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最新专利技术
  • 一种富含姜黄活性因子的再生纤维素纤维的制备方法
    一种富含姜黄活性因子的再生纤维素纤维的制备方法_邦特云纤(青岛)新材料科技有限公司_202511442165.9
    本发明属于再生纤维素纤维技术领域，具体涉及一种富含姜黄活性因子的再生纤维素纤维的制备方法，所述制备方法包括改性二氧化硅气凝胶的制备、吸附、负载物表面的修饰、纺丝原液的制备、共混、纺丝成型和后处理。本发明通过利用改性二氧化硅气凝胶对姜黄素进行...
    2026-03-17
  • 在低损伤纤维性能的前提下降低PET熔纺压力的方法
    在低损伤纤维性能的前提下降低PET熔纺压力的方法_江苏恒力化纤股份有限公司_202511855660.2
    本发明属于纺织技术领域，涉及一种在低损伤纤维性能的前提下降低PET熔纺压力的方法。本发明通过在PET熔体中以母粒形式引入特定含量、特定结构与分子量的硅酮，在不改变PET主链结构、无需改变PET本体分子量且不依赖纳米粒子分散的前提下，既能显著...
    2026-03-17
  • 一种生产双组份超细扁平海岛复合纤维的喷丝组件
    一种生产双组份超细扁平海岛复合纤维的喷丝组件_江苏立新化纤科技有限公司_202511437955.8
    本发明涉及纺织生产技术领域，具体地涉及一种生产双组份超细扁平海岛复合纤维的喷丝组件，包括接触机构，接触机构的后端固定安装有挤出筒，接触机构的前端中心固定安装有安装基座，接触机构包括对位装置和导向部件，对位装置对称固定安装在导向部件的前端两侧...
    2026-03-17
  • 一种提升有光扁平丝产品质量的生产设备及方法
    一种提升有光扁平丝产品质量的生产设备及方法_桐昆集团浙江恒盛化纤有限公司_202511478241.1
    本发明涉及一种提升有光扁平丝产品质量的生产设备及方法；其中一种提升有光扁平丝产品质量的生产设备，包括：用于成型出多个扁平丝的成型机构、设置于成型机构的下方并用于将扁平丝成绞后进行染色的染色机构、设置于染色机构的外侧并用于对绞线上油的上油机构...
    2026-03-17
  • 一种可回收再利用的纤维制备方法及设备
    一种可回收再利用的纤维制备方法及设备_江苏恒泽复合材料科技有限公司_202511548761.5
    本发明涉及喷丝板辅助组件技术领域，且公开了一种可回收再利用的纤维制备方法及设备，包括设备主体，所述设备主体的顶部固定连接有进料室，设备主体的一端表面处固定连接有控制中心，设备主体的左右两侧处均固定连接有处理组件，处理直线远离设备主体一端的内...
    2026-03-17
  • 溶解及脱泡设备
    溶解及脱泡设备_台湾中华纸浆股份有限公司_202510916338.X
    一种溶解及脱泡设备包括溶解槽、真空泵、循环泵与至少一个过滤器。溶解槽配置以容纳黏胶液。真空泵连接溶解槽的顶部，配置以移除黏胶液中的气泡。循环泵连接溶解槽的底部，配置以从溶解槽抽取黏胶液。过滤器连接循环泵与溶解槽，且位于循环泵的下游与溶解槽的...
    2026-03-17
  • 基于三维流化床与多物理场协同的桑蚕丝脱胶方法和装置
    基于三维流化床与多物理场协同的桑蚕丝脱胶方法和装置_宁波菩灿新材料有限公司_202511672095.6
    本发明涉及一种基于三维流化床与多物理场协同的桑蚕丝清洁脱胶方法和装置，通过预处理、中间处理、精细脱胶等环节，采用三维流化床，并放置电荷传导介质与电解工作液，对桑蚕丝进行高效的脱胶处理。本发明的法方脱胶率92‑96%，总处理时间≤180 分钟...
    2026-03-17
  • 亚麻纤维的高效制取方法
    亚麻纤维的高效制取方法_宁夏舜昌亚麻纺织科技有限公司_202511464191.1
    本申请公开了一种亚麻纤维的高效制取方法，涉及纺织原料加工技术领域，方法包括：对第一亚麻干茎进行生物酶催化预处理，得到酶解麻茎；对酶解麻茎进行分级处理，得到高档麻原料、常规麻原料和短麻下脚料；将短麻下脚料送入多级逆流萃取装置中进行多级逆流萃取...
    2026-03-17
  • 单晶正极材料及其制备方法、性能评估方法和应用
    单晶正极材料及其制备方法、性能评估方法和应用_天津巴莫科技有限责任公司_202511351017.6
    本申请涉及单晶正极材料及其制备方法、性能评估方法和应用，对满电态的该单晶正极材料进行热重处理后，得到的材料具有多孔结构，且该材料的孔隙率大于或等于0.3%，热重处理的条件包括：升温速率小于或等于20℃/min，目标温度为200℃~800℃，...
    2026-03-17
  • 一种非金属元素掺杂二维铁磁材料及其制备方法
    一种非金属元素掺杂二维铁磁材料及其制备方法_南京邮电大学_202511380451.7
    本发明涉及半导体铁磁材料技术领域，公开了一种非金属元素掺杂二维铁磁材料及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：将Fe粉、Ge粉、Te粉、Se粉或者S粉混合均匀放入石英管中，添加碘颗粒作为输运剂，对石英管抽真空后密封；将密封好的石英管水平放入双...
