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最新专利技术
  • 带有发光二极管的具有改进光提取的显示屏和用于这种屏的显示像素
    带有发光二极管的具有改进光提取的显示屏和用于这种屏的显示像素_艾利迪公司_202480040309.5
    本描述涉及一种显示像素(3')，其旨在被放置和附接到显示屏(10)的面板(2)，显示像素(3')包括：发光区(8)，其包括至少一个发光二极管LED；支撑件(9)，其对于由发光区(8)发射的辐射是透明的，支撑件(9)的高度大于5µm；以及由固...
    2026-04-10
  • 发光单元和显示基板
    发光单元和显示基板_京东方科技集团股份有限公司_202480000862.6
    一种发光单元和显示基板，发光单元包括：发光主体，所述发光主体包括依次堆叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第三半导体层，设置在所述第二半导体层远离所述发光层的一侧；第四半导体层，设置在所述第三半导体层远离所述发光层的一侧；所述第四半导体...
    2026-04-10
  • 用于在光电子器件的光路中将光学元件固定在衬底上的方法和光电子器件
    用于在光电子器件的光路中将光学元件固定在衬底上的方法和光电子器件_艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司_202480040226.6
    提出一种用于在光电子器件的光路中将光学元件固定在衬底上的方法，包括以下步骤：‑提供光学元件，所述光学元件具有包含第一表面材料的第一表面，并且提供衬底，所述衬底具有包含第二表面材料的第二表面，其中第一表面材料和第二表面材料彼此无关地选自透明的...
    2026-04-10
  • 采用非永久性互连结构的X射线探测器
    采用非永久性互连结构的X射线探测器_万睿视影像有限公司_202480038329.9
    一些实施例包括一种X射线探测器，其包括：基板，其包含：多个像素，其被配置为将入射X射线转换为电信号；多条数据线，其耦接至所述像素；印刷电路组件(PCA)，其包含：电路，其被配置为将所述电信号转换为数字化数据；以及互连结构，其电连接于所述数据...
    2026-04-10
  • 包括具有穿过基板的不同结晶取向沟道的场效应晶体管(FET)的栅极全包围(GAA)FET设备
    包括具有穿过基板的不同结晶取向沟道的场效应晶体管(FET)的栅极全包围(GAA)FET设备_高通股份有限公司_202480039801.0
    公开了一种栅极全包围(GAA)场效应晶体管(FET)设备和相关的制造方法。GAA FET设备包括具有沟道的P型半导体PFET和N型半导体NFET，沟道具有穿过基板的不同结晶取向。GAA PFET包括第一类型的结晶取向(例如，<110>或<1...
    2026-04-10
  • 具有不同栅极电介质厚度的纳米片晶体管
    具有不同栅极电介质厚度的纳米片晶体管_高通股份有限公司_202480037416.2
    公开了半导体器件和制造方法。一种半导体器件包括第一栅极结构(130)，该第一栅极结构包括穿过第一栅极金属沿第一方向设置的第一组沟道(134)以及设置在第一组沟道与第一栅极金属之间的第一组栅极电介质(136)。第一组栅极电介质各自具有第一厚度...
    2026-04-10
  • 双扩散中断内的正面到背面连接
    双扩散中断内的正面到背面连接_国际商业机器公司_202480035983.4
    一种半导体IC器件(50)包括导电贯穿器件连接。连接可位于将有源区域(52, 53)隔开的双扩散中断(DDB)区域(51)内。连接可包括位于正面接触(30)和背面接触(32)之间的伪S/D区域(24)。半导体IC器件可进一步包括第一(20)...
    2026-04-10
  • 半导体集成电路装置
    半导体集成电路装置_株式会社索思未来_202380099284.1
    设置有与多个单元行(CR)相邻且包含电源分接部(TAP)的电源分接行(CRT)。单元(C1)包括在俯视时重叠的晶体管、形成在BM0层的VDD电源布线(21)以及形成在M0层的VSS电源布线(11)。电源分接部(TAP)包括形成在BM0层的V...
    2026-04-10
  • 具有多个堆叠无源器件的半导体器件
    具有多个堆叠无源器件的半导体器件_高通股份有限公司_202480037164.3
    公开了一种半导体器件。在一方面中，一种半导体器件包括：第一层无源器件，该第一层无源器件包括以堆叠配置设置的基板部分、无源器件部分及金属化部分；以及设置在第一层无源器件上方的一个或多个第二层无源器件。该一个或多个第二层无源器件中的每个第二层无...
    2026-04-10
  • 冷源和负电容场效应晶体管及方法
    冷源和负电容场效应晶体管及方法_华为技术有限公司_202380099004.7
    提供了一种晶体管(200a)，包括源极区、漏极区、沟道和栅极。所述源极区具有硅化物区(224)和掺杂有第一掺杂剂类型的半导体区(222n)；所述漏极区(206p)包括掺杂有第二掺杂剂类型的半导体；所述沟道(208p)位于所述源极区和所述漏极...
