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最新专利技术
  • 一种多芯片模块的封装方法
    一种多芯片模块的封装方法_湖南越摩先进半导体有限公司_202511914823.X
    本发明公开了一种多芯片模块的封装方法，属于多芯片模块封装技术领域，该方法是将中介层进行阶梯式多层堆叠形成中介体，使每一个中介层露出具有高集成电路的互连台面，再将芯片作多层叠装，并使具有高带宽内存的每一个高带宽内存芯片都能与所对应中介层的互连...
    2026-04-25
  • 一种适用于混合键合的晶圆表面处理方法和混合键合方法
    一种适用于混合键合的晶圆表面处理方法和混合键合方法_北京超弦存储器研究院_202410935765.8
    本发明涉及一种适用于混合键合的晶圆表面处理方法和混合键合方法，属于半导体封装技术领域，解决了现有的晶圆表面处理方法存在的退火温度高和/或键合面孔隙率高的问题。该方法包括：(1)在晶圆表面的金属焊盘和第一介质层上形成第二介质层；(2)对第二介...
    2026-04-25
  • 一种功率半导体模块低电感封装结构及封装方法
    一种功率半导体模块低电感封装结构及封装方法_深圳市惠存半导体有限公司_202511542484.7
    本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种功率半导体模块低电感封装结构及封装方法，包括基板，所述基板的顶端安装有多组芯片，所述基板的顶端设置有用于防护芯片的防护罩，还包括至少四组固接在基板底端四周的连接柱，所述连接柱的内壁上开设有两组方形卡槽，...
    2026-04-25
  • 芯片的气密性封装结构及封装方法
    芯片的气密性封装结构及封装方法_广东芯成汉奇半导体技术有限公司_202511326808.3
    本发明公开一种芯片的气密性封装结构及封装方法，芯片的气密性封装结构包括承载基板以及帽盖基板，所述承载基板的中部设有向所述承载基板的内部凹陷的凹槽，所述承载基板的边缘围设有金属挡墙，所述凹槽位于金属挡墙内侧，且凹槽内设有芯片；所述帽盖基板对应...
    2026-04-25
  • 高可靠性的肖特基轴向二极管及其生产工艺
    高可靠性的肖特基轴向二极管及其生产工艺_常州银河电器有限公司_202511173576.2
    本发明涉及一种高可靠性的肖特基轴向二极管及其生产工艺，高可靠性的肖特基轴向二极管，芯片两侧设有引线，芯片从内到外依次涂覆了四层材料：氮化硅层，含氧多晶硅层，二氧化硅层，聚酰亚胺胶层，其生产工艺具体步骤如下：清洁烘干、芯片的内层防护、芯片的表...
    2026-04-25
  • 一种纳秒高压脉冲开关模块的堆叠式封装结构及方法
    一种纳秒高压脉冲开关模块的堆叠式封装结构及方法_芯派科技股份有限公司_202511389811.X
    本发明涉及脉冲功率技术半导体换路开关技术领域，公开了一种纳秒高压脉冲开关模块的堆叠式封装结构及方法，结构包括芯片单元模块、绝缘柱和正、负电极板；所述芯片单元模块包括紧密层叠的芯片和热沉片，热沉片采用高导热、导电材料；所述芯片单元模块首尾连接...
    2026-04-25
  • 半导体模块
    半导体模块_富士电机株式会社_202510704057.8
    提供一种半导体模块，该半导体模块具备板状的基底和框状的壳体，其中，该框状的壳体由树脂组合物构成，且具有与基底的外周部粘接的粘接部，在俯视时，壳体的外形具有彼此相向的一对第一边和彼此相向的一对第二边，在壳体的与一对第二边对应的位置处设置有用于...
    2026-04-25
  • 埋入式封装结构、电源模组及电子设备
    埋入式封装结构、电源模组及电子设备_华为技术有限公司_202410924391.X
    本申请实施例公开了一种埋入式封装结构、电源模组及电子设备。该埋入式封装结构包括依次叠合设置的第一埋嵌框架、第二埋嵌框架和第三埋嵌框架，以及埋嵌于该埋入式封装结构中的输入电容、电感和输出电容；其中，输出电容位于第一埋嵌框架中，电感位于第二埋嵌...
    2026-04-25
  • 一种芯片封装结构及其封装方法
    一种芯片封装结构及其封装方法_华为技术有限公司_202410917921.8
    本申请提供一种芯片封装结构及其封装方法，芯片封装结构包括载体和封装主体，封装主体包括主体元件和金属连接层，金属连接层设置有多个纳米孔结构，沿芯片封装结构的高度方向，金属连接层位于主体元件靠近载体的一侧，金属连接层与载体固定连接，与焊接固定相...
    2026-04-25
  • 晶圆的切边方法
    晶圆的切边方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511406366.3
    本申请公开了一种晶圆的切边方法，包括：在第一晶圆上形成高应力氧化物层，高应力氧化物层覆盖形成于第一晶圆上的半导体器件区域，半导体器件区域中形成有半导体器件及其金属互连结构；在高应力氧化物层上形成PEOX层；在PEOX层上形成TEOS层；对T...
