Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • p沟道GaN晶体管及其制备方法
    p沟道GaN晶体管及其制备方法_北京大学_202511336447.0
    本发明提供一种p沟道GaN晶体管及其制备方法，其中的晶体管包括：衬底、依次形成在所述衬底上的缓冲层、电子沟道层、势垒层、空穴沟道层、空穴浓度提升层、第一p型半导体层、设置在所述第一p型半导体层上的漏极、源极以及栅极；其中，所述栅极穿过所述空...
    2026-02-18
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202510641247.X
    本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包括：衬底之上的栅极结构；衬底中的源极/漏极结构；以及源极/漏极结构之上的接触结构。源极/漏极结构包括：第一掺杂剂掺杂区，其在衬底中具有以第一掺杂剂浓度掺杂的第一掺杂剂；第二掺杂剂掺杂区，其...
    2026-02-18
  • 具有鳍状结构的中压晶体管及其制作方法
    具有鳍状结构的中压晶体管及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411061988.2
    本发明公开一种具有鳍状结构的中压晶体管及其制作方法，具有鳍状结构的中压晶体管包含一基底，一鳍状结构凸出于基底的一表面，一栅极结构横跨鳍状结构，一源极设置于栅极结构的一侧并且埋入于鳍状结构中，一漏极设置于栅极结构的另一侧并且埋入于鳍状结构中，...
    2026-02-18
  • 氮化镓功率器件及其制造方法
    氮化镓功率器件及其制造方法_普瑞光电(厦门)股份有限公司_202511735903.9
    本发明实施例提供了氮化镓功率器件及其制造方法。所述氮化镓功率器件包括：衬底；碳掺杂氮化镓层，位于所述衬底上，所述碳掺杂氮化镓层的碳掺杂浓度大于或等于5E+18atoms/cm33；高温氮化镓层，位于所述碳掺杂氮化镓层背离所述衬底的一侧；Al...
    2026-02-18
  • 双向集成的氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法
    双向集成的氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法_西安电子科技大学_202511531892.2
    本发明公开了一种双向集成的氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法。该晶体管包括依次层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、势垒层和栅极；栅极包括交替设置的第一亚栅极区域和第二亚栅极区域；第一亚栅极区域在衬底上的正投影与势垒层的第一亚势垒区域在衬底上...
    2026-02-18
  • 晶体管及其制备方法
    晶体管及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511381010.9
    本公开提供了一种晶体管及其制备方法。该晶体管包括：缓冲层、沟道层、势垒层和电极结构；沟道层和势垒层依次层叠在缓冲层上，势垒层开设有底部位于沟道层的第一凹槽，电极结构位于势垒层上且通过第一凹槽与沟道层连接；缓冲层朝向所述沟道层的一面具有多个第...
    2026-02-18
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_广东中科半导体微纳制造技术研究院_202411088769.3
    本发明公开了一种半导体器件及其制备方法。本发明采用了闭合的栅极包围源极及源极相关的引/焊线区，或者，闭合的栅极包围漏极及漏极相关的引/焊线区，或者，闭合的栅极同时分别包围源极、漏极及其相关的引/焊线区，此方案可以在单颗芯片范围内实现源极和漏...
    2026-02-18
  • P型氧化碲薄膜场效应晶体管及其制备方法
    P型氧化碲薄膜场效应晶体管及其制备方法_复旦大学_202511759714.5
    本发明公开了一种P型氧化碲薄膜场效应晶体管及其制备方法，所述晶体管具有底栅顶接触结构。其制备方法首先对硅/二氧化硅衬底进行清洁处理，再利用金属掩模版和电子束蒸发法沉积一层氧化碲薄膜作为半导体有源层，最后通过掩膜版在有源层上制备一层50nm左...
    2026-02-18
  • 场效应晶体管的形成方法
    场效应晶体管的形成方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511759514.X
    本申请公开了一种场效应晶体管的形成方法，包括：通过光刻工艺进行刻蚀，在第一介质层中形成第一凹槽且使所述凹槽所在区域的臂状栅极结构暴露，第一介质层形成于衬底上且覆盖形成于衬底上的臂状栅极结构，第一凹槽的深度和宽度的比值大于4；在第一凹槽的周侧...
    2026-02-18
  • 非对称单沟道平面SiC MOSFET器件及制备方法
    非对称单沟道平面SiC MOSFET器件及制备方法_江苏宏微科技股份有限公司_202511734931.9
    本发明属于半导体功率器件技术领域，具体涉及一种非对称单沟道平面SiC MOSFET器件及制备方法。本发明的非对称单沟道平面SiC MOSFET器件及制备方法，在N+层次不需要保留小岛阻挡层，也不需要光刻版，将传统对称的双沟道元胞改为单沟道，...
