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最新专利技术
  • 显示面板
    显示面板_京东方科技集团股份有限公司_202410882601.3
    本申请提供了一种显示面板，显示面板包括显示区和位于所述显示区至少一侧的非显示区。所述显示面板包括背板层，自所述显示区指向所述非显示区的方向上，所述背板层至少包括阳极走线区、栅极驱动电路走线区和阴极走线区。所述阳极走线区、所述栅极驱动电路走线...
    2026-01-26
  • 像素阵列基板及其制造方法
    像素阵列基板及其制造方法_瀚宇彩晶股份有限公司_202410891703.1
    本发明提供一种像素阵列基板的制造方法，包括在基板上形成半导体层、在半导体层上形成金属堆叠层、在金属堆叠层上形成光刻胶图案，以及利用干式蚀刻制程一次性地移除金属堆叠层与半导体层中未被光刻胶图案覆盖的部分，以形成主动元件的源极、漏极与半导体图案...
    2026-01-26
  • SOI衬底的制备方法
    SOI衬底的制备方法_上海超硅半导体股份有限公司_202511495708.3
    本发明所要解决的技术问题是，提供一种SOI衬底的制备方法，能低成本、高灵活性的控制顶层半导体层导电类型。为了解决上述问题，本发明提供了一种SOI衬底的制备方法，包括：提供器件衬底和支撑衬底；在所述器件衬底表面形成外延层；在所述外延层中形成剥...
    2026-01-26
  • 集成电路器件及制造集成电路的方法
    集成电路器件及制造集成电路的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511322203.7
    具有CFET器件的集成电路器件包括第一行中的高单元和第二行中的矮单元。集成电路器件还包括第一行高单元中的一个或多个自对准垂直互连件。每个自对准垂直互连件至少部分地嵌入侧凹槽中。侧凹槽具有共形地涂布有绝缘材料的边界表面，该绝缘材料终止与高单元...
    2026-01-26
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511322185.2
    在实施例中，半导体器件包括：第一单元，包括第一有源区域和与第一有源区域相邻的第二有源区域，其中，第一有源区域和第二有源区域的每个包括：第一纳米结构，在第一源极/漏极区域之间延伸；以及第二纳米结构，位于第一纳米结构上方，第二纳米结构在第二源极...
    2026-01-26
  • 集成电路器件及其制造方法和生成集成电路布局图的方法
    集成电路器件及其制造方法和生成集成电路布局图的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511322172.5
    IC器件包括在半导体衬底的前侧中在第一方向上平行延伸的两个隔离结构、包括在隔离结构之间在第一方向上延伸的栅极和金属状限定(MD)段的堆叠CFET电路。每个栅极沿着第一方向从第一位置延伸至第二位置，并且MD段中的一个配置为电路的参考电压连接，...
    2026-01-26
  • 互补场效应晶体管
    互补场效应晶体管_台湾积体电路制造股份有限公司_202511315108.4
    一种互补场效应晶体管(CFET)包括：第一导电类型的第一源极/漏极区域；位于所述第一源极/漏极区域上的绝缘层；位于绝缘层上的第二导电类型的第二源极/漏极区域，第二导电类型不同于第一导电类型；垂直连接结构，垂直连接结构垂直延伸贯穿所述绝缘层并...
    2026-01-26
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510860408.4
    提供了一种集成度和性能均得到提高的半导体器件。该半导体器件包括：衬底；第一下有源图案；第一上有源图案，在第一下有源图案上；第一栅极结构，在第一下有源图案和第一上有源图案上；第二下有源图案，与第一下有源图案间隔开；第二上有源图案，在第二下有源...
    2026-01-26
  • 一种芯片、半导体封装结构及电子设备
    一种芯片、半导体封装结构及电子设备_华为技术有限公司_202410889377.0
    本申请公开了一种芯片、半导体封装结构及电子设备，芯片包括第一P型VTFET、第二P型VTFET、第一N型VTFET以及第二N型VTFET，以采用4个VTFET实现交叉耦合电路结构的电路版图，保证芯片性能。并且，该4个VTFET形成对角线交叉...
    2026-01-26
  • 半导体装置和制造半导体装置的方法
    半导体装置和制造半导体装置的方法_三星电子株式会社_202510433047.5
    提供了半导体装置和制造半导体装置的方法。一种半导体装置包括：第一源极/漏极图案，在基底的第一区域上在第一方向上彼此间隔开；第一栅极结构，在与第一方向相交的第二方向上延伸，第二源极/漏极图案，在基底的第二区域上在第一方向上彼此间隔开；第二栅极...
