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最新专利技术
  • 一种适用于半导体划片工序的自动刮料装置及方法
    一种适用于半导体划片工序的自动刮料装置及方法_浙江机电职业技术大学_202511787866.6
    本发明公开了一种适用于半导体划片工序的自动刮料装置及方法，涉及自动刮料技术领域，包括加工柜，所述加工柜内部固定连接有放置台，加工柜内部设置有移动座，移动座外侧设置有位移组件，通过控制机构调整橡胶套由圆口变形为扁口，圆形射流在单位面积上的冲击...
    2026-04-26
  • 一种硅片清洗提篮及采用该硅片清洗提篮的硅片清洗机构
    一种硅片清洗提篮及采用该硅片清洗提篮的硅片清洗机构_山东联盛电子设备有限公司_202511731462.5
    本发明公开了一种硅片清洗提篮及采用该硅片清洗提篮的硅片清洗机构，涉及硅片清洗技术领域；硅片清洗提篮的花篮连接板顶面上横向排列有若干导向框；硅片顶升杆穿过各导向框的竖向开口；花篮连接板上设有若干花篮插孔，硅片顶升杆底面上设有若干支撑柱。硅片清...
    2026-04-26
  • 基于HF酸泡槽的CVD前洗净机清洁方法
    基于HF酸泡槽的CVD前洗净机清洁方法_上海中欣晶圆半导体科技有限公司_202511646187.7
    本发明公开了基于HF酸泡槽的CVD前洗净机清洁方法，具体涉及半导体制造技术领域，包括CVD前洗净机，所述CVD前洗净机包括有SC‑1药液槽，在所述CVD前洗净机的SC‑1药液槽进行药液换液过程中，执行氢氟酸泡槽工序，该工序包括以下步骤：S1...
    2026-04-26
  • 一种硅片清洗装置与清洗方法
    一种硅片清洗装置与清洗方法_广州宇脉电子科技有限公司_202511510566.3
    本发明属于硅片加工技术领域，尤其涉及一种硅片清洗装置与清洗方法，一种硅片清洗装置，包括清洗箱，清洗箱内固接有多个竖杆，多个竖杆中位于左侧的两个竖杆之间滑动连接有一个移动座，位于右侧的两个竖杆之间滑动连接有另一个移动座，两个移动座之间连接有移...
    2026-04-26
  • 一种晶圆清洗系统和方法
    一种晶圆清洗系统和方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511482114.9
    本公开提供了一种晶圆清洗系统和方法，系统包括清洗液供给装置、兆声波换能器、传感装置以及控制装置，其中，清洗液供给装置用于向晶圆的表面施加清洗液；兆声波换能器被配置为在清洗液中产生兆声波场；传感装置被配置为实时监测用于表征所述兆声波换能器到所...
    2026-04-26
  • 清洗机、碳化硅晶圆的清洗工艺、碳化硅晶圆和电子器件
    清洗机、碳化硅晶圆的清洗工艺、碳化硅晶圆和电子器件_比亚迪股份有限公司_202511429610.8
    本申请提供了一种清洗机、碳化硅晶圆的清洗工艺、碳化硅晶圆和电子器件，该清洗机包括：旋转卡盘，包括中心部、外围部以及连接所述中心部和所述外围部的连接件；所述外围部设置有多个第一限位柱和至少一个第二限位柱；所述多个第一限位柱间隔设置，所述第二限...
    2026-04-26
  • 应用于化镀工艺中的清洗方法
    应用于化镀工艺中的清洗方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511379075.X
    本申请公开了一种应用于化镀工艺中的清洗方法，包括：将晶片浸没于清洗槽的去离子水中，该晶片是进行减薄处理和化镀工艺后的晶片；对晶片进行至少两次清洗处理，该清洗处理包括通过去离子水进行溢流和鼓泡，溢流是指在去离子水中产生流动，鼓泡是指在去离子水...
    2026-04-26
  • 一种针对厚金属层的晶圆切割方法
    一种针对厚金属层的晶圆切割方法_宏茂微电子(上海)有限公司_202511476857.5
    本发明涉及芯片封装技术领域，具体的说是一种针对厚金属层的晶圆切割方法。一种针对厚金属层的晶圆切割方法，具体方法流程如下：S1，对晶圆的背面进行研磨，达到所需的厚度；S2，对晶圆的背面进行贴膜，并安装铁环支撑；S3，对晶圆正面沿切割道进行激光...
    2026-04-26
  • 一种半导体工艺方法及半导体结构
    一种半导体工艺方法及半导体结构_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202410927163.8
    本发明提供一种半导体工艺方法及半导体结构，半导体工艺方法包括：半导体结构的上表面分布有芯片、密封环、划片槽和空白区，空白区不设置金属；半导体结构上设置图形化的光刻胶；对空白区及下方半导体结构等离子体刻蚀形成沟槽；去除光刻胶；对半导体结构下表...
    2026-04-26
  • 一种半导体工艺方法及半导体结构
    一种半导体工艺方法及半导体结构_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202410923991.4
    本发明提供一种半导体工艺方法及半导体结构，半导体工艺方法包括：半导体结构包括衬底层和器件层，器件层包括芯片和相邻芯片之间的切割道区域；半导体结构上表面有硬掩模介质层；对硬掩模介质层激光切割显露衬底层，以硬掩模介质层为掩膜对衬底层等离子体刻蚀...
