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最新专利技术
  • 显示装置
    显示装置_三星显示有限公司_202510849380.4
    一种显示装置包括：基底；第一半导体层，包括设置在基底上的第一晶体管的沟道；第一栅极绝缘层，设置在第一半导体层上；第一栅极电极，设置在第一栅极绝缘层上并且与第一晶体管的沟道重叠；第一层间绝缘层，设置在第一栅极电极上；第二半导体层，设置在第一层...
    2026-01-18
  • 显示面板、修复方法及显示装置
    显示面板、修复方法及显示装置_天马新型显示技术研究院(厦门)有限公司_202511615460.X
    本申请涉及一种显示面板、修复方法及显示装置。显示面板包括衬底、第一连接垫、第一修复垫和第一修复线，第一连接垫、第一修复垫位于衬底的第一侧；沿第一方向，第一连接垫和第一修复垫至少部分不交叠；第一方向垂直于显示面板所在平面；第一修复垫包括第一子...
    2026-01-18
  • 显示面板和显示装置
    显示面板和显示装置_厦门市芯颖显示科技有限公司_202511543985.7
    本发明实施例提供一种显示面板和显示装置，显示面板包括：阵列基板，所述阵列基板包括驱动基板和设置在所述驱动基板上且电连接所述驱动基板的多个微型发光器件；中间层，包括：封装层，覆盖在所述阵列基板上；光效层，设置在所述封装层远离所述阵列基板的一侧...
    2026-01-18
  • 显示装置以及包括该显示装置的拼接显示装置和电子装置
    显示装置以及包括该显示装置的拼接显示装置和电子装置_三星显示有限公司_202510831494.6
    提供了一种显示装置和包括该显示装置的拼接显示装置和电子装置。显示装置包括：基底；第一电极，在基底上方；第二电极，在基底上方；第一垫电极，分别在第一电极上方；第二垫电极，分别在第二电极上方；发光元件，分别在第一垫电极和第二垫电极上方；第一源极...
    2026-01-18
  • 全景光COB结构LED光源及其封装方法
    全景光COB结构LED光源及其封装方法_东莞市立德达光电科技有限公司_202511352273.7
    本发明属于LED技术领域，尤其涉及一种全景光COB结构LED光源及其封装方法。全景光COB结构LED光源包括LED晶片、支架、TiO2白胶围坝层和荧光封装胶；本发明所调得到的白光色温从1800K‑20000K，R9>80，R13>93，Ra...
    2026-01-18
  • 发光器件及其剥离方法、显示面板
    发光器件及其剥离方法、显示面板_苏州市晟隆光电有限公司_202511286831.4
    本申请提供一种发光器件及其剥离方法、显示面板，发光器件剥离方法包括：提供包括第一基板及位于第一基板一侧的多个发光器件的器件晶圆；提供第二基板；第二基板一侧设置有粘附层；将发光器件与第二基板设有粘附层的一侧粘接，第一基板与粘附层之间具有间隙；...
    2026-01-18
  • 基于点胶参数调节的幻彩光源封装方法、装置及设备
    基于点胶参数调节的幻彩光源封装方法、装置及设备_深圳市两岸半导体科技有限公司_202511760211.X
    本发明涉及半导体封装技术领域，解决了现有技术中无法基于光源结构特性与发光性能反馈，提高封装过程中点胶控制的准确度的问题，提供了一种基于点胶参数调节的幻彩光源封装方法、装置及设备。该方法包括：根据待封装处理的幻彩光源的光源类型，确定预设封装尺...
    2026-01-18
  • 高光效高寿命LED光源及其制备方法
    高光效高寿命LED光源及其制备方法_东莞市立德达光电科技有限公司_202511474139.4
    本发明属于LED技术领域，尤其涉及一种高光效高寿命LED光源及其制备方法，包括支架、蓝光LED晶片、引线、白光胶层以及双层荧光胶层，双层荧光胶层填充满碗杯，双层荧光胶层包括第一荧光胶层和第二荧光胶层；第一荧光胶层包括胶水、NSF荧光粉与氮化...
    2026-01-18
  • 一种器件支架、发光器件及发光模组
    一种器件支架、发光器件及发光模组_高州市国星光电科技有限公司_202511422174.1
    本发明公开了一种器件支架、发光器件及发光模组，其涉及半导体器件技术领域，该器件支架包括支架主体和环形围坝，支架主体中设置有第一凹槽，环形围坝的内壁沿第一凹槽的凹槽开口设置，环形围坝内的围坝空间与第一凹槽内的凹槽空间连通形成杯状槽；该发光器件...
    2026-01-18
  • 发光元件
    发光元件_晶元光电股份有限公司_202511237558.6
    本发明公开一种发光元件，其包含半导体结构，包含第一半导体层、第二半导体层位于第一半导体层上、及活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间，且第二半导体层包含第一边缘；第一绝缘结构，位于第二半导体层上接触第一边缘，且包含开孔于第二半导体层上；反...
