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最新专利技术
  • 一种Mini/Micro LED返修工艺
    一种Mini/Micro LED返修工艺_广东工业大学_202511641337.5
    本发明涉及Mini/Micro LED显示屏技术领域，尤其涉及一种Mini/Micro LED返修工艺。返修设备包括浆料打印装置以及红外激光和紫外激光同轴输出的激光器；浆料打印装置和激光器分别与返修工位的位置相对应；所述返修工艺包括以下步骤...
    2026-03-10
  • 一种LED芯片及其制作方法
    一种LED芯片及其制作方法_厦门乾照光电股份有限公司_202511747791.9
    本申请提供一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片的制作方法对外延叠层进行蚀刻形成切割道包括连续进行的两个阶段，第一阶段以第一光刻胶层作为掩膜，蚀刻硬掩膜裸露部分外延叠层；第二阶段蚀刻裸露的外延叠层直至裸露衬底部分表面形成切割道，蚀刻期间先...
    2026-03-10
  • 多色彩可拉伸电致发光纤维、制备方法及应用
    多色彩可拉伸电致发光纤维、制备方法及应用_浙江理工大学_202511617085.2
    本发明属于柔性电子及可穿戴技术领域，涉及一种纤维状的电致发光器件，具体涉及一种多色彩可拉伸电致发光纤维、制备方法及应用。该多色彩可拉伸电致发光纤维的制备方法包括以下步骤：a)制备一基体发光纤维，所述基体发光纤维包含一发光层，该发光层在电场驱...
    2026-03-10
  • 太阳电池及其制备方法、光伏组件
    太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202512005638.5
    本申请涉及太阳电池领域，公开一种太阳电池及其制备方法、光伏组件，所述太阳电池包括基底，所述基底的表面具有多个类金字塔结构，所述类金字塔结构为顶部具有凹坑的锥面体，所述凹坑内设置有多个第一凸起结构，在一个所述凹坑中，所述第一凸起结构的总轮廓面...
    2026-03-10
  • 封装结构及其制备方法
    封装结构及其制备方法_越润集成电路(绍兴)有限公司_202511731236.7
    本发明涉及一种封装结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该封装结构及其制备方法中，第一重布线层包括走线层与介质层，走线层在载板上的正投影与光学耦合器在载板上的正投影不交叠，即走线层不遮挡的光学耦合器的光学窗口，在第一重布线层的远离载板的一侧...
    2026-03-10
  • 一种集成CPGA的金属壳体
    一种集成CPGA的金属壳体_西南技术物理研究所_202511556684.8
    本发明属于封装外壳技术领域，公开了一种集成CPGA的金属壳体，其包括：CPGA引线块(1)、钼铜热沉(2)、可伐腔体(3)、陶瓷绝缘子和穿心引线(4)、排气管(5)；可伐腔体(3)和CPGA引线块(1)焊接在钼铜热沉(2)上，CPGA引线块...
    2026-03-10
  • 应用于BIPV幕墙的玻璃组件及其制备方法、光伏组件
    应用于BIPV幕墙的玻璃组件及其制备方法、光伏组件_中能创光电科技(常州)有限公司_202610083827.6
    一种应用于BIPV幕墙的玻璃组件及其制备方法、光伏组件，涉及玻璃幕墙制造技术领域。该应用于BIPV幕墙的玻璃组件包括透明基底，透明基底的一侧表面设置有树脂干涉膜，树脂干涉膜的厚度在100nm至400nm之间连续变化；树脂干涉膜背离透明基底的...
    2026-03-10
  • 一种基于环保型量子点的高效叠层荧光太阳能聚光器
    一种基于环保型量子点的高效叠层荧光太阳能聚光器_电子科技大学_202511708722.7
    本发明公开了一种基于环保型量子点的高效叠层荧光太阳能聚光器，属于太阳能光电转换技术领域。该聚光器采用上下两层结构物理贴合形成光学耦合的叠层设计，其中顶层使用吸收300‑500nm可见光的环保型碳量子点作为发光材料；底层采用吸收范围覆盖紫外至...
    2026-03-10
  • 背接触电池、电池组件和光伏系统
    背接触电池、电池组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202610102012.8
    本申请涉及太阳能电池技术领域，提供了一种背接触电池、电池组件和光伏系统，在背接触电池中，第一极性区域与第二极性区域的高度平齐或者第一极性区域和第二极性区域的高度差为10nm‑150nm，第一内扩层与第二内扩层相接触以在硅衬底内形成体内互扩区...
    2026-03-10
  • 改善UVID的TOPCon电池制备方法和TOPCon电池
    改善UVID的TOPCon电池制备方法和TOPCon电池_滁州捷泰新能源科技有限公司_202511590701.X
    本申请涉及一种改善UVID的TOPCon电池制备方法和TOPCon电池，对处理后的硅基底背面沉积第一隧穿氧化层和阻挡多晶硅层，在沉积的阻挡多晶硅层上再次沉积第二隧穿氧化层和掺杂多晶硅层；在硅基底的背面形成二氧化硅掩蔽膜，并进行背面磷扩散；在...
