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  • 本发明公开了一种用于TOPCon电池制作的改进型印刷烧结方法,涉及电池制作技术领域,包括:对硅片进行背面细栅印刷并烘干;背面主栅印刷并烘干;正面细栅印刷并烘干;正面主栅印刷;超声振动处理;正背面共烧;光注入退火;激光诱导烧结;紫外固化;测试...
  • 本发明涉及X射线探测器技术领域,尤其涉及一种基于Bi22M22O77单晶的X射线探测器及其制备方法。在Bi22M22O77单晶顶面溅射金作为正极,在Bi22M22O77单晶底面溅射金作为负极,得到基于Bi22M22O77单晶的X射线探测器。...
  • 本申请公开了一种太阳电池的制备方法和太阳电池,涉及光伏技术领域。在本申请中,无需在显影之前使用高腐蚀性的刻蚀液来一次性刻蚀掉边缘区域的种子层和透明导电层,只需要采用腐蚀性相对较弱的刻蚀液刻蚀掉边缘区域的种子层,让边缘区域的透明导电层露出即可...
  • 本发明属于太阳电池技术领域,具体公开了背接触电池的制绒添加剂、制绒液及制绒方法。背接触电池的制绒添加剂,按照质量百分数计包括:羧甲基纤维素钠1.0%~5.0%,木质素磺酸钠0.03%~0.2%,芍药苷0.003%~0.03%,丹酚酸B 0....
  • 本发明涉及新能源技术领域,具体为一种新型的电池焊接结构,所述电池焊接结构为银/铜‑锡‑锡的多层焊接结构。本发明通过铜‑锡‑锡多层焊接结构替代传统银‑锡结构,利用电镀、化学镀或铜浆印刷形成铜栅线,无需依赖银材,显著降低了原材料成本,同时铜栅线...
  • 本发明公开了一种尺寸灵活的四端子钙钛矿‑晶硅叠层组件及方法,属于光伏器件制造技术领域。其中,晶硅边缘钝化方法是将钝化材料溶液喷涂于晶硅电池的切割边缘及背面,干燥后形成致密稳定的钝化层,以提升切割后晶硅电池的效率保留率。本发明采用溶液旋涂或喷...
  • 本申请涉及一种基于PL成像主栅定位进行高精度等分划片方法和系统,通过PL成像模块对待划片的电池片照射激光产生光致发光时,获取对整个电池片捕捉到的PL图像;对捕捉的PL图像进行预处理后提取出电池片的实际主栅图像,并将实际主栅图像与预设的主栅图...
  • 本发明公开了一种单晶电池片的制绒工艺,包括以下步骤:S1 : 采用预制绒液对硅片预制绒处理;S2 : 采用制绒液对硅片制绒处理;预制绒液包括聚乙烯吡咯烷酮和聚乙烯醇;制绒液包括无机碱、脱泡剂和催化剂;无机碱为选自氢氧化钠、氢氧化钾中的至少一...
  • 本申请公开了一种薄膜铌酸锂/钽酸锂光电器件的制备方法及其应用,属于光电器件制造技术领域。该制备方法包括:提供晶圆,所述晶圆的材质选自铌酸锂和/或钽酸锂;在所述晶圆的一面制备至少一层氮化硅光波导结构,所述氮化硅光波导结构由沉积的氮化硅薄膜经微...
  • 本发明公开了一种光伏组件制备方法及设备,光伏组件制备方法包括:将正面玻璃和第一胶膜预固定,形成预固定件;将电池片和连接结构按照预设的方式排布在预固定件的第一胶膜上;其中,电池片的正面与第一胶膜接触,连接结构至少包括互联件,电池片的背面与互联...
  • 本申请提出一种背接触太阳能电池的制备方法,包括:S100、在硅衬底的背面上依次制备隧穿氧化层和掺硼多晶硅层,制备时在掺硼多晶硅层的表面会形成BSG层;S200、对掺硼多晶硅层进行选择性刻蚀减薄,形成预设N型掺杂区域;S300、对硅衬底的背面...
  • 本发明公开一种埋沟式结型场效应管源极跟随器的像素单元及图像传感器。像素单元包含光电二极管PD、用于控制电荷先纵向、后横向进行两步转移的传输栅TG、浮动扩散节点FD、复位晶体管RST、行选通晶体管SEL以及埋沟式JFET SF;在传输栅TG与...
  • 本申请公开了一种传感器封装方法和传感器封装结构,涉及芯片封装技术领域,传感器封装方法包括:将复合材料成形为单片支撑结构,单片支撑结构包括具有预设封装尺寸且阵列分布的支撑体;将单片支撑结构固定于透光板;将支撑体和透光板的组合单元固定于芯片。上...
  • 本发明公开了一种有效降低串扰的TDI‑VPS结构及其制备方法。该结构包括第一掺杂层、第二掺杂层、感光电容MOS‑C部分、读取晶体管MOSFET部分、第一高浓度注入区域和第二高浓度注入区域,第二高浓度注入区域通过复位栅连接至第二掺杂层。在电荷...
  • 本申请提供一种双向光电响应场效应晶体管及其制备方法,晶体管器件采用金属‑铁电层‑金属‑绝缘层‑半导体层结构,包括:衬底;底栅,形成于所述衬底上;铁电层,所述铁电层采用铪锆氧化物,所述铁电层形成于所述底栅上;顶栅,形成于所述铁电层上;绝缘层,...
  • 本发明公开了一种基于钪基Ⅲ族氮化物的双极性紫外光电探测器,其结构从下到上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN外延层、AlN插入层、ScAlGaN势垒层、GaN帽层、SiNXX层,还包括阳极电极和阴极电极,阳极电极采用金属薄膜与SiNXX层接触...
  • 本发明公开了一种嵌入式等离子基元紫外光电探测器及其制备方法,主要解决现有氧化镓基紫外光电探测器无法在获得高光响应的同时兼顾较快的响应速度的问题。其包括:衬底、缓冲层、底电极、感光层和顶电极。该感光层采用自下而上依次为强N型宽禁带半导体β‑G...
  • 本发明公开一种具有终端结构和钝化层的β‑Ga22O33光电导开关及制备工艺,本发明通过在光触发区——掺铁氧化镓层的上下分别增加n型掺杂层,提高了电极的欧姆特性;同时将击穿点/电场密集点移动到n‑‑‑Ga22O33再生长层,方便加入终端结构;...
  • 本发明属于光热电探测器件技术领域,公开了一种异质结构的光热电探测器及其制备方法,光热电探测器包括由下至上依次设置的底电极、P型Si衬底、ZnO介电层、Ag22Se吸收层和顶电极;所述ZnO介电层和Ag22Se吸收层形成Type‑II异质结。...
  • 本申请适用于太阳能电池技术领域,提供了一种背接触电池组件及光伏系统。该背接触电池组件包括:第一电池串,第一电池串包括第一端部焊带和第一端部电池片,第一端部电池片通过第一端部焊带与端部汇流条电性连接,第一端部焊带中与第一端部电池片连接的一面背...
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