    2026-03-17
  • 移动加热器法生长碲锌镉晶体用的加热单元及方法
    移动加热器法生长碲锌镉晶体用的加热单元及方法_中国电子科技集团公司第十一研究所_202511518624.7
    本发明提出了一种移动加热器法生长碲锌镉晶体用的加热单元及方法。加热单元包括沿轴方向依次设置的：第一加热单元、第一陶瓷板、窄加热单元、第二陶瓷板及第二加热单元；其中，窄加热单元的高度比晶体生长直径大20mm~40mm，窄加热单元包括：在晶体的...
    2026-03-17
  • 一种磷石膏制备硫酸钙晶须的方法
    一种磷石膏制备硫酸钙晶须的方法_安顺学院_202511469088.6
    本发明涉及磷化工的技术领域，特别涉及一种磷石膏制备硫酸钙晶须的方法，包括如下步骤：步骤一：将磷石膏原料在400–500℃下焙烧1–2小时，使有机质碳化、氟化物挥发，焙烧后粉磨至200目，按照固液比1 : 8加水进行调浆，并加入0.5％聚丙烯...
    2026-03-17
  • 一种单晶六方氮化硼薄膜及其制备方法
    一种单晶六方氮化硼薄膜及其制备方法_西安电子科技大学_202511474461.7
    本发明公开了一种单晶六方氮化硼薄膜及其制备方法，属于单晶薄膜材料制备技术领域，制备方法包括：将多晶合金箔悬浮并进行退火处理，去除多晶合金箔表面的氧化层并在表面形成平行台阶，得到单晶合金箔；对单晶合金箔进行BN沉积，再进行退火处理后，将扩散完...
    2026-03-17
  • 一种低电阻率且电阻率均匀性好的4H-SiC单晶晶体及单晶衬底
    一种低电阻率且电阻率均匀性好的4H-SiC单晶晶体及单晶衬底_上海天岳半导体材料有限公司_202511833510.1
    本申请公开了一种低电阻率且电阻率均匀性好的4H‑SiC单晶晶体及单晶衬底，属于4H‑SiC单晶制备技术领域。所述4H‑SiC单晶衬底在任意位置处的电阻率均大于6mΩ·cm且小于12mΩ·cm，所述4H‑SiC单晶衬底的电阻率变异系数≤5%，...
    2026-03-17
  • 一种Mn4+掺杂氟镓酸铷锂单晶红光材料以及制备方法
    一种Mn4+掺杂氟镓酸铷锂单晶红光材料以及制备方法_华南理工大学_202511467248.3
    本发明公开一种Mn4+掺杂氟镓酸铷锂单晶红光材料及其制备方法与应用。该Mn4+掺杂氟镓酸铷锂单晶红光材料为单晶体材料，晶体粒径为0.01～2 mm。该材料化学式为Rb2LiGaF6：xMn4+，其中x=0.5～9%。本发明采用饱和溶液析晶法...
    2026-03-17
  • Ag(Te2O3)(PO4)化合物及其晶体、制备方法和应用
    Ag(Te2O3)(PO4)化合物及其晶体、制备方法和应用_天津理工大学_202511177876.8
    本发明公开了一种Ag(Te2O3)(PO4)化合物及其晶体、制备方法和应用，本发明的Ag(Te2O3)(PO4)晶体透光范围宽，在0.3～5.5μm之间均可透光，紫外截止边可以达到274nm，可以应用于紫外‑中远红外区域，在非线性光学、激光...
    2026-03-17
  • 一种电化学制备碱式氯化镁晶须的方法
    一种电化学制备碱式氯化镁晶须的方法_青海大学_202511717401.3
    本发明公开了一种电化学制备碱式氯化镁晶须的方法，属于镁盐晶须制备技术领域。该方法以镁盐溶液为阳极液、氯化镁溶液为阴极液，采用阳离子交换膜分隔阳极室与阴极室，石墨电极为阳极，铂或铜电极为阴极，构建隔膜电解系统。通入直流电后，在阴极室生成阴极乳...
    2026-03-17
  • 大面积CsPbBr3单晶薄膜及其制备方法和应用
    大面积CsPbBr3单晶薄膜及其制备方法和应用_南方科技大学_202511460437.8
    本发明提供一种大面积CsPbBr3单晶薄膜及其制备方法和应用，制备步骤为：S1、将CsBr和PbBr2混合并研磨均匀，于惰性气体气氛中煅烧得混合物；S2、混合物置于管式炉的上游区，基片置于管式炉的下游区，抽真空后，持续通入惰性气体使混合物反...
    2026-03-17
  • 一种在具有倾斜角的六方碳化硅衬底上生长氧化镓薄膜的方法
    一种在具有倾斜角的六方碳化硅衬底上生长氧化镓薄膜的方法_厦门大学_202511455159.7
    一种在具有倾斜角的六方碳化硅衬底上生长氧化镓薄膜的方法，涉及薄膜材料的制备领域。六方碳化硅衬底选择(0001)晶向且朝向(11‑20)晶向具有2°~6°倾斜角，最优为4°倾斜角；对六方碳化硅衬底表面进行预处理清洗，然后转入分子束外延生长系统...
    2026-03-17
  • 一种氮化物薄膜及半导体器件
    一种氮化物薄膜及半导体器件_苏州大学_202511408532.3
    本发明公开了一种氮化物薄膜，所述氮化物薄膜为在石墨烯上远程外延生长得到，所述石墨烯覆盖在衬底上，所述石墨烯与衬底之间的相对转角为0±0.1°。本发明的氮化物薄膜，通过控制石墨烯与衬底之间的相对转角为0±0.1°，增强二者之间的相互作用，从而...
    2026-03-17
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