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最新专利技术
  • 半导体器件及其制备方法、存储器、电子设备
    半导体器件及其制备方法、存储器、电子设备_华为技术有限公司_202410749517.4
    本申请实施例提供一种半导体器件及其制备方法、存储器、电子设备，涉及电子技术领域，用于降低金属硅化物层对晶体管性能的影响。半导体器件包括调控层，掺杂元素在调控层靠近基底的一侧的浓度，大于，掺杂元素在调控层远离基底一侧的浓度。调控层靠近基底一侧...
    2025-12-29
  • 高压大电流SiC MOSFET芯片及其制备工艺
    高压大电流SiC MOSFET芯片及其制备工艺_北京国联万众半导体科技有限公司_202511354536.8
    本发明公开了一种高压大电流SiC MOSFET芯片及其制备工艺，涉及电子元器件技术领域。所述芯片包括位于最底层的衬底层，所述衬底层的上表面形成有双梯度多缓冲层，所述双梯度多缓冲层的上表面形成有N‑漂移区，所述N‑漂移区的上表面形成有带有凸台...
    2025-12-29
  • 钳位场效应晶体管、版图结构、芯片、钳位电路及设备
    钳位场效应晶体管、版图结构、芯片、钳位电路及设备_北京奕斯伟计算技术股份有限公司_202511278625.9
    本申请公开了钳位场效应晶体管、版图结构、芯片、钳位电路及设备，属于电路技术领域。钳位场效应晶体管包括沿第一方向并排布置的第一场效应晶体管和第二场效应晶体管，场效应晶体管均包括衬底以及位于衬底的一侧且延第一方向分布的源极、栅极和漏极，源极和漏...
    2025-12-29
  • 一种GaN HEMT/MOSFET单片集成级联器件及其制备方法
    一种GaN HEMT/MOSFET单片集成级联器件及其制备方法_中科(深圳)无线半导体有限公司_202511667258.1
    本发明公开了一种GaN HEMT/MOSFET单片集成级联器件及其制备方法，属于半导体技术领域。该器件包括通过金属互连结构实现电学连接的GaN HEMT器件和GaN MOSFET器件；所述GaN MOSFET器件制备在GaN HEMT器件的...
    2025-12-29
  • 一种基于SiC JFET与N极性GaN HEMT垂直混合射频晶体管
    一种基于SiC JFET与N极性GaN HEMT垂直混合射频晶体管_苏州镓港半导体有限公司_202511379598.4
    本发明属于微纳米加工技术领域，具体涉及一种基于SiC JFET与N极性GaN HEMT垂直混合射频晶体管，包括SiC衬底，还包括键合层以及分别位于键合层两面的SiC基衬底和Si基衬底；SiC基衬底包括沿SiC衬底垂直方向依次设置的SiC n...
    2025-12-29
  • 一种氮化镓P型沟道场效应晶体管
    一种氮化镓P型沟道场效应晶体管_广东工业大学_202511184321.6
    本发明提出了一种氮化镓P型沟道场效应晶体管，涉及晶体管制造技术领域；本发明的第一晶体管结构和第二晶体管结构级联，且通过形成欧姆接触，第二晶体管结构的二维空穴气电流能够作为第一晶体管结构的栅极漏电流来控制第一晶体管结构的开启和关断，实现可类比...
    2025-12-29
  • 一种集成电容采样的功率半导体器件和电源控制电路
    一种集成电容采样的功率半导体器件和电源控制电路_无锡芯朋微电子股份有限公司_202511347921.X
    本申请提供了一种集成电容采样的功率半导体器件和电源控制电路，涉及半导体领域，该功率半导体器件包括：集成在同一衬底上的采样管和主功率管；采样管的栅极和主功率管的栅极相连接用于连接控制芯片中的驱动模块的驱动端，采样管的源极用于连接控制芯片中的驱...
    2025-12-29
  • 一种集成MPS二极管的GaN HEMT器件结构及制备方法
    一种集成MPS二极管的GaN HEMT器件结构及制备方法_深圳市汇芯通信技术有限公司_202511138246.X
    本发明公开了一种集成MPS二极管的GaN HEMT器件结构及制备方法；所述器件结构包括Si C衬底以及设于S i C衬底正面的N型Si C漂移层、A l N成核层、外延结构、肖特基金属层和欧姆金属层和设于Si C衬底背面的背面电极；N型Si...
    2025-12-29
  • 基于高密度强键能氧化物/GeOx/SiGe堆垛的原位锗浓缩方法及其应用
    基于高密度强键能氧化物/GeOx/SiGe堆垛的原位锗浓缩方法及其应用_浙江大学_202511222259.5
    本发明公开了一种基于高密度强键能氧化物/GeOx/SiGe堆垛的原位锗浓缩方法及其应用，属于半导体与集成电路领域。该方法在“基于GeOx/SiGe堆垛的原位锗浓缩方法”的基础上，于GeOx层上方增设以AlOx为代表的高密度强键能氧化物层，形...
    2025-12-29
  • 用于集成电路先进节点SiGe沟道场效应晶体管的栅氧过渡层制备方法
    用于集成电路先进节点SiGe沟道场效应晶体管的栅氧过渡层制备方法_浙江大学_202511222258.0
    本发明公开了一种用于集成电路先进节点SiGe沟道场效应晶体管的栅氧过渡层制备方法，属于半导体器件制备技术领域。该方法针对SiGe沟道栅氧沉积前的热氧化步骤，采用激光热氧化退火替代常规快速热氧化退火，通过调节激光束斑、波长及纳秒级脉冲参数，实...
