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最新专利技术
  • 一种功率器件
    一种功率器件_物元半导体技术(青岛)有限公司_202610031155.4
    本申请提供一种功率器件，包括有源区，有源区有多个并联布置的元胞结构。单个元胞结构包括P型衬底、外延层、三个沟槽、栅氧层、多晶硅柱、N型发射区、发射极金属层和绝缘层。外延层形成于P型衬底，外延层包括N型外延层和形成于N型外延层顶部的P型体区。...
    2026-02-20
  • 半导体器件和半导体器件的制备方法
    半导体器件和半导体器件的制备方法_苏州华太电子技术股份有限公司_202511563518.0
    本申请公开了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，半导体器件包括有源层和复合栅极，有源层设置有沿第一方向延伸的沟槽；复合栅极包括沟槽栅极和水平栅极，沟槽栅极位于沟槽中，水平栅极设置在有源层的一侧，水平栅极包括互相连接的第一水平子栅和第二水平...
    2026-02-20
  • 半导体器件和半导体器件的制备方法
    半导体器件和半导体器件的制备方法_苏州华太电子技术股份有限公司_202511563484.5
    本申请提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法。一种半导体器件包括：集电极、超结区、场环区、体区、发射区、发射极、多个沟槽栅和多个沟槽屏蔽区。超结区设置于集电极上，超结区包括交替排列的第一柱区和第二柱区；场环区设置于第二柱区背离集电极的一...
    2026-02-20
  • 具有渐变掺杂漂移区和三维嵌入式集电区的平面栅碳化硅IGBT器件
    具有渐变掺杂漂移区和三维嵌入式集电区的平面栅碳化硅IGBT器件_中国南方电网有限责任公司超高压输电公司电力科研院_202511540205.3
    本发明公开了一种具有渐变掺杂漂移区和三维嵌入式集电区的平面栅碳化硅IGBT器件，该器件包括N型衬底材料，在N型衬底材料上依次通过外延工艺生长形成P+集电区、N型缓冲层、非穿通N型漂移区、第一漂移区、第二漂移区及顶部剩余区域，顶部剩余区域通过...
    2026-02-20
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_瑞萨电子株式会社_202510967508.7
    本公开涉及半导体装置及其制造方法。在接触孔中，层间绝缘膜的第一侧表面与第一导电膜的第二侧表面间隔开，使得第一导电膜的上表面的一部分从层间绝缘膜暴露。在接触孔中，绝缘膜的第三侧表面与第一导电膜的第二侧表面间隔开，使得第一导电膜的下表面的一部分...
    2026-02-20
  • 双极性结晶体管及其制作方法
    双极性结晶体管及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411054720.6
    本发明公开一种双极性结晶体管及其制作方法，其中双极性结晶体管包含一射极区、一基极区、一集极区以及多个鳍状结构。射极区设置于一基底上。基极区环绕射极区。集极区环绕基极区。多个鳍状结构设置于基极区且环绕射极区，其中多个鳍状结构固定地沿着一方向延...
    2026-02-20
  • 深层网格结的碳化硅肖特基二极管及其制造方法
    深层网格结的碳化硅肖特基二极管及其制造方法_成都芯电慧芯科技有限公司_202511701973.2
    本发明提供了一种深层网格结的碳化硅肖特基二极管及其制造方法，包括：N型衬底；N‑外延层，设置在N型衬底的一侧；P+离子注入层，设置在N‑外延层上；P+离子高浓度注入层，设置在N‑外延层上；N+离子注入层，设置在P+离子注入层上；P+离子低浓...
    2026-02-20
  • 一种氧化镓肖特基二极管终端器件及其制备方法
    一种氧化镓肖特基二极管终端器件及其制备方法_西安电子科技大学_202511583535.0
    本发明公开了一种氧化镓肖特基二极管终端器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：衬底；外延层，位于衬底的上表面，外延层的上表面呈现阶梯状，包括第一台阶区域和第二台阶区域，第二台阶区域包括多个间隔排布的第二场限环终端；第一台阶区域还包括多个...
    2026-02-20
  • 二极管及其制备方法、芯片、电子设备
    二极管及其制备方法、芯片、电子设备_比亚迪股份有限公司_202511401962.2
    本申请提供一种二极管及其制备方法、芯片、电子设备，通过二极管的阳极区中包括的缺陷结构，减少了二极管处于导通状态时所述阳极区的注入效率使二极管从导通状态切换为关断状态的过程中，从而减少了从漂移区流回阳极区的空穴数量，使二极管从导通状态切换到关...
    2026-02-20
  • 一种堆叠金属结构及其形成方法
    一种堆叠金属结构及其形成方法_华为技术有限公司_202411050993.3
    本申请涉及芯片技术领域，尤其涉及一种堆叠金属结构及其形成方法，堆叠金属结构包括有源区，所述有源区包括依次堆叠的衬底、第一金属层、导电阻挡层和第二金属层；其中，所述第一金属层与所述衬底之间的接触电势小于或等于所述第二金属层与所述衬底之间的接触...
