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最新专利技术
  • 一种封装结构、形成方法及集成电路结构
    一种封装结构、形成方法及集成电路结构_成都海光集成电路设计有限公司_202510177163.5
    本申请实施例提供了一种封装结构、形成方法及集成电路结构，其中，封装结构的形成方法，包括：提供初始封装结构，所述初始封装结构包括基板和位于基板上的第一芯片；在所述第一芯片上设置多个相互邻接的导热片，所述导热片与所述第一芯片之间填充有助焊剂，且...
    2026-02-11
  • 一种散热结构、形成方法及封装结构
    一种散热结构、形成方法及封装结构_海光云芯集成电路设计(上海)有限公司_202411289957.2
    本申请实施例提供了一种散热结构、形成方法及封装结构，其中，散热结构的形成方法，包括：提供散热盖，所述散热盖包括基底和环绕在所述基底边缘的侧壁，所述侧壁突出于所述基底；其中，所述散热盖的基底包括固定区和环绕所述固定区的阻挡区；在所述阻挡区形成...
    2026-02-11
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411040468.3
    一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括：第一基底，所述第一基底具有相对的第一面和第二面；第一器件层，位于所述第一基底的第一面上；导热层，位于所述第一基底的第二面上，所述导热层具有至少一个裸露在外的导热侧壁；第二基底，位于所述导热层背向所...
    2026-02-11
  • 半导体装置和制造半导体装置的方法
    半导体装置和制造半导体装置的方法_爱思开海力士有限公司_202411681224.3
    本申请涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。一种制造半导体装置的方法包括以下步骤：通过交替地层叠第一材料层和第二材料层来形成层叠物；形成延伸穿过层叠物的分离牺牲层；形成延伸穿过层叠物和分离牺牲层的沟道结构；形成延伸穿过层叠物的狭缝；通过经由...
    2026-02-11
  • 裸片单元和包括裸片单元的半导体封装件
    裸片单元和包括裸片单元的半导体封装件_三星半导体(中国)研究开发有限公司_202511604046.9
    提供了裸片单元和包括裸片单元的半导体封装件。所述裸片单元包括：第一裸片，具有在第一方向上彼此相对的第一有源表面和第一无源表面；接合件，在与第一方向垂直的第二方向上与第一裸片叠置并与第一裸片电绝缘；接合层，在接合件上，在第二方向上与第一裸片叠...
    2026-02-11
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202411466067.4
    本发明提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括第一晶片。第一晶片包括第一互连层、设置在第一互连层上的第一导电层、覆盖第一导电层的第一介电层以及嵌入第一介电层中并延伸到第一导电层中的第一接合垫。制造半导体结构的方法包括以下操作。形成第一...
    2026-02-11
  • 芯片及其制作方法、电子设备
    芯片及其制作方法、电子设备_华为技术有限公司_202411027135.7
    本申请提供一种芯片及其制作方法、电子设备，涉及芯片领域，该芯片通过采用一种“上小下大”的金属接触孔，能够增大背部硅通孔与金属接触孔底部的准时工艺窗口。该芯片包括衬底、第一金属走线层、第二金属走线层、金属接触孔、背部硅通孔。衬底上设置有介质层...
    2026-02-11
  • 一种基于叠层结构的TSV转接板及其制备方法
    一种基于叠层结构的TSV转接板及其制备方法_北京遥测技术研究所_202511320069.7
    本发明提供一种基于叠层结构的TSV转接板及其制备方法，TSV结构包括从外至内依次连接的电荷阻挡层、电荷缓冲层、绝缘层、种子层和导电层。本发明设计了电荷缓冲层和电荷阻挡层的存在，当在导电材料中施加电流时，泄露的电流通过量子隧穿效应穿过绝缘层进...
    2026-02-11
  • 深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件
    深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件_广州增芯科技有限公司_202511597372.1
    一种深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件，涉及半导体技术领域。该深沟槽隔离结构包括衬底，衬底上表面内凹形成具有第一深度的深沟槽；衬底的上表面还内凹形成具有第二深度的环形槽，环形槽围合于深沟槽的外周，且第一深度大于第二深度；深沟槽内部填充隔...
    2026-02-11
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_重庆芯联微电子有限公司_202511379757.0
    本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，衬底具有核心器件区和输入输出器件区，核心器件区与输入输出器件区之间具有第一浅沟槽隔离结构，第一浅沟槽隔离结构的顶表面高于衬底的表面，且第一浅沟槽隔离结构的部分侧壁暴露；形成保护层，保护层覆...
    2026-02-11
  • 先进半导体装置的浅沟槽隔离中形成自转化支撑板的方法
    先进半导体装置的浅沟槽隔离中形成自转化支撑板的方法_南亚科技股份有限公司_202411361892.8
    本发明提供一种先进半导体装置的浅沟槽隔离中形成自转化支撑板的方法，其中以光刻工艺在硅基板上定义主动区域后，施加额外的光掩膜以在STI刻蚀工艺期间形成支撑板图案层于欲进行STI刻蚀的区域，并形成STI沟槽。经STI刻蚀后，在STI沟槽内形成微...
