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最新专利技术
  • 聚合物及包含该聚合物的感光性树脂组合物、铜糊、液态组合物、半导体器件的制造方法及半导体连接用铜柱的制造方法
    聚合物及包含该聚合物的感光性树脂组合物、铜糊、液态组合物、半导体器件的制造方法及半导体连接用铜柱的制造方法_株式会社大赛璐_202480035880.8
    本发明提供与以往相比能够降低接合温度的液态组合物。用于半导体连接用柱彼此的接合辅助的液态组合物包含还原性有机物、碱性化合物、以及除上述碱性化合物所包含的化合物以外的配位性有机化合物，上述配位性有机化合物具有比上述还原性有机物更高的沸点。
    2026-01-01
  • 半导体元件、半导体装置、电力转换装置以及半导体元件的制造方法
    半导体元件、半导体装置、电力转换装置以及半导体元件的制造方法_三菱电机株式会社_202480035376.8
    目的在于提供一种能够抑制在设置于半导体基板的上表面的电极上产生裂纹并提高半导体元件的长期可靠性的技术。半导体元件(100)是正面背面导通型的半导体元件，具备：半导体基板(1)；电极(3)，其设置于半导体基板(1)的上表面；保护膜(4)，其覆...
    2026-01-01
  • 在基板的包含斜面部的外周部形成保护膜的成膜方法
    在基板的包含斜面部的外周部形成保护膜的成膜方法_株式会社荏原制作所_202480036339.9
    使用于保护基板外周部的保护膜的品质提高。一种使用等离子在基板的包含斜面部的外周部形成保护膜的成膜方法，包含如下工序：在小于基板的尺寸的载台上，以所述基板的所述外周部从所述载台的外缘突出的方式载置具有彼此相对的第一面和第二面的所述基板的所述第...
    2026-01-01
  • 清洁方法以及等离子体处理装置
    清洁方法以及等离子体处理装置_东京毅力科创株式会社_202480033824.0
    本发明的课题在于提高腔室内的部件的清洁效率。提供一种由具有等离子体处理腔室以及支承等离子体处理腔室内的部件的支承部的等离子体处理装置执行的清洁方法。清洁方法具有：(A)将所述等离子体处理腔室内的部件从所述支承部取下，并从所述等离子体处理腔室...
    2026-01-01
  • 激光加工方法以及晶圆制造方法
    激光加工方法以及晶圆制造方法_株式会社电装_202480036200.4
    本发明涉及激光加工方法以及晶圆制造方法。在表面上的与第一方向(Ds)正交且沿着表面的第二方向(Df)上改变位置的同时进行多次激光扫描，沿着第二方向形成多个由沿着第一方向的线状的激光束的照射痕构成的照射轨迹线(Ls)，上述激光扫描是指使激光束...
    2026-01-01
  • 基板处理装置、处理器具的更换方法以及更换器具
    基板处理装置、处理器具的更换方法以及更换器具_东京毅力科创株式会社_202480036126.6
    本公开说明能够以简易的结构高效地更换处理器具的基板处理装置、处理器具的更换方法以及更换器具。基板处理装置具备：保持部；旋转部，其构成为使保持部旋转；处理器具，其构成为对保持于保持部的基板的表面进行处理；更换器具，其构成为能够装卸地安装于保持...
    2026-01-01
  • 对于晶圆的树脂涂布方法及晶圆的制造方法
    对于晶圆的树脂涂布方法及晶圆的制造方法_信越半导体株式会社_202480035733.0
    本发明是对于晶圆的树脂涂布方法，其是将树脂涂布于晶圆的树脂涂布方法，其特征在于包含如下步骤：准备晶圆，该晶圆具有第一主面及与所述第一主面为相反侧的第二主面；通过保持单元保持所述晶圆的所述第二主面；将树脂供给至与所述晶圆的所述第一主面对置的位...
    2026-01-01
  • 喷嘴及基板处理装置
    喷嘴及基板处理装置_株式会社斯库林集团_202480035332.5
    喷嘴(40)具备喷出口(40a)、顶端部(45)、及内表面(40c)。喷出口(40a)喷出处理液(L1)。在顶端部(45)配置喷出口(40a)。内表面(40c)形成与喷出口(40a)相连的液流路(P1)。至少内表面(40c)由氟树脂形成。在...
    2026-01-01
  • 半导体晶片的清洗方法
    半导体晶片的清洗方法_胜高股份有限公司_202480033976.0
    提出了一种半导体晶片的清洗方法，其能够减少半导体晶片的表面的附着颗粒。本发明的半导体晶片的清洗方法包括：一边使半导体晶片旋转一边清洗所述半导体晶片的第1清洗工序；将所述第1清洗工序后的所述半导体晶片干燥的第1干燥工序；清洗所述第1干燥工序后...
    2026-01-01
  • 硅晶片的清洗方法、硅晶片的制造方法、以及硅晶片
    硅晶片的清洗方法、硅晶片的制造方法、以及硅晶片_胜高股份有限公司_202380098575.9
    本发明的硅晶片的清洗方法是在平面图中，表层改性工序中的氧化剂溶液的供给位置和蚀刻工序中的蚀刻液的供给位置分别位于在径向上与旋转中心具有间隔的位置，在平面图中，所述氧化剂溶液的供给位置与所述蚀刻液的供给位置位于隔着所述旋转中心而相对的位置。本...
