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最新专利技术
  • 存储设备的测试方法、测试装置、计算机可读存储介质
    存储设备的测试方法、测试装置、计算机可读存储介质_深圳市江波龙电子股份有限公司_202410996060.7
    本申请公开了存储设备的测试方法、测试装置、计算机可读存储介质。应用于测试装置，测试装置与存储设备通信连接，用于对存储设备进行测试，方法包括：根据预置编码规则对待写入数据进行压缩编码，得到第一基准编码数据；将第一基准编码数据存储至测试装置的存...
    2026-03-20
  • 一种自动检测Flash颗粒类型的方法、数据读取装置、电子设备及介质
    一种自动检测Flash颗粒类型的方法、数据读取装置、电子设备及介质_青芯科技(无锡)有限公司_202511502476.X
    本发明公开一种自动检测Flash颗粒类型的方法，其在开始上电后，Flash上电自检状态机切换至第一QSPI控制器配置类型，并读取Flash颗粒中的固定值，将读取到的值与预设值比较，若一致，则读取Flash颗粒的数据，上电启动，若不一致，Fl...
    2026-03-20
  • 内存测试方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质
    内存测试方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质_皇虎测试科技(深圳)有限公司_202511961258.2
    本申请提供了一种内存测试方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，属于内存测试技术领域。该方法包括：获取应用核数量，对各个应用核进行标号；获取待测内存的内存测试范围，根据内存测试范围和应用核数量为各应用核分配多个待测块，对各应用核被分配的各...
    2026-03-20
  • 一种固态存储器后端回环测试方法
    一种固态存储器后端回环测试方法_山东华芯半导体有限公司_202511685595.3
    本发明涉及固态存储领域，具体是一种固态存储器后端回环测试方法。本方法将回环测试接口的实现与上层主要业务逻辑分离，使得在保留后端处理流程架构的基础上，仅适当修改初始化步骤并替换闪存控制器相关寄存器操作的回调函数就可以从正常固件运行模式切换到回...
    2026-03-20
  • 一种存储设备异常掉电重建数据的方法、设备及介质
    一种存储设备异常掉电重建数据的方法、设备及介质_珠海妙存科技有限公司_202511249961.0
    本申请公开一种存储设备异常掉电重建数据的方法、设备及介质，首先获取存储设备中待重建的、含多个物理块的虚拟数据块；再将物理块中相同物理位置的字线组成同步编程字线组，每条字线含多个闪存页；接着按闪存页的页数顺序从后往前的顺序读取闪存页。若读取当...
    2026-03-20
  • 在单元阵列结构中包括反熔丝单元阵列的存储器装置
    在单元阵列结构中包括反熔丝单元阵列的存储器装置_三星电子株式会社_202510565212.2
    提供了一种在单元阵列结构中包括反熔丝单元阵列的存储器装置。该存储器装置包括：核心外围电路结构，其包括第一接合金属焊盘；以及单元阵列结构，其布置在核心外围电路结构上方并且包括与第一接合金属焊盘接触的第二接合金属焊盘。单元阵列结构包括多个存储器...
    2026-03-20
  • 跟踪字线电压的参考电流产生电路和非易失存储器
    跟踪字线电压的参考电流产生电路和非易失存储器_南京优存科技有限公司_202511959364.7
    本公开提供了一种跟踪字线电压的参考电流产生电路和非易失存储器。该参考电流产生电路包括电压钳位电路，以及与电压钳位电路电连接的矫正电压调整电路、读操作电流产生电路和电流镜电路；矫正电压调整电路用于接入输入电压，并在输入电压的驱动下产生矫正电压...
    2026-03-20
  • 非易失存储器及其参考电流产生电路
    非易失存储器及其参考电流产生电路_南京优存科技有限公司_202511959298.3
    本公开提供了一种非易失存储器及其参考电流产生电路。该参考电流产生电路包括依次电连接的电压采样电路、跟踪电流产生电路、第一电流镜电路和第二电流镜电路；电压采样电路用于接入非易失存储器中的存储单元的读操作电压，并在读操作电压的驱动下生成采样电压...
    2026-03-20
  • 跟踪位线电压的参考电流产生电路和非易失存储器
    跟踪位线电压的参考电流产生电路和非易失存储器_南京优存科技有限公司_202511959256.X
    本公开提供了一种跟踪位线电压的参考电流产生电路和非易失存储器，非易失存储器包括位线钳位电路，位线钳位电路用于在读操作前将位线电压设置为预设电压值，参考电流产生电路包括电连接的跟踪电流产生电路和恒定电流产生电路；恒定电流产生电路用于基于接入的...
    2026-03-20
  • 存储器及操作方法
    存储器及操作方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511575267.8
    本申请公开了一种存储器及操作方法，该存储器包括存储单元、温度检测电路以及校验参数调整电路，校验参数调整电路与温度检测电路连接，通过检测存储器的工作温度，根据工作温度生成用于调整存储单元的阈值电压的校验参数，来增加读电压与阈值电压和/或校验电...