    2025-12-29
  • 一种BCD半导体器件的制备方法及BCD半导体器件
    一种BCD半导体器件的制备方法及BCD半导体器件_杭州富芯半导体有限公司_202511700937.4
    本申请公开了一种BCD半导体器件的制备方法及BCD半导体器件，该方法包括：提供导电型半导体衬底；执行离子注入工艺，在所述半导体衬底中设定区域注入导电型离子，并执行热退火，形成缓冲层；在所述形成有缓冲层的半导体衬底上形成外延层；在所述形成有外...
    2025-12-29
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511699262.6
    本发明提供一种半导体器件及其制备方法，制备方法包括以下步骤：提供衬底，衬底包括第一区和第二区，在第一区和第二区的衬底上均形成有栅极结构，在衬底上依次形成应力层、多晶硅层和图形化的光刻胶层，图形化的光刻胶层暴露出所述第二区；以图形化的光刻胶层...
    2025-12-29
  • 半导体结构的制备方法
    半导体结构的制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511689963.1
    本申请涉及一种半导体结构的制备方法，包括：包括：提供衬底；在衬底上依次形成伪栅材料层、位于伪栅材料层上的硬掩膜层、位于硬掩膜层上的牺牲掩膜层；依次刻蚀牺牲掩膜层、硬掩膜层和伪栅材料层，在衬底上形成多个分立的伪栅、位于伪栅上的硬掩膜图形、位于...
    2025-12-29
  • 半导体结构和制造半导体器件的方法
    半导体结构和制造半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511162076.9
    结构包括组合半导体管芯、中介层以及耦合在组合半导体管芯和中介层之间的焊料凸块。组合半导体管芯包括半导体衬底上方的第一单元区域和第二单元区域。第一单元区域邻接第二单元区域。第一单元区域包括第一器件部分和第一伪部分。第二单元区域包括第二器件部分...
    2025-12-29
  • 一种芯粒、芯片模组、电子设备和芯粒的制备方法
    一种芯粒、芯片模组、电子设备和芯粒的制备方法_华为技术有限公司_202410740873.X
    本申请提供了一种芯粒、芯片模组、电子设备和芯粒的制备方法。上述芯粒包括衬底、有源器件和无源器件。有源器件设置于衬底的第一侧，无源器件设置于衬底的第二侧，且有源器件在衬底的正投影与无源器件在衬底的正投影至少部分重合，从而减少两个器件占用的投影...
    2025-12-29
  • 散热型倒装芯片层叠封装结构
    散热型倒装芯片层叠封装结构_浙江大圭电子科技有限公司_202511695519.0
    本发明公开了一种散热型倒装芯片层叠封装结构，包括第一基板、第一倒装芯片、第二倒装芯片、第三倒装芯片、第四倒装芯片、第二基板、第一封装体和第二封装体；第一倒装芯片倒装设置在第一基板上并与第一基板电连接，第二倒装芯片和第三倒装芯片倒装叠加在第一...
    2025-12-29
  • 一种耐高温高电压碳化硅智能功率模块器件及其制作方法
    一种耐高温高电压碳化硅智能功率模块器件及其制作方法_南京第三代半导体技术创新中心有限公司_202511666345.5
    本发明公开一种耐高温高电压碳化硅智能功率模块器件及其制作方法，器件包括：提供散热通道和机械支撑的散热器；提供电路连接和机械支撑的DBC基板；位于DBC基板上的若干个依次排列的SiC MOS芯片；位于DBC基板上的若干功率端子；位于散热器上的...
    2025-12-29
  • 一种栅极结构器件、芯片及相关设备
    一种栅极结构器件、芯片及相关设备_华为技术有限公司_202410744464.7
    本申请实施例提供了一种栅极结构器件、芯片及相关设备，该栅极结构器件包括：衬底，以及设置在所述衬底上的栅极和半导体结构，且所述栅极覆盖在所述半导体结构远离所述衬底一侧的表面以及所述半导体结构在第一方向上两端的侧壁上，所述第一方向为所述栅极的延...
    2025-12-29
  • 一种栅极结构器件、芯片及相关设备
    一种栅极结构器件、芯片及相关设备_华为技术有限公司_202410742226.2
    本申请实施例提供了一种栅极结构器件、芯片及相关设备，该栅极结构器件包括：衬底，以及设置在衬底上的第一栅极结构，第一栅极结构包括栅极和沿第一方向并行设置的多个半导体结构，栅极沿第一方向延伸，每个半导体结构沿第二方向延伸；栅极覆盖在每个半导体结...
    2025-12-29
  • 用于高电子迁移率晶体管的欧姆接触
    用于高电子迁移率晶体管的欧姆接触_格芯(美国)集成电路科技有限公司_202510605409.4
    本发明涉及用于高电子迁移率晶体管的欧姆接触，揭露包括用于高电子迁移率晶体管的欧姆接触的结构以及形成此类结构的方法。该结构包括位于衬底上的层堆叠以及包括欧姆接触的装置结构。该层堆叠包括多个半导体层，各半导体层包括化合物半导体材料。该欧姆接触包...
    2025-12-29
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