    2026-02-18
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202511702504.2
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，制备方法包括：在衬底结构的第一表面形成第一区域和基区；在第一表面形成沟槽；沟槽至少贯穿第一区域和基区；在沟槽内形成第一栅极和应变层；第一栅极包括间隔设置的第一部分和第二部分，第一部分在第一侧壁上的垂直...
    2026-02-18
  • 沟槽栅半导体功率器件的制造方法
    沟槽栅半导体功率器件的制造方法_南通尚阳通集成电路有限公司_202511641926.3
    本发明公开了一种沟槽栅半导体功率器件的制造方法，包括：在第一外延层上形成第一硬质掩膜层。对第一硬质掩膜层进行图形化刻蚀以将栅极沟槽的形成区域打开。对第一外延层进行刻蚀形成栅极沟槽。去除第一硬质掩膜层之后再进行第一次热氧化工艺以在栅极沟槽的内...
    2026-02-18
  • 改善SGT功率器件漏电的工艺方法
    改善SGT功率器件漏电的工艺方法_青岛农业大学_202511357660.X
    本发明公开了一种改善SGT功率器件漏电的工艺方法，属于半导体器件制造技术领域。其技术方案为：该方法首先提供带深沟槽的衬底，接着依次通过热氧化工艺和CVD成膜形成深沟槽保护层、HDP填充、HDP刻蚀等多步工艺，利用刻蚀的高选择比，形成底部较厚...
    2026-02-18
  • 制造半导体器件的方法
    制造半导体器件的方法_瑞萨电子株式会社_202510963590.6
    本公开涉及制造半导体器件的方法。一种半导体器件的制造方法包括制备具有上表面和下表面的半导体衬底；在上表面上形成具有多个开口的第一掩模，该第一掩模被划分为第一区域和第二区域；形成第二掩模，该第二掩模暴露布置在第一区域中的第一掩模的一部分并且覆...
    2026-02-18
  • 半导体元件的制造方法和半导体元件
    半导体元件的制造方法和半导体元件_极光先进雷射株式会社_202510901021.9
    提供半导体元件的制造方法和半导体元件。半导体元件的制造方法包含以下步骤：在氧化镓类化合物上形成含锡氧化物膜，对含锡氧化物膜照射紫外线激光，由此在氧化镓类化合物中掺杂锡，在照射紫外线激光后的含锡氧化物膜上形成金属电极。
    2026-02-18
  • 一种半导体结构及形成方法
    一种半导体结构及形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411075795.2
    本公开实施例提供了一种半导体结构及形成方法，其中，方法，包括：提供形成有鳍部的基底，位于鳍部上的沟道材料叠层和位于沟道材料叠层上的多个源漏结构；去除相邻源漏结构之间暴露的部分沟道材料叠层，以剩余的沟道材料叠层为沟道叠层，以剩余的牺牲材料层为...
    2026-02-18
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411070692.7
    一种半导体结构的形成方法，包括：在衬底上形成凸立的伪鳍部后，在伪鳍部露出的衬底上形成初始隔离层，初始隔离层顶部与伪鳍部顶部相齐平，伪鳍部的材料与初始隔离层的材料具有刻蚀选择比，去除伪鳍部，在初始隔离层中形成凹槽，在凹槽中形成器件鳍部。与通过...
    2026-02-18
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411066732.0
    本公开提出了一种形成半导体结构的方法，涉及半导体技术领域，该方法包括：提供衬底结构，包括：位于衬底上相邻的两个鳍片，位于每个鳍片的侧面的隔离区，以及横跨两个鳍片且位于隔离区上的栅极结构，其中两个鳍片之间具有位于栅极结构的第一侧的第一间隙；形...
    2026-02-18
  • 一种离子敏感场效应晶体管及其制造方法
    一种离子敏感场效应晶体管及其制造方法_湖北九峰山实验室_202511667550.3
    本申请公开了一种离子敏感场效应晶体管及其制造方法，可用于半导体领域，该离子敏感场效应晶体管的栅极为三层结构；栅极包括第一材料层、第二材料层以及柱状阵列结构；第一材料层位于栅极靠近衬底的一侧，第二材料层位于栅极背离衬底的一侧，柱状阵列结构位于...
    2026-02-18
  • 一种弱关断IGBT
    一种弱关断IGBT_南京芯舟科技有限公司_202511758324.6
    本发明公开了一种弱关断IGBT，包括：第一半导体区、源体区、源区、第一导电材料、第一介质层、第二导电材料、第二半导体区、第三导电材料；第一导电材料作为弱关断IGBT的栅极；第二导电材料与源区、源体区相接触，作为弱关断IGBT的发射极；第三导...
    2026-02-18
首页 上一页 17 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证