    2026-04-10
  • 半导体装置
    半导体装置_美蓓亚功率半导体株式会社_202480040747.1
    在纵通道翅片构造的沟槽MOSFET中，确保短路耐量的同时降低接通电阻。半导体装置(1)具有：多个沟槽(2)，其在俯视时在第一方向上具有长边方向、在第二方向上具有短边方向且在第二方向上排列有多个；第一导电型的第一源极区域(3)，其至少一部分由...
    2026-04-10
  • n型金刚石MOSFET及其制造方法
    n型金刚石MOSFET及其制造方法_国立研究开发法人物质·材料研究机构_202480040003.X
    提供电特性优异的使用了单晶金刚石半导体的n型MOSFET。根据本发明的一个方式，提供一种n型MOSFET101，其具有：至少在表面的一部分具有单晶金刚石层的基板11；与基板11相接且从n‑‑型金刚石单晶形成的第1半导体层12；在第1半导体层...
    2026-04-10
  • 包含TSV结构的设备
    包含TSV结构的设备_美光科技公司_202480036886.7
    根据本公开的一或多个实施例，一种设备包括：逻辑裸片，其包含多个第一穿硅通孔(TSV)；及核心裸片，其在所述逻辑裸片上，所述核心裸片包含多个TSV。所述逻辑裸片中的所述第一TSV的数目不同于所述核心裸片中的所述第二TSV的数目。
    2026-04-10
  • 磁存储元件的制造方法
    磁存储元件的制造方法_JSR株式会社_202480040685.4
    以高精度制造微细图案的磁存储元件。磁存储元件(1)包括：磁穿隧接面层(30)，具有由两个磁性层(31)及磁性层(33)夹持绝缘层(32)的结构且电阻状态根据这些磁性层(31)及磁性层(33)中的一者的磁化方向而发生变化；以及金属层(40)，...
    2026-04-10
  • 存储电路、处理装置及电子设备
    存储电路、处理装置及电子设备_株式会社半导体能源研究所_202480040618.2
    本发明提供一种包括写入速度及读出速度快的易失性存储器以及能够备份数据的非易失性存储器的存储电路。存储电路包括第一层以及位于第一层的上方的第二层。第一层包括包含硅的半导体衬底、形成在半导体衬底上的第一电路及第二电路。第二层包括第一铁电电容器及...
    2026-04-10
  • 管理半导体装置中的缝隙结构
    管理半导体装置中的缝隙结构_长江存储科技有限责任公司_202480001385.5
    提供了用于管理半导体装置中的缝隙结构的系统、装置和方法。在一方面，半导体装置包括第一堆叠结构和电容器结构，所述第一堆叠结构具有交错的第一导电层和第一电介质层，所述电容器结构沿第一方向延伸穿过第一堆叠结构。电容器结构包括内电极层、铁电层、和多...
    2026-04-10
  • 电磁波屏蔽材料、电子零件及电子设备
    电磁波屏蔽材料、电子零件及电子设备_富士胶片株式会社_202480041186.7
    本发明提供一种电磁波屏蔽材料、包含上述电磁波屏蔽材料的电子零件及电子设备，上述电磁波屏蔽材料在2层金属层之间具有包含磁性粒子及丙烯酸树脂的磁性层，上述磁性层的交联度为20%以上，且上述磁性层的玻璃化转变温度Tg为‑80℃以上。
    2026-04-10
  • 配置成冷却电子模块的冷却设备
    配置成冷却电子模块的冷却设备_法雷奥热系统公司_202480041663.X
    本发明涉及一种配置成冷却电子模块(2)的冷却设备(3)，该电子模块(2)包括电子板(4)，该电子板上安装有多个电子部件(5)，该冷却设备包括：‑外壳(10)，该外壳(10)配置成接收电子板(4)和电子部件(5)并且配置成填充有用于浸没电子部...
    2026-04-10
  • 壳体及在壳体上存在液体时保护壳体内电子设备的方法
    壳体及在壳体上存在液体时保护壳体内电子设备的方法_赛峰电子与防务公司_202480041013.5
    本发明涉及一种壳体(2)，其配置为容纳电子设备(9)，并包括上壁(3)和下壁(4)，上壁和下壁分别包括供气流在壳体(2)内流通的排放孔(30)和进气孔(40)，该壳体(2)包含内部保护通道(10)，该通道在内部限定出暴露容积，在外部限定出保...
    2026-04-10
  • 用于冷却至少两个电气和/或电子组件的流体穿流式冷却器
    用于冷却至少两个电气和/或电子组件的流体穿流式冷却器_罗伯特·博世有限公司_202480040903.4
    本发明涉及用于冷却至少两个电气和/或电子组件(200)的流体穿流式冷却器(100)。该冷却器(100)包括：入口区域(115)和出口区域(116)，用于将流体引入入口区域(115)的入口(111)、第一冷却区域(107)和第二冷却区域(10...
    2026-04-10
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