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  • 本发明公开了一种短波长红外光电探测器,包括自下而上依次层叠的衬底、n型欧姆接触层、腐蚀停止层、n型次欧姆接触层、渐变层、吸收层、电子势垒层、p型欧姆接触层和制作在p型欧姆接触层的上表面上的p型电极;p型欧姆接触层为厚度小于50nm的InGa...
  • 本发明公开了一种宽光谱红外光电探测器,包括自下而上层叠的衬底、n型欧姆接触层、渐变层、吸收层、电子势垒层以及p型欧姆接触层;所述电子势垒层的材料为AlAsSb,AlAsSb的带隙较大,不吸收短波长的红外光,使得更短波长的红外光能到达吸收层。...
  • 本发明提供了太阳能组件排布方法及四串矩形电池片排布结构。其铺开能达到较好性能和平衡。其分上下对称两块,每一块有2串电池,四串的起点和终点分列两边,从内到外层层包裹,内串和外串中间部分分别是单串的转折排布方式;再加上两个侧列,把内串包住,各串...
  • 本发明提供一种太阳能电池、太阳能电池串、太阳能电池组件和光伏系统。该太阳能电池包括半导体基底和第一栅线,半导体基底上的第一表面设置有第一区域,第一区域上设置有第一掺杂层;第一栅线设置在第一掺杂层上并连接到第一汇流点,第一栅线还连接有第一端头...
  • 本申请提供一种电压可调的光伏电池及其制备方法,涉及光伏电池技术领域。该电压可调的光伏电池包括:衬底;多个子电池,各子电池依次层叠设置于衬底上,每个子电池的上表面均具有位于上方相邻的子电池之外的台阶面;多个隧道结,每相邻两个子电池之间设置一隧...
  • 本发明公开一种光伏组件反光汇流条结构及其加工方法,涉及光伏设备技术领域;反光汇流条呈长条状,具有两个相对设置的表面,其一为焊接面,另一为非焊接面;非焊接面为曲面构造,曲面构造不同于平面结构,沿反光汇流条的宽度方向与厚度方向形成凸起与凹陷的连...
  • 本申请公开了一种光伏组件,包括:第一玻璃、第二玻璃以及电池单元,第一玻璃和第二玻璃层叠设置,电池单元设于第一玻璃和第二玻璃之间;第一玻璃和第二玻璃通过焊线固定连接,焊线包括直线形焊线和弧形焊线,弧形焊线位于直线形焊线上和/或直线形焊线的延长...
  • 本申请涉及太阳电池技术领域,尤其涉及一种背接触太阳电池及背接触光伏组件。背接触太阳电池包括电池本体、焊盘组以及集电栅线。两种极性的焊盘组沿第一方向交替间隔设置在电池本体的背面上;各焊盘组包括沿第二方向间隔设置的多个极性相同的焊盘。两种极性的...
  • 本公开涉及光伏领域,提供一种光伏组件,包括:相对设置的第一基板和第二基板,第一基板具有相对的第一面和第二面,其中,第一面位于第一基板远离第二基板的一侧,第一面形貌呈凹凸结构;电池串以及封装层,电池串以及封装层位于第一基板与第二基板之间,封装...
  • 本发明公开了一种用于光伏组件层压工艺的热敏排气凸台垫及其使用方法,属于光伏组件封装技术领域。该凸台垫包括柔性基底层以及设置在所述基底层表面的凸台阵列,基底层具有多个用于导流排气的孔洞结构;所述凸台阵列在平面内呈中心区域向周缘区域逐渐降低的高...
  • 本申请涉及光伏技术领域,具体而言,涉及一种光伏组件及制造方法、光伏发电系统。光伏组件包括:层叠设置的第一耐候层、第一封装胶膜、电池层、第二封装胶膜和第二耐候层;其中,第一封装胶膜包括:第一基体层,设置于第一耐候层和电池层之间;第一基体层包括...
  • 本发明公开了一种PVT组件及其一体化封装工艺,其中,一体化封装工艺包括以下步骤:保护处理:对PV组件的边缘区域和电气部件区域进行覆盖保护;界面处理:在PV组件的背面进行界面处理;集热器安装:将集热器安置于经界面处理后的PV组件背面;压紧贴合...
  • 本发明公开了一种异质结电池及其制备方法,属于太阳电池领域。该异质结电池包括硅衬底,硅衬底制绒后的表面由内至外依次设置有氧化硅‑非晶硅融合钝化层、本征硅种子层和本征硅主体层;氧化硅‑非晶硅融合钝化层包括氧化硅本体和非晶硅沉积物,氧化硅本体具有...
  • 本发明公开了一种太阳电池及其制备方法,属于太阳电池技术领域。该太阳电池中,透明导电层包括在掺杂硅层表面由内至外设置的In22O33主体层和In混合层;In混合层的厚度为0.8Å~30Å;In混合层包括In原子区域以及In22O33区域,其中...
  • 本发明公开了一种太阳电池及其制备方法,属于太阳电池技术领域。该太阳电池包括硅衬底;该衬底正面设置的第一透明导电层包括由内至外依次层叠设置的第一TCO本体层及第一含In层,第一含In层包括对应栅线区域的第一In单质层及对应非栅线区域的第一In...
  • 本发明涉及太阳能电池技术领域,具体而言,涉及太阳能电池及其制备方法,该太阳能电池的n型掺杂层和p型掺杂层两者中的至少一者为复合掺杂层,复合掺杂层包括微晶硅层和形成于微晶硅层的高度非晶化层;且形成于复合掺杂层的第一透明导电层或第二透明导电层包...
  • 本申请提供了一种太阳电池及其制备方法,太阳电池包括硅衬底、第一本征非晶硅层、N型掺杂晶硅层、第二本征非晶硅层、P型掺杂晶硅层、第一电极和第二电极;硅衬底具有相对的第一表面和第二表面;第一本征非晶硅层、N型掺杂晶硅层和第一电极依次层叠设于硅衬...
  • 本发明涉及太阳电池技术领域,公开一种异质结太阳电池及其制备方法、光伏组件。所述异质结太阳电池包括:硅基底;第一钝化层,所述第一钝化层位于所述硅基底上;缓冲层,所述缓冲层设置于所述第一钝化层背离所述硅基底的一侧表面,所述缓冲层中包括晶体结构,...
  • 本发明涉及同位素电池技术领域并公开一种半导体换能器件及其制备方法、同位素电池,所述半导体换能器件包括P型金刚石衬底,所述P型金刚石衬底的表面附着有N型三维纳米膜,其中,所述N型三维纳米膜是由N型半导体前驱体经电解氧化后形成。所述半导体换能器...
  • 本发明公开了一种无铅钙钛矿Si叠层结构太阳能电池及其制备方法,电池结构自下而上依次为:底电极、电子传输层ETL、光吸收层、空穴传输层HTL、顶电极;所述电子传输层ETL为N型宽禁带半导体或SiC;空穴传输层HTL为P型宽禁带半导体金刚石或G...
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