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最新专利技术
  • 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用
    一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用_正泰新能科技股份有限公司_202410792908.4
    本发明提供了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用，所述钙钛矿太阳能电池包括基底，以及层叠设置在所述基底上的第一电极层、第一载流子传输层、钙钛矿吸光层、第二载流子传输层和第二电极层；其中，所述第一载流子传输层和第二载流子传输层分别位于钙钛矿...
    2026-01-01
  • 一种钙钛矿电池组件及其制作方法
    一种钙钛矿电池组件及其制作方法_常州亚玛顿股份有限公司_202511190366.4
    本发明公开了一种钙钛矿电池组件及其制作方法，该电池组件包括依次层叠设置的玻璃基板、前电极、第一电荷传输层、钙钛矿吸光层、缓冲层、第二电荷传输层、背电极、封装层及背玻璃；前电极为复合电极结构，其包括层叠设置于玻璃基板上的第一平面电极层和若干凸...
    2026-01-01
  • 钙钛矿-硅叠层太阳电池及其制备方法、光伏组件
    钙钛矿-硅叠层太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202510460682.2
    本发明公开了一种钙钛矿‑硅叠层太阳电池及其制备方法、光伏组件，该钙钛矿‑硅叠层太阳电池的制备方法包括以下步骤：在硅底电池基体上制备第一电极；其中，硅底电池基体的背光面最外层为第一透明导电层，第一电极设于第一透明导电层上，第一电极相对第一透明...
    2026-01-01
  • 一种背电极、钙钛矿光伏电池及其激光划刻方法
    一种背电极、钙钛矿光伏电池及其激光划刻方法_极电光能有限公司_202410784007.0
    本发明涉及光电子器件技术领域，尤其是涉及一种背电极、钙钛矿光伏电池及其激光划刻方法。本发明的一种背电极，包括依次层叠接触设置的第一电极层和第二电极层，所述第一电极层中在层厚方向上设置有至少一层所述第三电极层，且所述第三电极层将所述第一电极层...
    2026-01-01
  • 钙钛矿太阳电池及其制备方法、光伏组件
    钙钛矿太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202510615553.6
    本发明涉及太阳电池技术领域，公开一种钙钛矿太阳电池及其制备方法、光伏组件，所述钙钛矿太阳电池包括：基底；依次设于所述基底上的空穴传输层、界面修饰层和钙钛矿活性层；其中，所述界面修饰层包括自组装单分子以及二维钙钛矿，所述自组装单分子包括膦酸类...
    2026-01-01
  • 一种改善有机无机杂化钙钛矿薄膜的功能层及其制备方法与用途
    一种改善有机无机杂化钙钛矿薄膜的功能层及其制备方法与用途_正泰新能科技股份有限公司_202410792901.2
    本发明提供了一种改善有机无机杂化钙钛矿薄膜的功能层及其制备方法与用途，所述功能层含有特定的有机小分子，两种有机小分子的端基均包括氟、氯、溴、碘、羟基或氨基中的至少一种；通过将功能层设置于钙钛矿薄膜的底部，即无机A位阳离子聚集的一端，利用特定...
    2026-01-01
  • 叠层电池及其制备方法和光伏组件
    叠层电池及其制备方法和光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511720909.9
    本申请实施例涉及光伏领域，提供一种叠层电池及其制备方法和光伏组件，该叠层电池包括依次叠置的第一电极、电子传输层、钝化层、钙钛矿吸收层、空穴传输层、硅底层和第二电极；其中，钝化层的材料为CsPbCl3，CsPbCl3的尺寸为量子点级别，钙钛矿...
    2026-01-01
  • 一种钙钛矿太阳电池及其制备方法、光伏组件
    一种钙钛矿太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202510800511.X
    本申请涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种钙钛矿太阳电池及其制备方法、光伏组件。该钙钛矿太阳电池，包括钙钛矿层、电子传输层以及介电修饰层。钙钛矿层含有钙钛矿材料。在钙钛矿层的厚度方向上，电子传输层设置在钙钛矿层的一侧。介电修饰层设置在钙钛矿层...
    2026-01-01
  • 钙钛矿太阳电池及其制备方法、光伏组件
    钙钛矿太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202510800204.1
    本申请属于太阳电池的技术领域，具体公开了一种钙钛矿太阳电池及其制备方法、光伏组件，该钙钛矿太阳电池包括依次叠层设置的第一无机钙钛矿层、有机‑无机钙钛矿层和第二无机钙钛矿层。本申请能够提升钙钛矿太阳电池的稳定性，实现钙钛矿太阳电池使用寿命的延...
    2026-01-01
  • 一种太阳电池及其制备方法、光伏组件
    一种太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202510668112.2
    本申请提供了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件，太阳电池包括基底以及设置在基底上的顶电池，顶电池包括层叠设置的钙钛矿层和电子传输层，以及第一氧化铝层，设置于钙钛矿层背离电子传输层的一面；第二氧化铝层，设置于电子传输层背离钙钛矿层的一面；第一...
