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最新专利技术
  • 一种用于光伏电池的复合电极的制备方法及系统
    一种用于光伏电池的复合电极的制备方法及系统_正泰新能科技股份有限公司_202411853695.8
    公开了一种用于光伏电池的复合电极的制备方法及系统，其中的制备方法包括：将预制浆料施加在电池片上，形成栅线电极；其中，所述栅线电极包括第一导电结构以及分散在所述第一导电结构中的临时占位物料；腐蚀去除所述栅线电极中的临时占位物料，形成具有空位的...
    2025-12-29
  • 一种复合钝化背接触电池制备方法及复合钝化背接触电池
    一种复合钝化背接触电池制备方法及复合钝化背接触电池_正泰新能科技股份有限公司_202411038587.5
    本发明公开了一种复合钝化背接触电池制备方法及复合钝化背接触电池，应用于光伏电池领域，包括提供背侧形成有交错排布的第一钝化区域和第二钝化区域的电池预制硅片，并仅在第一钝化区域形成第一钝化层；在形成第一钝化层的电池预制硅片的背表面制备第二钝化层...
    2025-12-29
  • 一种电池制备方法及电池
    一种电池制备方法及电池_正泰新能科技股份有限公司_202410826891.X
    本申请公开了一种电池制备方法及电池，属于太阳能电池领域，该方法包括：对N型衬底的正面进行硼扩散，在N型衬底的正面形成掺杂层和硼硅玻璃层；其中，掺杂层中包含间隙掺杂的非活性硼；去除N型衬底的正面的硼硅玻璃层；去除硼硅玻璃层后，通过短波激光对N...
    2025-12-29
  • 一种电池及其制备方法
    一种电池及其制备方法_正泰新能科技股份有限公司_202410825641.4
    本申请涉及光伏领域，公开了一种电池及其制备方法，包括对N型硅基底进行B扩散，使正面形成B扩散层和第一氧化层；利用第一激光对第一氧化层进行图形化消融以形成图形化凹槽，并将第一氧化层的B元素推进到图形化凹槽下方；利用第二激光照射图形化凹槽所在区...
    2025-12-29
  • 激光控制方法、装置、存储介质、电子设备及激光机
    激光控制方法、装置、存储介质、电子设备及激光机_一道新能源科技股份有限公司_202410755001.0
    本公开涉及一种激光控制方法、装置、存储介质、电子设备及激光机，该方法包括：获取第一加工时间段内待加工的目标工件的多个电压值和电流值，并根据该多个电压值，确定该目标工件在该第一加工时间段内电压的第一电压变化率，并根据该多个电流值，确定该目标工...
    2025-12-29
  • 电池及电池的制备方法、光伏组件及光伏组件的制备方法
    电池及电池的制备方法、光伏组件及光伏组件的制备方法_扬州阿特斯太阳能电池有限公司_202410747620.5
    本发明公开了一种电池及电池的制备方法、光伏组件及光伏组件的制备方法，电池的制备方法，包括如下步骤：提供基片，所述基片包括正面和背面；制备第一沟槽，在所述基片的正面朝向所述基片的内部开槽，形成与正面栅极图案对应的第一沟槽；印刷掩膜层，在所述基...
    2025-12-29
  • 一种半片电池片处理装置
    一种半片电池片处理装置_无锡奥特维旭睿科技有限公司_202410720475.1
    本申请公开了一种电池片处理装置，属于光伏电池领域。电池片处理装置包括：机架；连接于机架的旋转台和电极模组。旋转台能够通过旋转使得电池片处于不同的工位。在旋转台旁侧、且连接于机架的电极模组具有能够被独立或同步地操作以动作的接触丝以及多组压接件...
    2025-12-29
  • 超导单光子探测器混合集成光芯片、封装方法及封装结构
    超导单光子探测器混合集成光芯片、封装方法及封装结构_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202511481335.4
    本发明提供一种超导单光子探测器混合集成光芯片、封装方法及封装结构，通过将光芯片与超导纳米线混合集成，借助波导中光子的倏逝场耦合，实现片上接近100%的光子探测效率，解决了片外SNSPD高损耗，系统集成度较低的问题。通过杂散光屏蔽槽降低暗计数...
    2025-12-29
  • 一种CMOS图像传感器封装结构
    一种CMOS图像传感器封装结构_格科微电子(浙江)有限公司_202511305193.6
    本发明公开了一种CMOS图像传感器封装结构，通过将图像传感器芯片上引出的金属导线悬空部分设置成长短交错，以此连接交错设置的焊盘，同时设置支架结构为将较长的金属导线提供支撑，进而在提高封装结构焊接可靠性的同时，使得长短不一的金属导线末端线型和...
    2025-12-29
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510254633.3
    公开了一种图像传感器，包括：衬底，其具有由像素隔离结构限定的像素区域；在像素区域中的第一有源区域和器件隔离结构；以及在像素区域上的源极跟随器栅极电极。第一有源区域具有鳍状横截面，并且源极跟随器栅极电极覆盖第一有源区域的顶表面和第一有源区域的...
