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最新专利技术
  • 一种改善APCVD膜背封硅片颗粒的清洗方法
    一种改善APCVD膜背封硅片颗粒的清洗方法_上海中欣晶圆半导体科技有限公司_202511281403.2
    本发明公开了一种改善APCVD膜背封硅片颗粒的清洗方法，具体涉及硅片表面清洗技术领域，包括以下步骤：S1：对硅片进行预处理清洗，S2：对硅片进行清洗，S3：采用纯水对经S2清洗后的硅片进行中间清洗，S4：对经S3清洗后的硅片进行清洗，S5：...
    2026-02-08
  • 3C-SiC晶圆及其制备方法与应用
    3C-SiC晶圆及其制备方法与应用_甬江实验室_202511279021.6
    本申请提供了一种3C‑SiC晶圆及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：对硅衬底依次进行刻蚀和碳化处理；在碳化处理后的硅衬底表面生长硅锗缓冲层，再依次生长3C‑SiC缓冲层和多晶3C‑SiC层，最后去除硅衬底和硅锗缓冲层，并进行后处理...
    2026-02-08
  • 一种晶圆清洗方法及清洗装置
    一种晶圆清洗方法及清洗装置_嘉兴傲威半导体有限公司_202511165622.4
    本发明涉及半导体加工制造技术领域，更具体地说，它涉及一种晶圆清洗方法及清洗装置，包括S1、将待清洗的晶圆通过晶圆固定机构进行定位固定，确保晶圆在清洗过程中能够稳定旋转，S2、控制电动滑台，带动毛刷辊下移至晶圆上表面，S3、打开清洗液喷淋头，...
    2026-02-08
  • 稀土元素改性的高抗辐照高力学性能高减反射SiO2薄膜的制备方法
    稀土元素改性的高抗辐照高力学性能高减反射SiO2薄膜的制备方法_天津工业大学_202410728770.1
    本发明公开了一种稀土改性的高抗辐照、高力学性能、高减反射SiO2薄膜的制备方法。以聚乙二醇为致孔剂、硅酸四乙酯和甲基三乙氧基硅烷为前驱体、无水乙醇为溶剂、硝酸为催化剂，稀土元素为抗辐照剂。制备好的SiO2溶胶涂敷在玻璃上，溶胶经干燥成为凝胶...
    2026-02-08
  • 一种提高离子源束流强度的方法及其装置
    一种提高离子源束流强度的方法及其装置_中国科学院地质与地球物理研究所_202511316384.2
    本发明公开了一种提高离子源束流强度的方法及其装置，属于离子源技术领域，所述方法通过在离子源装置中加入氧气导入装置，从而增强离子源束流强度；通过氧气和加热结合的方式实现离子引出电极的原位自清理功能，所述方法和装置可以延长离子源的使用寿命，降低...
    2026-02-08
  • 一种离子传输装置
    一种离子传输装置_广东省麦思科学仪器创新研究院_202511291320.1
    本发明公开了一种离子传输的装置，本发明差分射频多极的设计实现气压差分和离子传输的优化，实现低真空的充气射频多极与高真空的静电透镜组的衔接，差分射频多极的通透率较现有孔结构能够有效提高离子的传输效率，减少离子在传输过程中的损失；密封区实现气压...
    2026-02-08
  • 一种超细颗粒物的筛选及传输装置、方法
    一种超细颗粒物的筛选及传输装置、方法_广东省麦思科学仪器创新研究院_202511291324.X
    本发明提供一种超细颗粒物的筛选及传输装置、方法，包括：荷电筛分模块，用于对进入的气溶胶粒子进行目标粒径及荷电筛分；空气动力学透镜，用于对筛分后的带电粒子进行聚焦并形成粒子束；冷却聚束模块，包括射频多极杆，用于使带电粒子在传输过程中得到冷却并...
    2026-02-08
  • 含内置传输线的高效率X射线成像器及其制备方法
    含内置传输线的高效率X射线成像器及其制备方法_北方夜视科技(南京)研究院有限公司_202511197634.5
    本发明提供一种含内置传输线的高效率X射线成像器及其制备方法，通过在下方微通道板的输入面设置导电条带，上方微通道板的输入面和输出面均设置导电条带，上方微通道板的输出面与下方微通道板的输入面相对贴合设置，两面的每个导带条带单元形成一一对应关系，...
    2026-02-08
  • 衬底处理设备
    衬底处理设备_ASMIP私人控股有限公司_202511189782.2
    一种能够局部地控制等离子体强度并改善薄膜特性和厚度均匀性的衬底处理设备包括：供电单元、电连接到供电单元的处理单元和处理单元下方的衬底支撑单元，其中衬底支撑单元包括第一接地电极和第二接地电极。
    2026-02-08
  • 用于衬底处理系统的具有降低电容变化的可移动边缘环
    用于衬底处理系统的具有降低电容变化的可移动边缘环_朗姆研究公司_202511012061.4
    一种用于等离子体处理系统的可移动边缘环系统包括：顶部边缘环；以及第一边缘环，其布置于所述顶部边缘环下方。第二边缘环由导电材料制成，并且包括上部、中间部和下部。所述顶部边缘环和所述第二边缘环被配置成在被升降销向上偏移时于竖直方向上相对于衬底支...
