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  • 本申请公开了一种半导体器件的后道工艺方法及器件产品,该方法包括:提供一衬底,衬底上形成有半导体器件,半导体器件上形成有金属互连结构,金属互连结构用于将半导体器件的电极引出,金属互连结构中的金属层以及接触孔包含金属铜;在金属互连结构上形成刻蚀...
  • 本发明提供一种互连结构及其制作方法,包括:提供一基底,所述基底包括依次层叠的衬底和介电层,所述介电层中形成有沟槽;在所述沟槽的内表面形成籽晶层;通过兆声波辅助电镀工艺在所述籽晶层上形成第一金属化层;形成位于所述沟槽内及所述介电层之上的第二金...
  • 本申请涉及跨尺度激光增材制造技术领域,公开一种宏微跨尺度一体化集成器件及其制备方法。其中,宏微跨尺度一体化集成器件包括基体、第一电极组、半导体层和第二电极。第一电极组设置于基体上,第一电极组包括两个第一电极,两个第一电极之间具有间隙。半导体...
  • 本公开提供一种基板处理方法和基板处理装置,能够提高生产率。基板处理方法包括工序(a)和工序(b)。在工序(a)中,通过第一单体与第二单体的沉积聚合反应,来提供具有埋入有含脲键的聚合物材料的凹部的基板。在工序(b)中,将基板加热到使聚合物材料...
  • 本申请公开了一种应用于半导体制作中的工艺方法,包括:提供一衬底,衬底上形成有硬掩模层;通过光刻工艺进行刻蚀,在衬底中形成凹槽,沿横向方向,刻蚀后硬掩模层的宽度小于凹槽之间的宽度,横向方向是半导体器件源极至漏极的方向;形成第一线形氧化层,第一...
  • 本申请公开了一种晶圆喷淋蚀刻机及其使用方法,涉及半导体处理技术领域,通过对现有技术中的晶圆喷淋蚀刻机的晶圆载具的结构进行优化改进,利用三根能够按需调整彼此之间间距的圆杆实现对晶圆的限位,三根圆杆的侧壁为软质材质且侧壁上设有一排环状的凹槽;三...
  • 本申请提供了一种托盘子系统、旋转支撑部件、加热系统及加热方法,该托盘子系统包括:承载件包括设置在其中心的第一凹部;第一限位结构围绕第一凹部的外缘设置;第一限位结构所围绕的区域配置为放置待加热物品;在放置待加热物品,且需要对待加热物品加热的情...
  • 提供了用于基座的设备和系统。示例性的基座可以具有主体,所述主体具有上环形密封表面,所述密封表面是平坦的、垂直于所述主体的竖直中心轴并且具有径向厚度;下凹部表面,其从所述上环形密封表面偏移;以及从所述下凹部表面突出的多个微接触区域(MCA),...
  • 用于制造半导体晶片的方法,包括以下步骤:准备剥离对象,该剥离对象包括半导体的单晶体,该单晶体具有包括正表面和背表面的成对主表面,剥离对象具有沿着该主表面中的至少一者设置的剥离层;向剥离对象施加拉伸应力以使第一主表面和第二主表面彼此分离;在剥...
  • 本发明涉及一种用于光伏电池片与掩模版的光刻对准方法和系统,其中,方法包括:将载物台的中心放置待光刻的光伏电池片,移动所述载物台至掩膜版下方,通过第一相机拍摄掩膜板的边缘和光伏电池片的边缘;根据第一相机拍摄掩膜板的边缘和光伏电池片的边缘信息,...
  • 本发明公开了一种晶圆精密打标设备用定位装置,涉及晶圆加工生产技术领域,该晶圆精密打标设备用定位装置,包括底座框,底座框的顶部固定连接有固定框,固定框的内部开设有吸力槽,底座框的内部设置有调节晶圆位置的主体圆板与圆形框,固定框的内部设置有推动...
  • 本申请提供一种待测目标角度调整方法、装置、设备及介质,从晶圆确定待测目标,以及待测目标的起始点,在待测目标中,基于起始点,确定待测点;在待测目标中,确定以待测点为中心的n个数据检测点的三维坐标,n个数据检测点用于构成包围待测点的四边形,在n...
  • 本申请提供一种待测目标角度调整方法、装置、设备及介质,从晶圆确定待测目标和待测目标的起始点,在待测目标中基于起始点确定待测点;在待测目标中,确定3个数据检测点的三维坐标,待测点位于3个数据检测点围成的三角形区域中;通过三角函数关系基于第一数...
  • 本申请提供一种待测目标角度调整方法、装置、设备及介质,从晶圆确定待测目标,以及待测目标的起始点,在待测目标中,基于起始点,确定待测点;在待测目标中,确定以待测点为中心的n个数据检测点的三维坐标,n个数据检测点用于构成包围待测点的类圆形,在n...
  • 本发明提供一种便于晶圆检验治具,涉及半导体检验领域。该便于晶圆检验治具,包括检验治具支撑座结构,所述检验治具支撑座结构的上表面开设有活动槽,所述活动槽的内部活动连接有检验治具角度调节旋转结构,所述检验治具角度调节旋转结构的顶端固定连接有晶圆...
  • 本发明公开了一种兼容多尺寸晶圆的对中装置及其对中方法,包括对中组件,所述对中组件包括底板、夹持组件、平移组件和同步带轮组件,所述夹持组件通过平移组件与底板连接,所述底板上安装有驱动夹持组件开合的同步带轮组件;所述对中组件包括相对设置的第一夹...
  • 本发明提供一种工艺腔室、晶圆位置修正方法及半导体工艺设备,工艺腔室包括腔体和位置修正装置,在腔体内设置有承载装置,位置修正装置包括:位置获取元件,用于获取传输装置所承载的晶圆的中心位置偏移信息;支撑组件,设置在腔体中,且能够支撑晶圆,以及相...
  • 本申请提供了一种晶片上料机构,涉及硅晶片自动上料机械技术领域,包括固定安装在晶振点胶机的安装板,所述安装板上表面设有晶片运输承接上料的间隙分料组件,所述间隙分料组件包括呈圆周均匀分布设在安装板上表面一侧的若干个导向槽,其中相邻四个所述导向槽...
  • 本申请涉及一种装载装置。装载装置包括底座设有第一限位部;旋转架能够被第一驱动组件驱动以相对底座转动;承载组件包括门档组件和承载支架,承载支架固定安装于旋转架,门档组件可转动连接于承载支架,承载支架用于承装晶圆盒;承载支架在第一驱动组件的驱动...
  • 本发明提供一种半导体12寸MES系统充氮载具储柜的预搬送管理方法,在MES系统中配置RTD模块和GTM模块,RTD模块负责管理和计算,当载具从设备上作业结束出站后,RTD模块响应将EAP系统发起的将载具搬送到N2STK的请求,若此时N2ST...
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