    2026-04-25
  • 表面阻焊粗糙封装基板的生产方法
    表面阻焊粗糙封装基板的生产方法_浙江创豪半导体有限公司_202511370584.6
    本发明公开了一种表面阻焊粗糙封装基板的生产方法，它属于半导体集成电路封装基板领域，其通过载膜进行真空压制和热压整平，以增加阻焊油墨面粗糙度，增大封装时塑封料与基板表面阻焊接触面积，提升附着力，减小分层、开裂的风险。它主要包括包括如下步骤：预...
    2026-04-25
  • 芯片封装基板中的焊球排布结构、方法、芯片及电子设备
    芯片封装基板中的焊球排布结构、方法、芯片及电子设备_砺算科技(上海)有限公司_202511893121.8
    本发明实施例公开了一种芯片封装基板中的焊球排布结构、方法、芯片及电子设备。该芯片封装基板中的焊球排布结构中：芯片封装基板中包括接地焊球、正差分信号焊球、以及负差分信号焊球；接地焊球，用于传输接地信号；正差分信号焊球与负差分信号焊球构成差分对...
    2026-04-25
  • 一种提高晶圆凸块侧壁可靠性的方法
    一种提高晶圆凸块侧壁可靠性的方法_昆山日月同芯半导体有限公司_202511550409.5
    本发明属于芯片封装技术领域，特别的，属于一种提高晶圆凸块侧壁可靠性的方法。步骤：在晶圆上通过凸块工艺电镀凸块，凸块包括金层、镍层、铜层，铜层侧壁与镍层侧壁之间存在距离，该距离为裸露的间隔区域；在晶圆和凸块表面都涂布光刻胶，形成胶层一，胶层一...
    2026-04-25
  • 一种光电器件的封装方法及结构
    一种光电器件的封装方法及结构_苏州科阳半导体有限公司_202511507481.X
    本发明公开了光电器件的封装方法及结构。封装方法包括：提供多个第一通孔基板和多个光芯片；提供对位板；对位贴装多个第一通孔基板和对位板，对位贴装多个光芯片和对位板；提供包括多个第二通孔基板的第二基板单元并键合连接第二基板单元和多个第一通孔基板；...
    2026-04-25
  • 一种芯片凸点制作方法及真空焊炉
    一种芯片凸点制作方法及真空焊炉_北京顺星聚源微电子有限公司_202510481621.4
    本发明涉及半导体芯片加工技术领域，提出了一种芯片凸点制作方法包括：所述芯片凸点制作方法包括：将芯片及治具放置在真空焊炉的加热板上；氧化层厚度检测装置检测芯片的氧化层厚度；根据氧化层厚度设置甲酸浓度、清洗时间和清洗温度；根据所述甲酸浓度、所述...
    2026-04-25
  • 一种适用于基板翘曲的自适应植球治具
    一种适用于基板翘曲的自适应植球治具_江苏海纳电子科技有限公司_202511916694.8
    本发明公开了一种适用于基板翘曲的自适应植球治具，涉及基板植球技术领域，包括校正装置，用于对真空吸盘吸附的基板的位置进行校正；助焊剂蘸点装置，用于将助焊剂点涂到基板的pad上，包括设置在三轴移动装置上的PIN固定板，PIN固定板中部固定连接有...
    2026-04-25
  • 一种焊线机的偏焊预防与自动纠准方法及系统
    一种焊线机的偏焊预防与自动纠准方法及系统_广东阿达半导体设备股份有限公司_202511912344.4
    本发明公开了一种焊线机的偏焊预防与自动纠准方法及系统，属于半导体封装设备的技术领域；本方法通过实时图像识别再搜索与结果比对机制，计算实时位置与对应的初始扫描位置之间的位移偏差，根据结果执行位置迭代更新，智能纠偏，在提升UPH的同时实现了全自...
    2026-04-25
  • 一种异尺寸晶圆键合装置及其使用方法
    一种异尺寸晶圆键合装置及其使用方法_三河建华高科有限责任公司_202511373537.7
    本发明公开了一种异尺寸晶圆键合装置及其使用方法，涉及晶圆键合技术领域，包括：顶部夹持装置、箱体、导轨模块、上料单元、XYZθ四向对准运动单元、承片底座模块以及底部镜头单元，所述顶部夹持装置用于吸附上晶圆基板；所述上料单元安装于导轨模块上；所...
    2026-04-25
  • 一种UBM跨越式晶圆级封装结构
    一种UBM跨越式晶圆级封装结构_江苏纳沛斯半导体有限公司_202511462923.3
    本发明公开了一种UBM跨越式晶圆级封装结构，包括芯片、介质层、再分布层、凸块下金属化层、焊料凸块；通过RDL和UBM跨越结构，将焊垫信号引至芯片任何位置，实现了更高的I/O密度和更灵活的设计布局，嵌入式腔体为MEMS、传感器等敏感元件提供了...
    2026-04-25
  • 半导体结构
    半导体结构_力晶积成电子制造股份有限公司_202410989543.4
    本发明公开一种半导体结构，包括多个第一晶圆与基底穿孔。多个第一晶圆包括多个连接导线。每个连接导线位于对应的第一晶圆中。基底穿孔穿过多个第一晶圆与多个连接导线的多个端部。多个端部嵌入基底穿孔。
    2026-04-25
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