面电源轨至正面器件层传送电力的贯穿硅通孔(TSV),和用于在背面互连结构和正面互连结构之间传送信号的馈送贯穿通孔(FTV)。TSV在半导体结构中提供减少的RC延迟。本申请的实施例还涉及集成电路...
  • 本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、存储系统、电子设备,涉及半导体技术领域,用于提高半导体器件中键合界面的利用率,降低制备成本。半导体器件包括:至少一个半导体结构。半导体结构包括第一金属部和第二金属部。所述第一金属部嵌设在所述半导体结构...
  • 本发明属于半导体制造技术领域,公开了一种制造双浅沟道隔离的方法以及半导体结构;其中,所述方法包括:在选中的半导体衬底上,依次沉积衬底氧化层、衬底氮化硅层、牺牲层、底部抗反射涂层和光刻胶,并通过光刻工艺形成图案化的牺牲层;在图案化的牺牲层上依...
  • 本发明涉及电子器件沟槽处理设备技术领域,且公开了一种电子器件沟槽侧壁平整度修复与钝化处理装置,包括基座、三轴运动平台、喷头、摄像头,所述三轴运动平台安装在基座的上表面,所述喷头固定在三轴运动平台的移动端,所述摄像头安装在三轴运动平台的移动端...
  • 本发明提出了一种用于提高InSb晶片电学均匀性的加工方法,包括:对选取的晶体段进行定向切割,选取测试片并进行腐蚀,进行少子寿命测试,确定对应少子寿命分布图;将晶片划片后在液氮温度下进行霍尔测试,确定样品径向电学参数分布图;将径向电学参数分布...
  • 本申请涉及光学检测技术领域,具体涉及一种光学检测设备和光学检测方法,照明模块有多个环形光带,环形光带包括多段环绕被测物间隔布置的发光区,照明模块具有多种照明模式,不同照明模式下产生检测光的发光区的数量、位置和/或朝向不同,控制器能够控制照明...
  • 本发明公开了一种用于检测半导体晶圆表面缺陷的装置,应用于晶圆表面缺陷检测技术领域,包括检测箱、检测机构、清理机构、转运机构和检测系统,所述检测机构和清理机构并排设置于检测箱的内部中间,所述转运机构设置于检测箱的内部顶部,所述检测系统与检测机...
  • 本申请提供了一种半导体测试结构及其制备方法,属于半导体技术领域,其待测单元组包括至少一个待测单元,待测单元包括有源区、栅极结构及源漏外延层,栅极结构位于有源区的沟道区上,源漏外延层位于有源区的源区和漏区内;所有有源区沿第一方向的宽度相等,每...
  • 本发明公开了一种芯片全自动测试装置及测试方法,所述测试装置包括沿芯片测试流程依次衔接的芯片上料机构、高温转塔测试机构、中转转运机构、常温转塔测试机构,外观检测机构和芯片下料机构,各机构通过双工位并行架构,实现芯片在高温/常温环境下的同步电性...
  • 本发明提供一种用于CESL特性测试的测试版图及测试结构,测试版图包括隔离结构图形,位于所述隔离结构图形中且依次套设的至少两个栅极圈图形,位于所有所述栅极圈图形内侧的两组间隔设置的接触孔图形,覆盖所有所述栅极圈图形的自对准阻挡层图形,且所述自...
  • 本申请属于半导体技术领域,公开了一种片状工件搬运装置、生产转运线及生产转运方法,所述搬运装置包括机架、吸附机构和旋转驱动机构,吸附机构绕第一轴线可转动安装于机架,吸附机构具有沿高度方向平行间隔设置的第一吸附面和第二吸附面,第一吸附面和第二吸...
  • 本发明涉及芯片加工技术领域,尤其是一种送风系统,包括:送风组件,所述送风组件包括:多组竖直设置的出风箱,每组出风箱的下端面开设有出风口,所述出风口处均匀设置有多组隔板,相邻的两组所述隔板之间形成缝隙;多组平衡结构,每组平衡结构与所述出风箱的...
  • 本发明涉及晶圆加工技术领域,具体涉及一种用于真空腔室的晶圆升降承载机构,主要解决现有用于真空腔室的晶圆升降承载机构存在的位置无法调节的技术问题。本装置包括固定环板、调平顶丝、安装板、Z向驱动副、XY向滑台、支撑轴、顶针组件和波纹管,顶针组件...
  • 本申请公开了一种静电卡盘、工艺腔室、半导体工艺设备及自清洁方法,所述静电卡盘的顶面设置有多个气孔,用于向所述静电卡盘与所述静电卡盘所承载的晶圆之间通入惰性气体;所述静电卡盘的顶面具有目标粗糙度,用于当所述晶圆承载于所述静电卡盘上时,增大所述...
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