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  • 本发明公开了一种玻璃制品表面加工用真空镀膜机,涉及真空镀膜技术领域,包括固定舱筒、活动舱筒、抽空机组、托架组件、若干工件架和电控单元,所述活动舱筒安装在固定舱筒上,所述托架组件与工件架设置于活动舱筒中,所述抽空机组与固定舱筒相连接,所述电控...
  • 本发明公开了一种腔体真空扫除器,具体涉及工业清洁技术领域,本发明的一种腔体真空扫除器,包括吸嘴、金属管、密封螺栓、快插接头、接口和手柄,金属管由九组并经过密封螺栓螺纹相连装配而成,金属管的两端分别贯穿设置在吸嘴和快插接头的内部,手柄固定安装...
  • 本申请涉及真空镀膜机技术领域,具体公开了一种融合红外测温的光学薄膜镀膜温度控制方法及系统。该方法包括:根据目标膜系工艺要求与基片几何特征选择温度监测策略,调用基片质量映射模型、测量角度集及角度‑区域映射表;在镀膜过程中遍历测量角度集采集温度...
  • 本发明的蒸镀功率调控装置包括驱动电子枪、感温组件、状态计算组件和功率控制组件。驱动电子枪设置于蒸镀腔体内部并位于金属源的一侧。感温组件设置于蒸镀腔体内部并位于金属源的斜上方和/或斜下方。状态计算组件与感温组件通信连接。功率控制组件分别与状态...
  • 本发明提供基于纳米增强的高稳定性蓝宝石摆片处理系统,通过中央控制单元与五个功能模块的协同作用,使纳米材料分散处理、激光蚀刻、镀膜沉积等关键工序形成闭环反馈机制,通过预处理模块的纳米复合浆料均匀化处理结合光子控制模块的精密图案化蚀刻工艺,显著...
  • 本发明涉及光学材料镀膜技术领域,提供了一种基于自反馈的光学材料镀膜系统及方法,包括机体,机体上开设有机腔,机腔内设有激光镀膜机构、加工台机构和活动清洁机构;所述加工机构包括加工板,加工板固接于机腔内壁,加工板上开设有两个以上容纳槽;所述清洁...
  • 本发明公开了一种具有基材翻面旋转机构的真空镀膜机,涉及镀膜技术领域,左侧所述夹持适应机构包括固定连接在连接盘右侧上的四个连接杆、气缸和两个固定条,四个所述连接杆的右端之间固定连接有挡板,所述气缸的输出端固定连接有传动块,所述传动块的顶部固定...
  • 本发明公开了一种高效冷却磁控溅射源、磁控溅射镀膜设备及冷却优化方法,涉及薄膜气相沉积技术领域,高效冷却磁控溅射源包括磁控溅射靶和设于其一侧的冷却板,所述冷却板和所述磁控溅射靶紧密贴合,所述冷却板由高热导性材料制成,所述冷却板远离所述磁控溅射...
  • 本发明涉及溅射技术领域,具体为一种加热冷却集成型八边溅射机,包括主腔体以及安装在其外侧的反应腔,且主腔体的前侧中部位置安装有处理腔,而且处理腔的上方固定有相机,所述主腔体的内部安装有夹送运输机构,所述处理腔的左右两侧均设置有与主腔体相连接的...
  • 本申请涉及光学镀膜技术领域,具体公开了一种渐变膜层消色差光学薄膜的制备方法,包括如下步骤:S1、基底经清洗预处理,得到预处理基底;S2、预处理基底表面交替沉积二氧化硅层和二氧化钛层,总沉积4‑6层,得到覆膜玻璃;S3、覆膜玻璃采用离子束抛光...
  • 本发明涉及一种基于剥离层的钽酸锂超构表面聚焦离子束加工方法。(1)清洗;(2)沉积剥离层;(3)在剥离层上沉积Cr‑Pt共溅射混合掩膜;(4)退火处理,刻蚀超构表面;(5)安全剥离Cr‑Pt共溅射混合掩膜,清洗后,完成器件的加工。该方法不仅...
  • 一种氧溶质梯度非晶态高熵合金氧化涂层的制备方法,包括以下步骤:通过磁控溅射方式在基体的表面沉积高熵合金涂层后,冷却至室温;将含有高熵合金涂层的基体放入氧化炉中,在空气氛围下进行热氧化后,并随炉冷却至室温,以得到AlCrYTiZrO高熵氧化涂...
  • 本发明公开了一种钼合金靶材及其制备方法和应用。该钼合金靶材由钼和铬组成,以原子百分含量表示,铬的含量为5~20%,余量为钼和不可避免的杂质。将两种原料和纳米炭进行混料或球磨处理,得到混合粉末原料;将所得混合粉末原料装入石墨或碳纤维模具,置入...
  • 本发明公开了一种冰裂花纹涂层的制备方法,涉及到材料表面处理的技术领域。一种冰裂花纹涂层的制备方法,先对基材进行预处理,然后置于150‑250℃的环境下进行沉积,形成底色层;再置于200‑300℃的环境下进行沉积,形成透明层;最后在(‑80)...
  • 本发明公开了一种用于真空磁控溅射镀膜机的工件转移装置,包括箱体,所述箱体上固定连接有推把,所述箱体上设置有多工位夹持机构;所述多工位夹持机构包括气缸、驱动板和长推杆,所述气缸转动连接在箱体内,所述气缸的活动端转动连接有驱动杆,所述驱动杆的一...
  • 本发明公开了一种多腔室磁控溅射连续镀膜机,包括第一取料传输模组与第二取料传输模组,所述第二取料传输模组一端设置有限位组件,所述第一取料传输模组与第二取料传输模组底端均对称固定安装有支撑架,且两组支撑架中部固定安装有安装架;本发明通过转动电机...
  • 本公开内容的多个实施方式涉及通过减少沉积膜的悬垂部来扩大基板特征结构的开口宽度的方法。本公开内容的一些实施方式利用高能量偏压脉冲来蚀刻基板特征结构的开口附近的沉积膜。本公开内容的一些实施方式在不损坏下面的基板的情况下蚀刻沉积膜。
  • 本发明涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种薄膜制备方法及半导体工艺设备。薄膜制备方法包括:通气步,向工艺腔室内通入第一工艺气体;轰击步,离化第一工艺气体以产生等离子体轰击靶材,并控制电磁铁工作以在工艺腔室内产生动态磁场;沉积步,靶材被轰击...
  • 本公开提供了一种电子束镀膜设备,属于PVD镀膜领域。该电子束镀膜设备,其包括上料腔室、工艺腔室、过渡腔室和伞架流转机构;上料腔室用于容纳并定位携带晶圆的伞架;工艺腔室用于在真空条件下对晶圆进行镀膜处理;过渡腔室设置于上料腔室与工艺腔室之间,...
  • 本申请涉及蒸镀技术领域,本申请提供一种基板调整装置及蒸镀机,基板调整装置包括支撑组件、微动平台、升降机构和第二升降杆,支撑组件包括承托架和设于承托架上的承托板,承托板用于承托基板,微动平台用于微调基板的位置,升降机构包括第一升降杆与连杆机构...
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