    2026-01-01
  • 太阳电池及其制备方法
    太阳电池及其制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202510539061.3
    本申请涉及一种太阳电池及其制备方法。本申请的太阳电池，包括层叠设置的吸光层、空穴修饰层以及空穴传输层；空穴修饰层位于吸光层和空穴传输层之间；空穴修饰层的材料包括自组装单分子层材料中的至少一种，以及多金属氧酸盐中的至少一种。本申请的太阳电池能...
    2026-01-01
  • 复合钝化剂、太阳电池及其制备方法、光伏组件
    复合钝化剂、太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202510022146.4
    本发明涉及太阳电池的技术领域，具体公开了一种复合钝化剂、太阳电池及其制备方法、光伏组件，该复合钝化剂用于太阳电池中钙钛矿层的表面，复合钝化剂包括热响应聚(N‑异丙基丙烯酰胺‑共‑丙烯酰胺)和钝化剂。本发明的复合钝化剂不但可以更好地持续钝化钙...
    2026-01-01
  • 一种5-氨基间苯二甲酸协同调控的铅基钙钛矿太阳能电池及其制备方法
    一种5-氨基间苯二甲酸协同调控的铅基钙钛矿太阳能电池及其制备方法_广东工业大学_202511075924.2
    本发明公开了一种5‑氨基间苯二甲酸协同调控的铅基钙钛矿太阳能电池及其制备方法，属于光伏太阳能电池技术领域。本发明通过在反溶剂添加5‑氨基间苯二甲酸，优化了钙钛矿薄膜质量，提高了铅基钙钛矿太阳能电池器件的填充因子和光电转化效率。进一步通过在钙...
    2026-01-01
  • 钙钛矿太阳电池及其制备方法、光伏组件
    钙钛矿太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202510728954.2
    本申请涉及太阳电池领域，公开一种钙钛矿太阳电池及其制备方法、光伏组件。该钙钛矿太阳电池的基底的至少一表面上具有第一表面织构化结构，第一表面织构化结构包括若干第一金字塔结构；钙钛矿层设于具有第一表面织构化结构的表面上，钙钛矿层背离第一表面织构...
    2026-01-01
  • 钙钛矿太阳电池及其制备方法、光伏组件
    钙钛矿太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202510021069.0
    本发明涉及太阳电池的技术领域，具体公开了一种钙钛矿太阳电池及其制备方法、光伏组件，该钙钛矿太阳电池包括叠层设置的钙钛矿层和电子传输层，电子传输层包括掺镍氧化锡。本发明不但可以有效降低电子传输层出现裂纹扩展和大规模分层的可能性，提升太阳电池的...
    2026-01-01
  • 一种十字形纳米线柔性硅基杂化太阳电池
    一种十字形纳米线柔性硅基杂化太阳电池_山东理工大学_202511395472.6
    本发明公开了一种十字形纳米线柔性硅基杂化太阳电池，该太阳电池集成了硅纳米线的自聚光特性，由此带来了开路电压的提升，同时集成了超薄柔性硅基太阳电池的柔韧性，并一定程度上缓解了超薄柔性硅基太阳电池的光吸收弱的缺点；该太阳电池主要包括十字形硅纳米...
    2026-01-01
  • 一种微米导线阵列离子-电子耦合法向传输的双功能器件及其制备方法
    一种微米导线阵列离子-电子耦合法向传输的双功能器件及其制备方法_哈尔滨工业大学_202511301772.3
    一种微米导线阵列离子‑电子耦合法向传输的双功能器件及其制备方法，涉及一种离子‑电子传输的器件及其制备方法。为了解决现有光电催化系统中能量转化效率随电极面积增大而快速下降的问题。本发明的微米导线阵列离子‑电子耦合法向传输的双功能器件通过其独特...
    2026-01-01
  • 一种可光电补偿的有机电化学晶体管反相器及其制备方法
    一种可光电补偿的有机电化学晶体管反相器及其制备方法_电子科技大学_202511377951.5
    本发明公开了一种可光电补偿的有机电化学晶体管反相器及其制备方法，属于有机电化学晶体管技术领域，通过在由n型和p型OECT构成的互补型反相器的n型OECT活性层表面制备光调控敏感层，可通过光照在光调控敏感层内生成光生电子，以进一步吸引电解质中...
    2026-01-01
  • 一种能够提升电流开关比的双平面体异质结场效应晶体管器件及制备方法
    一种能够提升电流开关比的双平面体异质结场效应晶体管器件及制备方法_燕山大学_202511301938.1
    本发明的一种能够提升电流开关比的双平面体异质结结构场效应晶体管器件及制备方法属于有机场效应晶体管领域。所述场效应晶体管器件结构依次包括N型重掺杂硅的栅极(6)、SiO2介电层(5)、P型有机材料(4)、N型有机材料和P型有机材料共混层(3)...
    2026-01-01
  • 一种基于HZO的CNT薄膜晶体管及其制备方法
    一种基于HZO的CNT薄膜晶体管及其制备方法_桂林电子科技大学_202511242119.4
    本发明涉及场效应管器件设计技术领域，具体涉及一种基于HZO的CNT薄膜晶体管及其制备方法，结构包括硅基衬底、SiO2掩蔽层、栅电极层、HZO栅介质层、CNT导电沟道层、源漏电极；具体通过采用原子层沉积(ALD)工艺优化HfO2/ZrO2循环...
    2026-01-01
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