    2026-01-26
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510249375.X
    一种半导体器件可以包括：衬底上的第一有源图案、第一有源图案上的沟道图案、在第一有源图案上在第一方向上延伸的栅电极、以及在与第一方向相交的第二方向上延伸的主干结构。第一有源图案包括在第二方向上间隔开的第一区域和第二区域，第一有源图案包括与主干...
    2026-01-26
  • 具有高压、中压和低压晶体管的结构及其制作方法
    具有高压、中压和低压晶体管的结构及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410958613.X
    本发明公开一种具有高压晶体管、中压晶体管和低压晶体管的结构及其制作方法，其中具有高压、中压和低压晶体管的结构包含一基底，基底包含一高压区、一中压区和一低压区，一高压晶体管设置于高压区，高压晶体管包含一第一栅极介电层埋入于基底，一第一栅极结构...
    2026-01-26
  • 一种单片集成GaN Cascode器件及其制备方法
    一种单片集成GaN Cascode器件及其制备方法_中科(深圳)无线半导体有限公司_202511882758.7
    本发明公开了一种单片集成GaN Cascode器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。其包括在同一硅基衬底上集成增强型GaN MOSFET与耗尽型GaN HEMT，通过金属互联层实现电极连接。制备方法包括外延生长、刻蚀处理、掺杂区制作、金...
    2026-01-26
  • 一种双向开关器件及其制备方法、电子设备
    一种双向开关器件及其制备方法、电子设备_苏州明义微电子技术有限公司_202410915500.1
    本申请公开了一种双向开关器件及其制备方法、电子设备。双向开关器件包括依次设置的衬底和沟道层，以及位于所述沟道层上的两端且分别左右对称的第一源极、第二源极以及第一栅极、第二栅极；还包括设置于所述第一栅极和所述第二栅极之间的所述沟道层上的介质层...
    2026-01-26
  • 一种半导体启动装置及开关电源
    一种半导体启动装置及开关电源_无锡芯朋微电子股份有限公司_202511799317.0
    本申请提供一种半导体启动装置及开关电源，涉及开关电源技术领域。该半导体启动装置包括集成设置在同一衬底上的二极管、启动绕组和启动晶体管；二极管的阳极连接半导体启动装置的漏极端，二极管的阴极在衬底的内部与启动晶体管的漏极端连接；启动绕组的一端与...
    2026-01-26
  • CMOS器件及其制造方法
    CMOS器件及其制造方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202410935481.9
    本发明提供一种CMOS器件及其制造方法，所述CMOS器件的制造方法中，先在第一区域和第二区域上形成第一栅介质层；然后，在第一栅介质层上形成第二栅介质层，第二栅介质层覆盖第一栅介质层，且第二栅介质层的厚度大于第一栅介质层的厚度；接着，对第一栅...
    2026-01-26
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511882998.7
    本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，在衬底上形成栅极结构、第二阻挡层与层间介质层，其中栅极结构包括栅介质层、第一虚拟栅极、第一阻挡层与第二虚拟栅极；平坦化层间介质层与第二阻挡层，至暴露出第二虚拟栅极；去除第二虚拟栅...
    2026-01-26
  • 硅电容及其制作方法、电子器件
    硅电容及其制作方法、电子器件_上海朗矽科技有限公司_202511473102.X
    本公开提供了一种硅电容及其制作方法、电子器件，制作方法包括：获获取初始多层薄膜硅电容；基于初始多层薄膜硅电容得到多层深沟槽硅电容，基于多层深沟槽硅电容制作得到目标多层薄膜硅电容；相比于传统的单次只能蚀刻一个电极层和介质层，需形成台阶结构的多...
    2026-01-26
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511322186.7
    方法包括形成晶圆，该晶圆包括衬底、位于衬底上方的牺牲层和位于牺牲层上方的多层堆叠件。该方法还包括对多层堆叠件和牺牲层执行第一蚀刻工艺以形成图案化的多层堆叠件，用底部介电隔离层替换图案化的多层堆叠件中的牺牲层的部分，对图案化的多层堆叠件执行第...
    2026-01-26
  • 具有场氧化物厚度过渡区的半导体管芯及生产该半导体管芯的方法
    具有场氧化物厚度过渡区的半导体管芯及生产该半导体管芯的方法_英飞凌科技德累斯顿公司_202510588348.5
    具有场氧化物厚度过渡区的半导体管芯及生产该半导体管芯的方法。一种方法，包括：在半导体晶片的第一主表面上形成第一氧化物层，第一氧化物层具有400nm或更小的厚度；在第一氧化物层上形成第二层；更改第二层的至少第一部分的蚀刻速率，使得蚀刻速率的水...
    2026-01-26
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