    2026-01-01
  • 制造具有凹部结构的部件的方法和具有凹部结构的部件
    制造具有凹部结构的部件的方法和具有凹部结构的部件_AGC株式会社_202480035726.0
    一种方法，具有如下步骤：在被处理体的第1表面的第1区域设置催化剂材料的步骤，第1表面由氟化物的沸点为550℃以下的元素构成，上述催化剂材料包含具有极性官能团的有机化合物，上述催化剂材料在截面观察下，具有彼此相对的具有第1高度H1的第1侧面和...
    2026-01-01
  • 搬运设备、激光照射设备、搬运方法以及用于制造半导体装置的方法
    搬运设备、激光照射设备、搬运方法以及用于制造半导体装置的方法_JSW阿克迪纳系统有限公司_202380098719.0
    根据一实施方式的搬运设备(600)被构造成能够搬运衬底(100)，以用线状的激光(15)来照射衬底(100)，并且其包括：主浮起单元(10)，其包括照射区域，该照射区域被设置在激光的照射位置的正下方，并被构造成能够使衬底在其顶面上浮起；第一...
    2026-01-01
  • 光加热装置
    光加热装置_优志旺电机株式会社_202480035343.3
    本发明提供一种能够更高效地提高加热光对加热对象物的周端部的照度的光加热装置。一种光加热装置，对加热对象物照射光而进行所述加热对象物的加热处理，其特征在于，具备：支承单元，支承所述加热对象物；光源单元，具有在沿被所述支承单元支承的所述加热对象...
    2026-01-01
  • 氧化硅热反射板及其制造方法
    氧化硅热反射板及其制造方法_株式会社古屋金属_202480036179.8
    本发明的目的在于提供一种氧化硅热反射板及其制造方法，所述氧化硅热反射板能够耐受最高1000℃下的使用，与以往相比，氧化硅板与反射体的密合性被良好地维持，反射体的金属成分的劣化被抑制，热反射特性良好，氧化硅板彼此的接合性良好，且使用寿命长。关...
    2026-01-01
  • 用于双重层转移的方法
    用于双重层转移的方法_索泰克公司_202480033639.1
    本发明涉及一种方法，包括：#提供异质结构，该异质结构包括生长衬底(1)、二维材料中间层(2)和外延半导体层(3)；#提供刚性衬底(4)，该衬底包含弱化平面(5)；#通过将刚性衬底与异质结构结合来制造第一组件，第一面(F)和外延层(3)位于结...
    2026-01-01
  • 使用机器学习优化半导体制造过程
    使用机器学习优化半导体制造过程_三角设计公司_202480036884.8
    在一些实施例中，提供一种控制半导体制造过程的计算机实施方法。计算系统通过将计量预估输入提供到计量预估模型来产生目前运行及下一次运行的经预测计量值。所述计算系统使用所述目前运行及所述下一次运行的所述经预测计量值来产生用于执行至少一个半导体制造...
    2026-01-01
  • 用于旨在容纳功率半导体器件的衬底的多晶碳化硅载体及包含这种载体的衬底
    用于旨在容纳功率半导体器件的衬底的多晶碳化硅载体及包含这种载体的衬底_索泰克公司_202480035774.X
    本发明涉及一种用于旨在容纳功率半导体器件的衬底的多晶碳化硅载体。该载体具有第一面(称为“正面”)和第二面(称为“背面”)，并且包括直接布置在正面的下面且电阻率大于或等于1Ω.cm的第一表面层，以及直接布置在背面的下面且电阻率严格小于1Ω.c...
    2026-01-01
  • 接合装置、接合系统以及接合方法
    接合装置、接合系统以及接合方法_东京毅力科创株式会社_202480033914.X
    本公开的接合装置(41)具备第一保持部(230)、第二保持部(231)、可动构件(281a)以及马达(281c)。第一保持部(230)从第一基板(W1)的上方吸附保持第一基板(W1)。第二保持部(231)配置在比第一保持部(230)靠下方的...
    2026-01-01
  • 半导体装置的制造方法及半导体装置
    半导体装置的制造方法及半导体装置_株式会社力森诺科_202380096845.2
    本发明公开了一种半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法包括如下工序：准备第一半导体基板，该第一半导体基板具有第一基板主体、配置于第一基板主体上的第一电极及配置于第一基板主体上的第一电极的周围的第一绝缘层；准备第二半导体基板，该第二半导...
    2026-01-01
  • 改善半导体直接等离子体处理的处理不均匀性的设备
    改善半导体直接等离子体处理的处理不均匀性的设备_应用材料公司_202480026995.0
    本公开内容的实施方式大致上涉及高效感应耦合等离子体源和等离子体处理设备。具体地，实施方式涉及用于改善等离子体均匀性的网格。在一个实施方式中，提供了一种等离子体处理设备。此等离子体处理设备包括处理腔室、设置在处理腔室内的基板支撑件、耦接至处理...
    2026-01-01
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