    2026-04-26
  • 一种解键合设备和解键合方法
    一种解键合设备和解键合方法_拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司_202511927579.0
    本发明公开了一种解键合设备和解键合方法。解键合设包括激光源和用于承载键合件的载台。所述解键合设备还包括：第一半环和第二半环，分别位于所述载台的两侧；驱动部件，连接所述第一半环和所述第二半环，以驱动两者径向合拢或分离；以及控制器，被配置为：控...
    2026-04-26
  • 晶圆的切边方法
    晶圆的切边方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511414996.5
    本申请公开了一种晶圆的切边方法，包括：通过第一刀头进行切边处理，切入切边区域中承载晶圆的预定深度，在承载晶圆中形成凹槽切痕；通过第二刀头进行切边处理，去除切边区域的器件晶圆和承载晶圆，第二刀头的宽度大于第一刀头的宽度；其中，器件晶圆与承载晶...
    2026-04-26
  • 一种针对表面有厚金属层的三维闪存晶圆的切割方法
    一种针对表面有厚金属层的三维闪存晶圆的切割方法_宏茂微电子(上海)有限公司_202511454270.4
    本发明涉及半导体技术领域，具体的说是一种针对表面有厚金属层的三维闪存晶圆的切割方法。具体方法流程如下：S1，提供晶圆；S2，在晶圆表面贴附一层研磨胶膜；S3，对晶圆进行预研磨；S4，将晶圆背面朝上，贴有研磨胶膜的正面吸附在隐形激光切割机的工...
    2026-04-26
  • 一种去除TiW膜层湿法腐蚀后表面絮状残留的方法
    一种去除TiW膜层湿法腐蚀后表面絮状残留的方法_美新半导体(绍兴)有限公司_202511355469.1
    本发明公开了一种去除TiW膜层湿法腐蚀后表面絮状残留的方法，其具体步骤如下：S1：基底上依次设置有AMR磁性金属膜层、TiW膜层和铝膜层，使用H22O22溶液在20～40℃下腐蚀晶圆表面刻开区的TiW膜层，再对其进行冲水、甩干；S2：甩干后...
    2026-04-26
  • 一种LCD应用多层超薄细密线路显示驱动板的真空蚀刻方法
    一种LCD应用多层超薄细密线路显示驱动板的真空蚀刻方法_广东兴达鸿业电子有限公司_202511215590.4
    本发明提供了一种LCD应用多层超薄细密线路显示驱动板的真空蚀刻方法，本发明中，在真空蚀刻阶段，精准控制负压值在±0.5kPa，有效避免板材变形，同时需要精确控制上下压差，既能保证基板平整贴合蚀刻台，又避免因压力过高导致的基板压溃或翘曲；其次...
    2026-04-26
  • 一种控制干法刻蚀形貌的方法
    一种控制干法刻蚀形貌的方法_上海芯物科技有限公司_202511494788.0
    本发明提供了一种控制干法刻蚀形貌的方法，所述方法包括：(1)在衬底晶圆表面沉积待刻蚀的至少一层膜层，然后旋涂光刻胶掩膜，进行曝光显影处理，完成光刻胶掩膜的图形化，得到待刻蚀晶圆；(2)将待刻蚀晶圆固定于载台，而后进行预设能量、预设角度的离子...
    2026-04-26
  • 使用氟及金属卤化物来蚀刻金属氧化物
    使用氟及金属卤化物来蚀刻金属氧化物_应用材料公司_202511466337.6
    本公开内容的实施例提供用于蚀刻氧化物材料的多种方法。本公开内容的一些实施例提供优先于其他材料而选择性蚀刻氧化物材料的方法。在一些实施例中，本公开内容的方法是通过原子层蚀刻(ALE)执行。在一些实施例中，本公开内容的方法是在包括镍腔室材料的处...
    2026-04-26
  • 改善半导体器件槽状接触孔刻蚀工艺中硅草缺陷的方法
    改善半导体器件槽状接触孔刻蚀工艺中硅草缺陷的方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511415927.6
    本发明提供一种改善半导体器件槽状接触孔刻蚀工艺中硅草缺陷的方法。该方法通过将刻蚀工艺分解为主刻蚀与过刻蚀两步，其特征在于，在过刻蚀步骤中，采用包含CF4和CHF3的刻蚀气体，并将CF4与CHF3的流量比设置为不小于1.2 : 1，以增强对硅...
    2026-04-26
  • 一种半导体的刻蚀方法及等离子体设备
    一种半导体的刻蚀方法及等离子体设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511393866.8
    本发明提供一种半导体器件的刻蚀方法及等离子体刻蚀设备，该刻蚀方法包括：提供半导体器件：半导体器件的表面具有高介电常数材料层；改性刻蚀步：向腔室通入含氯基气体的工艺气体，通过激励射频功率电离形成等离子体，对高介电常数材料层进行各向同性改性刻蚀...
    2026-04-26
  • 一种薄膜侧壁小角度的制备方法
    一种薄膜侧壁小角度的制备方法_美新半导体(绍兴)有限公司_202511355517.7
    本发明公开了一种薄膜侧壁小角度的制备方法，其具体步骤如下：首先采用薄膜化学气相沉积工艺，在硅片或玻璃基板表面生长3～6um二氧化硅膜层，再通过光刻工艺在二氧化硅膜层上涂覆2～10um厚度的光刻胶，形成光刻胶层；对光刻胶层进行曝光、显影，形成...
    2026-04-26
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