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  • 本发明涉及LED封装技术领域,公开了一种LED器件和LED灯板。一种LED器件,包括:基板,所述基板上设置有正极焊盘和负极焊盘;LED芯片,LED芯片的主体上设置有阻焊层以及部分裸露在阻焊层外侧上的正极电极和负极电极,正极电极和负极电极上分...
  • 本发明提供一种发光二极管封装体及发光装置,发光二极管封装体包括多个发光单元,位于发光单元上方的布线层包括多个相互间隔的子层。第二子层靠近第二发光单元的投影边界线为第一投影边界,第三子层覆盖第二发光单元的部分靠近第一边界线的投影边界线为第二投...
  • 本发明涉及光电设备技术领域,尤其涉及一种LED灯珠及显示屏。LED灯珠包括陶瓷座、芯片组件和玻璃板,陶瓷座的顶端设置有容纳腔,容纳腔的内侧壁沿周向设置有台阶面,陶瓷座的顶端与至少部分周向侧面均设置有黑色涂层。芯片组件安装于容纳腔内,芯片组件...
  • 本申请公开了一种LED封装结构、背光模组和显示设备,涉及显示技术领域,公开了LED封装结构,包括:LED封装结构包括:蓝光晶片,以及设置于蓝光晶片的出光侧的第一荧光层,设置于第一荧光层的出光侧的第二荧光层,设置于第二荧光层的出光侧的第三荧光...
  • 本公开提供了一种发光二极管和发光二极管的制作方法,属于发光器件领域。该发光二极管包括:外延结构、钝化层、第一电极结构和第二电极结构;所述外延结构包括台阶结构,所述台阶结构包括台阶顶面和台阶底面;所述钝化层覆盖所述台阶结构,所述钝化层在所述台...
  • 本发明公开了一种发光芯片及其制作方法。该发光芯片包括至少一个发光单元和原子修复层;发光单元包括外延层,外延层包括刻蚀面,原子修复层至少部分覆盖刻蚀面;原子修复层用于为刻蚀面提供原子,使得原子修复层可以为外延层提供原子,对外延层内的空穴进行修...
  • 本公开提供了一种改善散热的发光器件及其制备方法、显示面板,属于光电子制造技术领域。该发光器件包括:基板、钝化层、流体驱动结构和多个发光结构,多个所述发光结构间隔排布在所述基板上;所述钝化层位于所述基板上,且覆盖各所述发光结构,所述钝化层的表...
  • 本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括:外延结构、透明导电层、电极结构和钝化层;透明导电层位于外延结构的表面上,透明导电层具有多个通孔;外延结构朝向所述透明导电层的一面部分为粗糙表面,粗糙表面分布在多个通孔中;钝化层覆盖外延...
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种发光二极管及发光装置,其包括半导体叠层、第一透明导电层和金属电极,半导体叠层沿下表面到上表面的方向包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层,半导体叠层具有台面,台面裸露出第一半导体层,第一透...
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种发光二极管及发光装置,其包括半导体叠层、第一透明导电层、第二透明导电层和金属电极,半导体叠层具有相对的上表面和下表面,半导体叠层沿下表面到上表面的方向包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层...
  • 本发明涉及半导体技术领域,提供一种LED芯片及发光装置,LED芯片包括衬底,衬底具有相对设置的正面及背面;外延叠层,形成在衬底的正面,外延叠层包括依次堆叠设置的第一半导体层、有源层、第二半导体层,外延叠层形成有发光台面、第一电极台面和第二电...
  • 本发明公开一种发光元件及其制造方法,所述发光元件包含:半导体叠层,其包含上表面、下表面及侧壁;其中侧壁包含第一子侧壁及第二子侧壁,第一子侧壁与上表面之间形成第一夹角,第一夹角为直角或钝角,第二子侧壁与下表面相连且其两者之间形成第二夹角,第二...
  • 一种外延结构、衬底、LED芯片及其制作方法,外延结构具有若干与LED芯片对应的芯片区域,芯片区域的外轮廓线上具有对标点;外延结构具体包括衬底和外延叠层;衬底的第一表面具有图形区域和位于相邻图形区域之间的预留区域;各图形区域的图形数量相等且均...
  • 本公开提供了一种发光二极管芯片及其制备方法,属于半导体技术领域。发光二极管芯片包括外延层、分布式布拉格反射层、第一一次电极和第二一次电极;外延层包括依次叠设的第一半导体层、有源层和第二半导体层;分布式布拉格反射层叠设在外延层的一侧,分布式布...
  • 本发明公开了一种LED贴片灯珠的封装设备,其包括支撑架,支撑架上端面设置有三维调节装置,三维调节装置中间位置设置有固定于支撑架上端面的传送装置;传送装置上方水平设置有一组基板,各基板上端面均设置有阵列分布的杯碗;三维调节装置上竖直设置有雾化...
  • 本发明公开了一种复合图形化衬底及其倾角控制方法,方法包括提供复合衬底;复合衬底包括衬底和异质层;在复合衬底表面形成光刻胶层,并对光刻胶层进行图案化,形成胶柱掩膜;通过利用第一刻蚀工艺,通过向第一刻蚀工艺的反应腔室内至少通入第一刻蚀气体,以调...
  • 本发明涉及LED芯片组件及其制作方法,本申请通过在芯片键合之前使用蚀刻加金属蒸镀的方式将P型欧姆接触金属层嵌入外延层,使其形成欧姆接触。在转移后使用套刻蚀刻的方式将该P型欧姆接触金属层引入芯粒表层的方式进行芯片制作,从而增加了发光层的出光面...
  • 本申请涉及光伏领域,公开了一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件,包括半导体基底,半导体基底包括相对设置的第一表面和第二表面,以及连接第一表面和第二表面的多个侧表面;至少一个侧表面分布有塔基状结构,塔基状结构包括向半导体基底内部凹陷的第一塔基...
  • 本申请提供了一种光伏电池和光伏组件,光伏电池包括:硅基底,硅基底具有相对设置的背光面和向光面,背光面上沿第一方向并列设置有多条栅线,栅线沿第二方向延伸,在硅基底的表面设置有微阵列,微阵列包括多个微结构单元,微阵列与栅线之间具有夹角,夹角的角...
  • 本发明涉及太阳能电池技术领域,具体而言,涉及一种太阳能电池及其制备方法和叠层电池以及光伏组件;太阳能电池包括具有绒面的电池基体和电极,绒面具有多个金字塔结构;电池基体包括掺杂层和钝化层;电极形成于电池基体;其中,至少部分的金字塔结构的塔顶形...
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