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最新专利技术
  • 电子装置
    电子装置_群创光电股份有限公司_202411106445.8
    本发明提供一种电子装置，包括：一第一电子单元；一第一电晶体，与第一电子单元电性连接且包括一第一多晶硅半导体；一第一绝缘层，设置在第一多晶硅半导体上；一氧化金属层，设置在第一绝缘层上；一第二电晶体，与第一电子单元及第一电晶体电性连接且包括一第...
    2026-02-28
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_惠科股份有限公司_202511788376.8
    本申请公开了一种显示面板及显示装置。显示面板具有显示区和非显示区，包括：阵列基板，包括：第一衬底；第一衬底的非显示区包括环形框胶区及位于显示区相对两侧的空白区和邦定区，邦定区包括闲置区；公共电极转接层，设于第一衬底的非显示区，包括第一公共电...
    2026-02-28
  • 阵列基板及其制备方法
    阵列基板及其制备方法_昆山国显光电有限公司_202511604607.5
    本申请涉及显示技术领域，并提供了一种阵列基板及其制备方法，阵列基板包括衬底、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管位于所述衬底的一侧，所述第一薄膜晶体管的源漏极沿垂直于所述衬底所在平面的方向间隔设置并构成垂直沟道，所述第二薄膜晶...
    2026-02-28
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202610049381.5
    本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法，其中，半导体结构包括：衬底；沟道层，沟道层包括在衬底上堆叠的多个沟道子层；栅极层，栅极层至少部分环绕每一沟道子层；源/漏区，沿第一方向上，源/漏区位于沟道层的两侧，源/漏区至少包括第一子层和第二...
    2026-02-28
  • 三维存储器及其操作方法
    三维存储器及其操作方法_旺宏电子股份有限公司_202411191816.7
    本发明提供一种三维存储器及其操作方法。在三维存储器中，堆叠结构设置于介电基底上，且包括交替堆叠的多个栅极层与多个绝缘层。每一个栅极层包括彼此分隔开的第一栅极与第二栅极。所述多个环状通道层各自对应于所述多个栅极层中的一个而设置于相邻的绝缘层之...
    2026-02-28
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511540239.2
    提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底以及第一沟道层和第二沟道层。半导体结构还包括位于衬底上方的隔离结构以及位于第一沟道层和隔离结构上方的第一栅极结构。半导体结构还包括位于第二沟道层和隔离结构上方的第二栅极结构以及横向夹置在第一栅...
    2026-02-28
  • 一种GaN HEMT单片集成互补型反相器及其器件制备方法
    一种GaN HEMT单片集成互补型反相器及其器件制备方法_中科(深圳)无线半导体有限公司_202610070620.5
    本发明公开了一种GaN HEMT单片集成互补型反相器及其器件制备方法，涉及半导体技术领域，其中反相器包括n沟道和p沟道增强型GaN HEMT，两者横向分布于同一衬底的共用外延层上；外延层上方依次设置有二维介质层、石墨烯层及隔离介质层；p沟道...
    2026-02-28
  • 集成器件及其制备方法
    集成器件及其制备方法_广州增芯科技有限公司_202511706450.7
    本申请涉及一种集成器件及其制备方法，包括P型衬底；LDMOS，形成于P型衬底的第一区域，第一区域包括深N阱和第一深P阱，LDMOS包括第一源区、栅极、漏区、第一体区，第一源区由形成于第一深P阱中的N+区组成；漏区由形成于深N阱区中的N+区组...
    2026-02-28
  • 半导体结构及其制备方法、芯片及电子设备
    半导体结构及其制备方法、芯片及电子设备_珠海楠欣半导体科技有限公司_202511682684.2
    本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、芯片及电子设备，涉及半导体技术领域，半导体结构包括：横向扩散金属氧化物半导体器件，以及肖特基二极管；半导体器件包括衬底结构、隔离环结构以及本体结构；隔离环结构，本体结构以及肖特基二极管均形成在衬底结构...
    2026-02-28
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610069536.1
    本发明公开了一种半导体结构及其制作方法，属于半导体领域，本发明改变现有技术中鳍式晶体管的制作工艺中应力硅技术的工序，将源极、漏极应力硅技术外延提前到鳍部形成之前，利用鳍部上的硬质掩模层采用自对准技术直接刻蚀出鳍部，意想不到的技术效果是：本发...