    2026-02-20
  • 半导体器件及其制造方法、图像传感器及其制造方法
    半导体器件及其制造方法、图像传感器及其制造方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511685785.5
    本发明提供一种半导体器件及其制造方法、图像传感器及其制造方法，半导体器件包括：基底，基底中形成有导电层、绝缘层和沟槽；沟槽电容器，包括第一电极板、第一介质层、第二电极板、第二介质层和第三电极板，第一电极板从沟槽的侧壁延伸至沟槽外围的基底上；...
    2026-02-20
  • 电容器件及其制备方法、电子设备
    电容器件及其制备方法、电子设备_上海积塔半导体有限公司_202511544462.4
    本申请涉及一种电容器件及其制备方法、电子设备，包括：衬底；衬底的顶面上包括：沿背离衬底的方向依次层叠的第一金属层、绝缘叠层和第二金属层；绝缘叠层包括具有不同硅含量和介电常数的多个介质层；多个介质层设置为：靠近并与第一金属层、第二金属层接触的...
    2026-02-20
  • 一种小型化模块化宽带数字射频存储微系统
    一种小型化模块化宽带数字射频存储微系统_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511578276.2
    本发明公开一种小型化模块化宽带数字射频存储微系统，通过模块化设计，融合多种工艺手段，实现宽带数字射频存储微系统的高密度三维集成。微系统从功能层面涵盖射频接收、下变频、模数转换、数字信号处理、信号存储、模数转换、上变频与射频发射的全系统能力；...
    2026-02-20
  • 具有凸块下金属化的扇出半导体封装
    具有凸块下金属化的扇出半导体封装_爱思开海力士有限公司_202510699888.0
    本公开涉及具有凸块下金属化的扇出半导体封装。半导体封装包括：连接件，其连接到半导体芯片；第一再分布层，其包括第一再分布图案；第二再分布层，其包括第二再分布图案；以及凸块下金属化UBM焊盘，其设置在所述第二再分布层上；所述第二再分布图案包括与...
    2026-02-20
  • 封装结构、封装结构的制备方法、存储器及存储系统
    封装结构、封装结构的制备方法、存储器及存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411046349.9
    本申请涉及封装结构技术领域，公开了一种封装结构、封装结构的制备方法、存储器及存储系统，封装结构包括：封装基板；多个半导体芯片，沿第一方向堆叠设置在封装基板的一侧，多个半导体芯片错位分布，多个半导体芯片包括第一半导体芯片和位于第一半导体芯片和...
    2026-02-20
  • 半导体器件的形成方法和半导体器件
    半导体器件的形成方法和半导体器件_新存科技(武汉)有限责任公司_202511602062.4
    本申请公开了一种半导体器件的形成方法和半导体器件，先在衬底上形成存储单元、位于存储单元上的导电线、以及位于相邻存储单元之间和相邻导电线之间的初始间隔层。然后对初始间隔层进行离子注入形成间隔层，间隔层包括第一间隔部和位于第一间隔部上的第二间隔...
    2026-02-20
  • 半导体器件的形成方法和半导体器件
    半导体器件的形成方法和半导体器件_新存科技(武汉)有限责任公司_202511585870.4
    本申请公开了一种半导体器件的形成方法和半导体器件，在衬底上形成存储单元层和位于存储单元层上的掩模层，存储单元层包括第一电极层，第一电极层包括第一电极部和第二电极部，第二电极部位于第一电极部背离衬底的一侧，掩模层位于第二电极部背离衬底一侧的表...
    2026-02-20
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_新存科技(武汉)有限责任公司_202511490223.5
    本申请公开了一种半导体器件及其形成方法，半导体器件包括位于衬底上的第一存储结构、导电线和第二存储结构。第一存储结构包括若干第一存储阵列和第一触点结构，第一触点结构在第一方向上位于相邻两个第一存储阵列之间。导电线位于第一存储结构背离衬底的一侧...
    2026-02-20
  • 相变存储器及其形成方法
    相变存储器及其形成方法_新存科技(武汉)有限责任公司_202311703931.3
    本公开提供了一种相变存储器及其形成方法，所述形成方法包括：提供布线层；所述布线层至少包括沿第一方向延伸的顶部金属层；所述第一方向垂直于第二方向，所述第二方向为所述布线层的厚度方向；在所述布线层上形成沿所述第二方向延伸的接触结构；所述接触结构...
    2026-02-20
  • 相变存储器及其制造方法、电子设备
    相变存储器及其制造方法、电子设备_新存科技(武汉)有限责任公司_202311661106.1
    本公开实施例公开了一种相变存储器及其制造方法、电子设备，其中，相变存储器包括：沿第一方向延伸的第一导电线、沿第二方向延伸的第二导电线以及沿第三方向设置于第一导电线和第二导电线之间的相变存储单元；其中，第一方向和第二方向均垂直于第三方向，第一...
    2026-02-20
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