    2026-02-08
  • 用于衬底处理系统的具有降低电容变化的可移动边缘环
    用于衬底处理系统的具有降低电容变化的可移动边缘环_朗姆研究公司_202511012012.0
    一种用于等离子体处理系统的可移动边缘环系统包括：顶部边缘环；以及第一边缘环，其布置于所述顶部边缘环下方。第二边缘环由导电材料制成，并且包括上部、中间部和下部。所述顶部边缘环和所述第二边缘环被配置成在被升降销向上偏移时于竖直方向上相对于衬底支...
    2026-02-08
  • 用于衬底处理系统的具有降低电容变化的可移动边缘环
    用于衬底处理系统的具有降低电容变化的可移动边缘环_朗姆研究公司_202511011965.5
    一种用于等离子体处理系统的可移动边缘环系统包括：顶部边缘环；以及第一边缘环，其布置于所述顶部边缘环下方。第二边缘环由导电材料制成，并且包括上部、中间部和下部。所述顶部边缘环和所述第二边缘环被配置成在被升降销向上偏移时于竖直方向上相对于衬底支...
    2026-02-08
  • 用于衬底处理系统的具有降低电容变化的可移动边缘环
    用于衬底处理系统的具有降低电容变化的可移动边缘环_朗姆研究公司_202511011910.4
    一种用于等离子体处理系统的可移动边缘环系统包括：顶部边缘环；以及第一边缘环，其布置于所述顶部边缘环下方。第二边缘环由导电材料制成，并且包括上部、中间部和下部。所述顶部边缘环和所述第二边缘环被配置成在被升降销向上偏移时于竖直方向上相对于衬底支...
    2026-02-08
  • 用于原子层刻蚀的快速气体输送系统和方法
    用于原子层刻蚀的快速气体输送系统和方法_启迪原子私人有限公司_202510771085.1
    本发明涉及一种用于原子层刻蚀的快速气体输送系统和方法。所述系统利用设置在气体分配单元附近的紧凑型气体缓冲器，能够使气体更快且更高效地输送至腔室。控制器管理气体缓冲器的气体流动，以使气体缓冲器内维持进行单次ALE循环所需的气体量。当一个气体缓...
    2026-02-08
  • 工艺腔室和多重图案刻蚀方法
    工艺腔室和多重图案刻蚀方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202410757216.6
    本申请公开一种工艺腔室和多重图案刻蚀方法，属于半导体技术领域。工艺腔室中，第一电极、第二电极和离化线圈均安装于工艺腔体；第二电极设置于用于承载待加工件的承载装置；第一电极与第二电极相对，且位于第二电极的上方；进气管路与工艺腔体连通，离化线圈...
    2026-02-08
  • 离子注入设备能量实时监控系统及方法
    离子注入设备能量实时监控系统及方法_广州增芯科技有限公司_202511262922.4
    本申请公开了一种离子注入设备能量实时监控系统及方法。系统包括监测模组，设于加速器谐振腔下游位置，监测模组包括能量反馈控制器，用于在离子注入设备进行预设能量的离子注入过程中，按预设采样频次采集加速器谐振腔输出的空闲离子束流的能量反馈信号并得到...
    2026-02-08
  • 离子注入工艺的监控方法、离子注入系统及可读存储介质
    离子注入工艺的监控方法、离子注入系统及可读存储介质_杭州富芯半导体有限公司_202511254814.2
    本发明提供了一种离子注入工艺的监控方法、离子注入系统及可读存储介质，监控方法包括：使离子注入装置对控片执行离子注入工艺；使热波测量装置对执行了离子注入工艺的控片进行热波测量，得到第一热波讯号实测值；基于控片的循环次数以及热波讯号实测值与控片...
    2026-02-08
  • 用于电子束检测设备的探测器调节方法及相关产品
    用于电子束检测设备的探测器调节方法及相关产品_东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司_202511212301.5
    本发明提供了一种用于电子束检测设备的探测器调节方法及相关产品。调节方法包括获取电子束检测设备的检测参数电子束控制参数，检测参数电子束控制参数用于调节包括电子束检测设备的电子束的束斑光阑孔参数和/或束流聚光镜参数；利用预先建立的增益模型确定与...
    2026-02-08
  • 一种扫描电镜用样品台及其使用方法
    一种扫描电镜用样品台及其使用方法_中国地质科学院矿产资源研究所_202511208226.5
    本申请涉及一种扫描电镜用样品台及其使用方法，属于地质样品测试技术领域，用以解决现有技术中样品台难以适配不同尺寸的样品靶的问题。扫描电镜用样品台包括基座以及设于基座上的夹持结构；夹持结构具有夹持空间以及设于夹持空间内部的置物台；其中，夹持空间...
    2026-02-08
  • 一种引出系统的操纵器及离子注入机
    一种引出系统的操纵器及离子注入机_浙江求是创芯半导体设备有限公司_202511651005.5
    本发明公开了一种引出系统的操纵器及离子注入机，属于离子注入机技术领域。引出系统的操纵器包括第一驱动组件、第二驱动组件、第一连接块、转轴和锁定组件，第一驱动组件用于驱动引出系统沿第一方向移动，第二驱动组件驱动第一驱动组件和引出系统沿第二方向移...
    2026-02-08
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