    2025-12-29
  • 一种红外芯片封装器件
    一种红外芯片封装器件_睿创微电子(烟台)有限公司_202511628671.7
    本发明公开了一种红外芯片封装器件，包括依次堆叠设置的红外芯片、支撑框架板和红外透光片：红外芯片的上表面具有感光区域，感光区域中形成有多个红外感光单元；支撑框架板正对感光区域的位置开设有透光通孔；红外透光片覆盖透光通孔所在区域，以使红外透光片...
    2025-12-29
  • 图像感测装置
    图像感测装置_爱思开海力士有限公司_202510467342.2
    图像感测装置包括：半导体基板，其包括第一表面以及面向第一表面或与第一表面相对的第二表面；光电转换区域，其由半导体基板支撑并且被配置为响应于通过第一表面接收的入射光而生成光电荷；以及像素隔离结构，其在半导体基板中设置在相邻的光电转换区域之间并...
    2025-12-29
  • 0阈值压力、光电一体传感器及其制备方法、传感系统
    0阈值压力、光电一体传感器及其制备方法、传感系统_江南大学_202511137758.4
    本发明公开了一种0阈值压力、光电一体传感器及其制备方法、传感系统，属于传感器技术领域。所述传感器包括硅衬底、缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层、GaN盖层，利用二维电子气的压电效应实现压力信号传感，本发明通过转移工艺在压力...
    2025-12-29
  • 背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器
    背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511706458.3
    本公开涉及一种背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器，涉及集成电路技术领域，包括：提供衬底，衬底内包括沿第一方向间隔分布的多个沟槽隔离部，于衬底的背面形成第一叠层后，形成沿第一方向间隔分布，沿靠近衬底的第二方向延伸至第一叠层内的多个第一...
    2025-12-29
  • 背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器
    背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511689280.6
    本公开涉及一种背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器，涉及集成电路技术领域，包括：提供衬底，衬底内包括沿第一方向间隔分布的多个沟槽隔离部；自对准多个沟槽隔离部，形成包括沿第一方向间隔分布的多个第一目标图案的第一型底层半导体层，第一目标图...
    2025-12-29
  • 一种抑制暗电流的光敏阵列半导体制造方法及光敏阵列
    一种抑制暗电流的光敏阵列半导体制造方法及光敏阵列_中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心_202511287253.6
    本发明公开了一种抑制暗电流的光敏阵列半导体制造方法及光敏阵列，包括：第一：通过光敏单元沟阻工艺中引入多分组能量多注入角度多剂量组分的离子注入工艺，可以最大程度的降低不同类型杂质过渡区的密度突变，同时降低了单次高能注入造成晶格轰击损伤，抑制硅...
    2025-12-29
  • 用于背照式传感器的金属栅格形成工艺
    用于背照式传感器的金属栅格形成工艺_华虹半导体(无锡)有限公司_202511223905.X
    本申请公开了一种用于背照式传感器的金属栅格形成工艺，包括：提供一衬底，衬底中形成有若干深沟槽隔离结构，衬底表面依次形成有氧化物侧壁层、二氧化硅填充层和黏附层，黏附层上形成有金属层；在金属层上沉积氮化硅掩膜层；在氮化硅掩膜层上依次形成氧化硅层...
    2025-12-29
  • 探测器制备方法和探测器
    探测器制备方法和探测器_赛诺威盛科技(北京)股份有限公司_202511201122.1
    本公开实施例提供的探测器制备方法和探测器，包括：制备形成标识结构层，其中，标识结构层包括对位区域和贴装区域，对位区域包括第一对位标识和第二对位标识，第一对位标识和第二对位标识在标识结构层的第一面和第二面均可见；根据第一对位标识、第二对位标识...
    2025-12-29
  • 金属互连结构及其形成方法
    金属互连结构及其形成方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511134087.6
    本申请公开了一种形成金属互连结构的方法及金属互连结构。该方法包括：在基底上依次形成第二导电层和第一导电层；对第一导电层进行图形化处理以形成第一导电图形；并以该第一导电图形为掩模的一部分，对第二导电层进行蚀刻，以形成第二导电图形。本申请还公开...
    2025-12-29
  • 基于硅衬底的同质结雪崩光电探测器及其制备方法
    基于硅衬底的同质结雪崩光电探测器及其制备方法_西北工业大学_202511184879.4
    本申请公开了一种基于硅衬底的同质结雪崩光电探测器及其制备方法，属于光电探测器技术领域。所述同质结雪崩光电探测器从下至上依次包括：衬底层、栅电极、绝缘层、同质结薄膜层、保护层，以及源电极和漏电极；同质结薄膜层包括第一薄膜层、第二薄膜层和第三薄...
    2025-12-29
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