    2026-03-10
  • 背接触太阳电池
    背接触太阳电池_通威太阳能(成都)有限公司_202610093644.2
    本申请提供了背接触太阳电池，包括硅衬底、第一金属栅线、第二金属栅线、第一钝化层、第二钝化层和保护层；第一金属栅线和第二金属栅线设于硅衬底背面，相邻的部分第一金属栅线和第二金属栅线之间间隔形成保护层容置区；第一钝化层设于硅衬底正面，第二钝化层...
    2026-03-10
  • 一种太阳电池及光伏组件
    一种太阳电池及光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202610072132.8
    本申请涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池及光伏组件。太阳电池，包括电池本体以及多根集电栅线。多根集电栅线设置在电池本体的表面上，集电栅线的长度延伸方向为第一方向，且多根集电栅线沿第二方向间隔设置，第二方向与第一方向相交。电池本体沿第...
    2026-03-10
  • 一种太阳能电池及其制作方法
    一种太阳能电池及其制作方法_扬州乾照光电有限公司_202512009468.8
    一种太阳能电池及其制作方法，太阳能电池包括衬底、外延结构、背电极、欧姆接触层、栅线电极、顶电极和透明导电层。外延结构设于衬底的一侧表面上。背电极设于衬底背离外延结构一侧的表面上。欧姆接触层设于外延结构背离衬底的表面，并设有裸露外延结构部分表...
    2026-03-10
  • 一种异质结电池结构及抗衰减方法
    一种异质结电池结构及抗衰减方法_晋能清洁能源科技股份公司_202511790603.0
    本发明公开了一种异质结电池结构及抗衰减方法，涉及太阳能电池领域，在单晶硅片基底的背光面和受光面的掺杂非晶/微晶薄膜层上均设置的SiOx‑TCO‑SiNx梯度折射薄膜层；所述SiOx‑TCO‑SiNx梯度折射薄膜层为受光面向内依次包括SiNx...
    2026-03-10
  • 太阳能电池及制备方法、光伏组件及光伏系统
    太阳能电池及制备方法、光伏组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511429958.7
    本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池及制备方法、光伏组件及光伏系统，可以为串接结构和连接线设置不同的制备材料，分别对应串接结构和连接线的需求，提高太阳能电池的性能。包括：硅基底；主栅，设于硅基底，包括若干串接结构和连接线，连...
    2026-03-10
  • 光伏组件
    光伏组件_嘉兴阿特斯技术研究院有限公司_202610072334.2
    本发明公开了一种光伏组件包括：电池单元组、连接结构。电池单元组包括串联和/或并联的多个电池串；连接结构包括旁路条，旁路条设于相邻电池单元组之间，旁路条包括第一非引出部、第二非引出部和引出部，引出部连接在第一非引出部和第二非引出部之间，引出部...
    2026-03-10
  • 太阳能电池的制备方法、太阳能电池及光伏组件
    太阳能电池的制备方法、太阳能电池及光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202610091942.8
    本申请涉及光伏电池技术领域，特别是涉及太阳能电池的制备方法、太阳能电池及光伏组件。所述太阳能电池的制备方法包括：提供N型硅基底；在N型硅基底的背面进行硼扩散形成硼扩层和BSG层，并将背面划分为交替排布的第一区域和第二区域；对第一区域进行激光...
    2026-03-10
  • 太阳能电池片及其制作方法、光伏组件
    太阳能电池片及其制作方法、光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610086185.5
    本公开涉及光伏领域，提供一种太阳能电池片及其制作方法、光伏组件，其中，太阳能电池片的制作方法包括：提供初始电池片，初始电池片包括基底，基底包括第一区，掺杂导电区位于第一区，第一功能层位于掺杂导电区远离基底的表面，第二功能层，第二功能层位于第...
    2026-03-10
  • 用于光伏组件的生产工艺优化方法及系统
    用于光伏组件的生产工艺优化方法及系统_汉摩尼(江苏)光电科技有限公司_202610086115.X
    本发明公开了用于光伏组件的生产工艺优化方法及系统，涉及光伏生产技术领域。方法包括：对目标光伏组件进行正面焊接，并利用红外热像监控焊头与焊缝区域热分布，解析获得焊缝峰值温度分布；对正面焊接后的多个焊接尾端按预设指标进行可焊性识别，获得尾端可焊...
    2026-03-10
  • 一种TBC太阳能电池背接触电极及其制备方法与TBC太阳能电池
    一种TBC太阳能电池背接触电极及其制备方法与TBC太阳能电池_一道新能源科技股份有限公司_202610076933.1
    本发明提供了一种TBC太阳能电池背接触电极及其制备方法与TBC太阳能电池，所述制备方法包括：通过激光化学沉积，同步完成抗反射层的激光开槽与种子层的化学沉积，再在所得种子层的表面制备金属化电极，得到TBC太阳能电池背接触电极；所述激光化学金属...
    2026-03-10
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