    2026-01-18
  • 发光二极管及其制备方法
    发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511096287.7
    本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括：外延结构和复合反射结构；复合反射结构包括第一绝缘反射子层、金属反射子层和第二绝缘反射子层；第一绝缘反射子层位于外延结构的一侧，金属反射子层位于第一绝缘反射子层的远离外延结构的一侧，第二...
    2026-01-18
  • 发光二极管及发光二极管制备方法
    发光二极管及发光二极管制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511094819.3
    本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。所述发光二极管包括：衬底、外延结构、第一电极结构、反射层和第二电极结构；外延结构位于衬底上，外延结构被隔离槽分割成第一外延结构和第二外延结构，第一外延结构和第二外延结构的表面积之和与衬底的表面...
    2026-01-18
  • 一种发光二极管结构、其形成方法及发光二极管器件
    一种发光二极管结构、其形成方法及发光二极管器件_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202410825202.3
    本发明公开了一种发光二极管结构、其形成方法及发光二极管器件。发光二极管结构包括：从下到上形成在衬底上的电子提供层、多量子阱结构、电子阻挡层及空穴提供层；电子阻挡层设于多量子阱结构的空穴侧与空穴提供层之间；在电子阻挡层与多量子阱结构之间还设置...
    2026-01-18
  • 一种低工作电流密度青光LED外延结构及其制备方法
    一种低工作电流密度青光LED外延结构及其制备方法_江西兆驰半导体有限公司_202511252671.1
    本发明涉及半导体器件技领域，尤其涉及一种低工作电流密度青光LED外延结构及其制备方法。所述LED外延结构的多量子阱发光层之上不设置电子阻挡层，多量子阱发光层包括由下至上依次层叠生长的第一浅蓝光多量子阱层、第二蓝光多量子阱层、第三青光多量子阱...
    2026-01-18
  • 一种低工作电流密度绿光Micro-LED外延结构及其制备方法
    一种低工作电流密度绿光Micro-LED外延结构及其制备方法_江西兆驰半导体有限公司_202511252670.7
    本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种低工作电流密度绿光Micro‑LED外延结构及其制备方法。所述外延结构包括衬底、缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、P型半导体层；多量子阱发光层之上不设置电子阻挡层，且多量子阱发光...
    2026-01-18
  • 一种深紫外LED外延结构、包含其的深紫外LED器件及制备方法
    一种深紫外LED外延结构、包含其的深紫外LED器件及制备方法_武汉纺织大学_202511379165.9
    本发明公开了一种深紫外LED外延结构、包含其的深紫外LED器件及制备方法，所述外延结构由下至上依次包括蓝宝石衬底、AlN纳米线阵列层、AlN本征层以及AlGaN发光结构层，所述AlGaN发光结构层进一步包括n型AlGaN电子注入层、量子阱有...
    2026-01-18
  • 氮极性氮化镓发光二极管及其制备方法和芯片互连系统
    氮极性氮化镓发光二极管及其制备方法和芯片互连系统_湖北九峰山实验室_202511404577.3
    本申请公开了一种氮极性氮化镓发光二极管及其制备方法和芯片互连系统，涉及发光二极管技术领域，制备方法包括：提供外延衬底；沿氮化镓的[0001]晶向，在外延衬底的表面上形成具有镓极性面的LED薄膜结构，LED薄膜结构包括依次形成的p型层、发光层...
    2026-01-18
  • 一种新能源车灯LED芯片封装设备及工艺
    一种新能源车灯LED芯片封装设备及工艺_丹阳市中飞汽车部件有限公司_202511328838.8
    本发明公开了一种新能源车灯LED芯片封装设备及工艺，涉及芯片封装设备技术领域，包括：控制底座，内侧连接有同轴反转机构；中心调节装置，固定在控制底座的顶部中心；正反转工作台，设置在控制底座的顶部，内侧与同轴反转机构相连接，且所述正反转工作台分...
    2026-01-18
  • 降低剥离难度的基板和发光二极管及其剥离方法
    降低剥离难度的基板和发光二极管及其剥离方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511094870.4
    本公开提供了一种降低剥离难度的基板和发光二极管及其剥离方法，属于光电子制造技术领域。该基板包括衬底、图形层和牺牲层，所述牺牲层和图形层依次层叠在所述衬底的表面上，所述图形层的远离所述衬底的表面为粗化面，所述牺牲层的材料带隙小于或者等于用于形...
    2026-01-18
  • 一种切片电池及其制备方法
    一种切片电池及其制备方法_帝尔激光科技(无锡)有限公司_202511486897.8
    提供切片电池及制备方法，切片电池一侧或相对的两侧表面为切割面，电池包括硅基底，其正面包括发射极区和邻近切割面设置的隔离区，隔离区的多个倒金字塔结构凹坑连接在平行切割面方向贯穿电池；倒金字塔结构凹坑区域无发射极层，发射极区和隔离区的非倒金字塔...
    2026-01-18
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