    2026-02-28
  • 形成半导体器件的方法
    形成半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511540264.0
    方法包括：形成源极/漏极区域；在源极/漏极区域上方形成接触蚀刻停止层；在接触蚀刻停止层上方形成层间电介质；以及实施蚀刻工艺以在层间电介质和接触蚀刻停止层中形成接触开口。源极/漏极区域暴露于接触开口。实施硅化物形成工艺以在源极/漏极区域的表面...
    2026-02-28
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511540232.0
    方法包括：图案化穿过第一介电层的第一开口以暴露第一源极/漏极区域；在第一源极/漏极区域上形成第一硅化物区域；沿第一开口的表面沉积第一多种多环芳烃；实施退火工艺以将第一多种多环芳烃转化为第一石墨烯层；以及用第一金属材料填充第一开口的剩余部分。...
    2026-02-28
  • 西格玛沟槽的制作方法
    西格玛沟槽的制作方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202411109871.7
    本发明提供一种西格玛沟槽的制作方法，包括：提供衬底，在衬底上形成栅氧化层与栅极结构，栅极结构包括依次形成于栅氧化层上栅极、第一掩膜层与第二掩膜层；以第二掩膜层为掩膜进行第一次刻蚀至第二掩膜层被去除，在栅极结构两侧的衬底内形成第一沟槽，刻蚀过...
    2026-02-28
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610073113.7
    本申请涉及一种半导体结构及其制造方法，包括：提供包括第一区域和第二区域的衬底，衬底上形成有覆盖第一区域、第二区域的中间层；于中间层上形成第一功函数层；于第一功函数层上形成第二功函数层，第二功函数层的氮元素含量小于第一功函数层的氮元素含量；对...
    2026-02-28
  • 消除伪栅高度差的方法
    消除伪栅高度差的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511695354.7
    本发明公开了一种消除伪栅高度差的方法，包括：步骤一、提供表面形成有伪栅极结构的半导体衬底。步骤二、形成金属硅化物，包括：形成第一金属层。进行金属硅化反应形成金属硅化物，金属硅化物表面和外部的第一金属层保留。步骤三、形成第一填充层。步骤四、采...
    2026-02-28
  • 电容模块
    电容模块_华邦电子股份有限公司_202510876222.8
    本发明提供一种电容模块，包括第一管芯以及第二管芯。第一管芯以及第二管芯各自包括电容器装置以及电性连接至电容器装置的电路结构。电路结构包括接垫以及第一信号线。第一信号线包括第一接垫连接部以及第一信号传输部。第一接垫连接部位于接垫下方，且电性连...
    2026-02-28
  • 射频芯片、低噪声放大器、射频前端模组及电子设备
    射频芯片、低噪声放大器、射频前端模组及电子设备_锐石创芯(深圳)半导体有限公司_202511411799.8
    本申请公开了一种射频芯片、低噪声放大器、射频前端模组及电子设备，射频芯片包括器件区、金属层及连接结构，器件区设有多个功能晶体管，金属层叠置于器件区上。连接结构连接在器件区和金属层之间，连接结构用于将功能晶体管的第一极、第二极和第三极分别连接...
    2026-02-28
  • 半导体模块
    半导体模块_英飞凌科技股份有限公司_202511030334.8
    一种半导体模块包括：绝缘体衬底；布置在绝缘体衬底处的第一金属化层；布置在第一金属化层的表面上的两个或更多个可控半导体元件，每个可控半导体元件包括栅极电极、第一负载电极和第二负载电极；栅极电极与第一负载电极之间的控制电流路径；第一负载电极与第...
    2026-02-28
  • 一种沟槽型MOS器件中沟槽栅的制备方法
    一种沟槽型MOS器件中沟槽栅的制备方法_上海乐瓦微电子科技有限公司_202610073350.3
    本申请涉及半导体制造技术领域，公开了一种沟槽型MOS器件中沟槽栅的制备方法，包括在形成沟槽的半导体衬底上，采用原子层沉积工艺共形沉积一层非晶态金属硅化物前驱体薄膜；随后，对所述前驱体薄膜进行两步连续的等离子体原位转换处理：首先，在含氧或含氮...
    2026-02-28
  • 一种AlOxP-型偶极子MOS器件及其制备方法
    一种AlOxP-型偶极子MOS器件及其制备方法_复旦大学_202610071487.5
    本发明提供一种AlOxx P‑型偶极子MOS器件及其制备方法，包括自下而上设置的P型硅衬底、SiO22薄膜、HfO22薄膜、AlOxx薄膜、TiN薄膜以及W薄膜，且P型硅衬底的硅片背面沉积有Ni薄膜，在HfO22薄膜上沉积超薄AlOxx d...
    2026-02-28
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