    2026-03-20
  • 一种存储器及其操作方法
    一种存储器及其操作方法_兆易创新科技集团股份有限公司_202410993352.5
    本申请公开了存储器及其操作方法，所述存储器包括多条全局译码连接线以及多条位线，所述操作方法包括：将所述多条位线中包括连接选定存储单元的目标位线以及与所述目标位线相邻的m‑1条位线在内的选定位线组中的m条位线，分别连接至m条全局译码连接线，m...
    2026-03-20
  • 存储块的擦除方法及存储器
    存储块的擦除方法及存储器_兆易创新科技集团股份有限公司_202410986569.3
    本申请公开了一种存储块的擦除方法及存储器。该擦除方法包括：基于擦除指令对存储块执行擦除操作；对擦除操作完成后的中间数据字线进行擦除验证操作；响应于中间数据字线未通过擦除验证操作，擦除操作的循环次数加一，并调整擦除操作的擦除电压，返回再次执行...
    2026-03-20
  • 一种基于沟道热电子诱导热空穴注入的非易失性存储器快速擦除方法及其应用
    一种基于沟道热电子诱导热空穴注入的非易失性存储器快速擦除方法及其应用_浙江大学_202511951196.7
    本发明公开一种基于沟道热电子诱导热空穴注入的非易失性存储器快速擦除方法及其应用，是在带有分裂栅的非易失性闪存存储器中，选择栅MG和存储节点MS开启下施加正源极电压、正漏极电压与负存储栅电压，以在沟道内产生高能沟道热电子；通过沟道热电子的碰撞...
    2026-03-20
  • 存储器操作方法
    存储器操作方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511415527.5
    本发明提供一种存储器操作方法，应用于包括多个分离栅浮栅器件的存储器阵列。该方法包括：对与待编程的目标存储部分连接的目标位线施加第一电压；对与目标字线上待进行编程抑制的至少第一和第二抑制存储部分连接的第一和第二位线，分别施加电平互不相同的第二...
    2026-03-20
  • 一种存储器系统、存储器系统的形成方法及封装结构
    一种存储器系统、存储器系统的形成方法及封装结构_长江存储控股股份有限公司_202410924239.1
    本申请提供了一种存储器系统、存储器系统的形成方法及封装结构，涉及半导体芯片技术领域。该存储器系统包括存储器和处理电路，存储器和处理电路通过接口电路耦接。接口电路包括第一接口电路和第二接口电路，存储器包括存储阵列和与存储阵列耦接的外围电路。其...
    2026-03-20
  • 半导体器件及其操作方法、系统、计算机可读存储介质
    半导体器件及其操作方法、系统、计算机可读存储介质_长江存储控股股份有限公司_202410940838.2
    本公开提供了一种半导体器件及其操作方法、系统、计算机可读存储介质，所述半导体器件包括存储阵列、与存储阵列耦接的外围电路，以及与存储阵列中的存储单元耦接的第一字线组和第二字线组；与第二字线组耦接的存储单元位于与第一字线组耦接的存储单元和与第一...
    2026-03-20
  • 半导体器件及其操作方法、系统以及计算机可读存储介质
    半导体器件及其操作方法、系统以及计算机可读存储介质_长江存储控股股份有限公司_202410940293.5
    本公开实施例提供一种半导体器件，该半导体器件包括存储器阵列和与存储器阵列耦接的外围电路，外围电路被配置为：在第一编程循环的编程阶段，对第一字线施加第一编程电压，并同时对与第一字线相邻的第二字线施加第二编程电压；第一编程电压与第二编程电压的差...
    2026-03-20
  • 新型存储器及其控制方法和控制电路
    新型存储器及其控制方法和控制电路_新存科技(武汉)有限责任公司_202511572677.7
    本公开实施例公开了一种新型存储器及其控制方法和控制电路。该控制方法包括：在第一时段将施加到所述新型存储器的至少一个目标存储单元的控制信号由第一信号值变化为第二信号值；在第二时段向所述目标存储单元施加所述第二信号值的所述控制信号；在第三时段将...
    2026-03-20
  • 存储器电路、集成芯片及其操作方法
    存储器电路、集成芯片及其操作方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511408457.0
    本申请的实施例公开了存储器电路、集成芯片及其操作方法。存储器电路，包括第一位线、第二位线、第一字线、第二字线、第一存储器单元、第二存储器单元、第一感测放大器、第一位线晶体管和第二位线晶体管。第一存储器单元耦合到第一位线和第一字线。第二存储器...
    2026-03-20
  • 用于降低RERAM器件中非选中晶体管的TDDB的系统及方法
    用于降低RERAM器件中非选中晶体管的TDDB的系统及方法_威比特纳诺有限公司_202511016109.9
    在电阻式随机存取存储器(ReRAM)阵列的传统编程过程中，许多ReRAM单元会承受不必要的应力。这种过应力导致与时间相关电介质击穿(TDDB)可靠性较低。根据本实施例，在被编程单元的位线(BL)上施加负电压，同时在所有未被编程单元的字线(W...
    2026-03-20
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