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一种自清洁减反增透的光伏组件及制备方法
本发明名称为一种自清洁减反增透的光伏组件及制备方法,属于太阳能光伏技术领域。所要解决的技术问题为提供一种光学、化学与机械性能协同增强的自清洁减反增透的光伏组件及其制备方法。技术方案要点为所述光伏组件,包括自上而下依次层叠设置的高铁绒面超白钢...
一种具有隔热降噪功能的轻质光伏组件及其制备方法
本发明提供了一种具有隔热降噪功能的轻质光伏组件及其制备方法,涉及光伏组件技术领域。该轻质光伏组件结构包括:前板、封装层、光伏电池片、微腔复合层和背板;所述微腔复合层包括组分:气凝胶颗粒、高分子发泡微球和热固性树脂基体;所述气凝胶颗粒的孔隙率...
测试方法、测试件及其制备方法
本公开涉及光伏组件测试技术领域,提供一种测试方法、测试件及其制备方法。该测试件用于光伏组件封装胶膜的剥离强度测试,包括:背板,包括相对的第一面和第二面;支撑筛网,位于第一面,支撑筛网的网孔露出第一面的部分区域;封装胶膜,位于支撑筛网远离背板...
光伏组件及其制备方法
本申请涉及一种光伏组件及其制备方法。上述光伏组件包括电池串、正极汇流条、负极汇流条以及绝缘隔离膜;电池串包括电池片以及位于电池片的背面的正极焊带和负极焊带,正、负极汇流条均设置在电池串的背面,汇流条与相同极性的焊带焊接;绝缘隔离膜包括绝缘基...
一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法和应用
本发明属于太阳能电池技术领域,特别涉及一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法和应用。本发明碲化镉薄膜太阳能电池包括依次叠加设置的透明基底、透明导电层、窗口层,吸收层,背接触层、有机钝化层、无机钝化层和背电极层。本发明有机钝化层可钝化CdTe表...
异质结电池及其制备方法
本申请提供一种异质结电池及其制备方法。根据本申请的一个示例,异质结电池包括晶体硅片、设于晶体硅片相对两表面的弱N掺杂层与弱P掺杂层、设于弱N掺杂层上的第一本征非晶硅层、设于第一本征非晶硅层上的N掺杂层、设于弱P掺杂层上的第二本征非晶硅层、设...
一种多结太阳能电池及其制备方法
本申请实施例提供一种多结太阳能电池及其制备方法,其中钙钛矿太阳能电池包括依次层叠设置的第一子电池、第二子电池以及第三子电池;第二子电池包括依次层叠设置的第二空穴传输层、第二光吸收层以及第二电子传输层;其中,第二光吸收层为无机钙钛矿层,无机钙...
一种BC电池及其制备方法和应用
本发明提供一种BC电池及其制备方法和应用,尤其涉及太阳能电池技术领域。本发明的BC电池,包括圆形硅基体,所述圆形硅基体的背表面设置有第一圆形台面和第二环形台面,分别对应形成N型掺杂区和P型掺杂区,且第一圆形台面和第二环形台面具有高度差形成环...
一种太阳能电池、光伏组件及叠层电池
本申请涉及光伏电池技术领域,尤其涉及一种太阳能电池、光伏组件及叠层电池。太阳能电池包括硅基底,硅基底具有相对设置的第一面和第二面,第一面上间隔设置有多个第一掺杂层和多个第二掺杂层,第一掺杂层与第二掺杂层之间具有分隔区。第一掺杂层背离硅基底的...
具有选择性Poly结构的钝化接触电池及制备方法、光伏组件
本发明公开了一种具有选择性Poly结构的钝化接触电池及制备方法、光伏组件,其中该钝化接触电池包括N型硅片衬底、金属接触区域和非金属接触区域;其中,金属接触区域自内向外依次设有磷扩散层、隧穿氧化层、磷掺杂多晶硅层和背表面钝化减反膜;非金属接触...
静电防护器件及其制备方法、充电器件及电子设备
本申请提供了一种静电防护器件及其制备方法、充电器件及电子设备,涉及半导体技术领域,所述静电防护器件包括:晶体管;所述晶体管的栅极包括电阻调制区,且所述电阻调制区通过导电结构与所述晶体管的源极相连接;其中,所述电阻调制区用于产生寄生电阻,并通...
一种ESD保护器件及其制备方法
本申请涉及半导体器件技术领域,提出一种ESD保护器件及其制备方法。该器件包括绝缘体上硅基板、沟槽隔离结构、N型阱、P型阱、P+区、N+区、栅极氧化层和图形化电极层等结构,这些结构构成了二极管结构、SCR管结构和TVS管结构,并通过图形化电极...
同步触发多指ESD保护器件
本公开涉及同步触发多指ESD保护器件。一种半导体器件,包括在半导体主体中形成的第一行掺杂阱,第一行掺杂阱包括:第一导电类型阱,在半导体主体的第一方向上与第二导电类型阱交替布置;第一接触焊盘和第二接触焊盘,放置在半导体主体的上表面上方;初级电...
ESD保护电路及其方法
本公开涉及ESD保护电路及其方法。本文提供一种静电放电(ESD)保护电路。所述ESD保护电路包括耦合在第一电压供应节点与第二电压供应节点之间的箝位电路。所述箝位电路包括与第二晶体管串联耦合的第一晶体管。所述第一晶体管包括通过第一电阻器耦合到...
半导体器件及其形成方法
本申请的实施例公开了一种半导体器件及其形成方法。半导体器件包括具有第一侧和第二侧的衬底;形成在第一侧上的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管,第一至第四晶体管形成有p型导电性;形成在第一侧上并在第一至第四晶体管上方的第五晶体管和第...
具有隔离器件区的半导体布置
公开了一种半导体布置。半导体布置包括具有第一表面(101)的半导体层(100);形成在半导体层(100)中与第一表面(101)间隔开的第一掺杂类型的掩埋区(2);从第一表面(101)延伸到掩埋区(2)并且包括第一掺杂类型的第一区的隔离栅格(...
半导体结构
本发明公开一种半导体结构,包括一电阻器及一电容器。电容器包括一顶电极与一底电极。半导体结构还包括一基板、一第一阱区、至少2个掺杂区域、至少一栅极以及至少一氧化物层。基板作为电容器的底电极。第一阱区设置于基板中。掺杂区域设置于第一阱区中,其中...
显示装置
一种显示装置可以包括显示面板和连接到焊盘电极的柔性印刷电路。显示面板可以包括基板,该基板包括具有倾斜面的端部。第一平坦化层可以设置在基板上,并且多个第一下图案可以设置在基板和第一平坦化层之间。基板的倾斜面可以包括顶边缘和底边缘以及预定角度。...
显示装置
一种显示装置,包括:包括显示区域和非显示区域的基板;设置在显示区域中并且布置在第一方向和第二方向上的多个子像素;设置在显示区域中的第一感测线和第二感测线;以及设置在非显示区域中、在第一方向上延伸并且分别电连接至第一感测线和第二感测线的第一布...
显示面板
本申请提供了一种显示面板,显示面板包括显示区和位于所述显示区至少一侧的非显示区。所述显示面板包括背板层,自所述显示区指向所述非显示区的方向上,所述背板层至少包括阳极走线区、栅极驱动电路走线区和阴极走线区。所述阳极走线区、所述栅极驱动电路走线...
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