    2026-02-11
  • 基于异质金属加工的半导体加热盘结构
    基于异质金属加工的半导体加热盘结构_晶斐(徐州)半导体科技有限公司_202511648566.X
    本发明公开了基于异质金属加工的半导体加热盘结构，涉及半导体加热盘结构技术领域，包括：主体单元，其包括工作台以及固定连接在工作台上表面的连接框，所述工作台下表面固定连接有支座；本发明利用驱动电机，使驱动电机带动加热盘本体整体进行转动，进一步，...
    2026-02-11
  • 立式炉管设备及其温度控制方法
    立式炉管设备及其温度控制方法_河南东微电子材料有限公司_202511636121.X
    本发明提供一种立式炉管设备及其温度控制方法，立式炉管设备包括：炉体；晶舟，沿高度方向上承载多层晶圆，多层晶圆分为N个高度区域；多个气体注射管，用于分别向每个高度区域注入气体；多个调节阀，用于调节对应的气体注射管的气体流量；多个温度检测装置，...
    2026-02-11
  • 半导体衬底及其制备方法
    半导体衬底及其制备方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511339371.7
    本公开提供了半导体衬底及其制备方法，所述制备方法包括：对掺杂氮元素的硅基板进行热处理，使所述硅基板中的氮元素向所述硅基板的表面扩散，以由所述氮元素在所述硅基板的所述表面形成具有预定尺寸的形核位点；在所述形核位点上生长多晶硅薄膜，以形成半导体...
    2026-02-11
  • 一种碳化硅晶圆减薄方法
    一种碳化硅晶圆减薄方法_重庆伟特森电子科技有限公司_202511297489.8
    本发明属于碳化硅加工技术领域，具体公开了一种碳化硅晶圆减薄方法，包括以下步骤：S1.将第一激光束的焦点对准碳化硅晶圆预设深度的剥离平面，剥离平面的碳化硅晶圆吸收激光能量，形成改性点，并通过激光照射扫描方式将各改性点连通形成改性层；S2.通过...
    2026-02-11
  • 一种降低贵金属硬掩模图形转移后金属痕量残留的方法
    一种降低贵金属硬掩模图形转移后金属痕量残留的方法_中国科学院微电子研究所_202511579549.5
    本发明提供一种降低贵金属硬掩模图形转移后金属痕量残留的方法。本发明的方法包括如下步骤：S1：在功能材料层上依次形成第二硬掩模、第一硬掩模和贵金属硬掩模，第一硬掩模与第二硬掩模的材料不同；S2：光刻、刻蚀，在贵金属硬掩模上形成图形；S3：干法...
    2026-02-11
  • 基于超分辨光刻与导向自组装的图形结构制备方法
    基于超分辨光刻与导向自组装的图形结构制备方法_中国科学院光电技术研究所_202511402355.8
    本发明涉及半导体光刻技术领域，公开了基于超分辨光刻与导向自组装的图形结构制备方法，包括：S1、在衬底上形成依次堆叠的导向层、反射金属层和感光膜层；S2、采用超分辨光刻设备对感光膜层曝光、显影，在感光膜层上形成光刻图形；S3、依次刻蚀反射金属...
    2026-02-11
  • 足部效应缺陷的改善方法
    足部效应缺陷的改善方法_宁波众芯半导体有限公司_202411045463.X
    一种足部效应缺陷的改善方法，所述方法包括：形成多个半导体初始结构；在各个半导体初始结构上分别形成厚度依次增大的光刻胶层，且厚度均值为预设的基准厚度；对各个光刻胶层进行曝光显影处理，以得到处理后光刻胶层；确定足部效应缺陷最小的一个或多个处理后...
    2026-02-11
  • 一种降低边缘堆胶隆起的晶圆涂胶方法
    一种降低边缘堆胶隆起的晶圆涂胶方法_沈阳芯源微电子设备股份有限公司_202411020357.6
    本发明涉及一种降低边缘堆胶隆起的晶圆涂胶方法，其先对晶圆进行一次涂胶作业，然后将晶圆转速降至R1，并在R1转速下对晶圆边缘进行一次冲洗洗边处理并冲洗出第一凹槽，然后将晶圆转速提升至R2，并在R2转速下对晶圆边缘的第一凹槽槽底进行二次冲洗洗边...
    2026-02-11
  • 一种N型硅外延片汞C-V测试前的处理方法
    一种N型硅外延片汞C-V测试前的处理方法_麦斯克电子材料股份有限公司_202511512666.X
    一种N型硅外延片汞C‑V测试前的处理方法，本发明通过对完成外延生长的N型硅外延片依次用氢氟酸溶液、碱性清洗液以及酸性清洗液对N型硅外延片处理并进行干燥后，将干燥处理后的N型硅外延片转移至干法Pre‑CV处理区域，并在N型硅外延片表面生长氧化...
    2026-02-11
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