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最新专利技术
  • 飞秒激光无掩膜直写系统
    飞秒激光无掩膜直写系统_无锡光子芯片联合研究中心_202511414026.5
    本公开提供了一种飞秒激光无掩膜直写系统，其包括激光器，激光器用于发射激光。激光传播至调制模组，经调制模组调制形成平顶光。平顶光传播至第一偏振分束器，被第一偏振分束器分束形成主光束和从光束。主光束继续传播至聚焦物镜，经过聚焦物镜进行聚焦后，进...
    2026-03-06
  • 套刻精度量测机台中系统误差的管控方法
    套刻精度量测机台中系统误差的管控方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511394694.6
    本发明提供了一种套刻精度量测机台中系统误差的管控方法，包括：步骤S1，当前批次进入量测机台后，判断是否需要进行系统误差校准，若判断为不需要，则进入步骤S2，若判断为需要，则进入步骤S4；步骤S2，对当前批次进行套刻精度测量；步骤S3，根据步...
    2026-03-06
  • 高数值孔径极紫外光刻系统及其像差控制与相位稳定方法
    高数值孔径极紫外光刻系统及其像差控制与相位稳定方法_广州市君盘实业股份有限公司_202511375900.9
    本发明涉及半导体光刻技术领域，具体公开了高数值孔径极紫外光刻系统及其像差控制与相位稳定方法。该系统核心包括：双光瞳分次曝光结构，以余弦权重融合剂量；光瞳面奇对称模式能量处置装置，选择性耗散反对称能量；差分暗端口倾斜/离焦监测系统，实现纳米级...
    2026-03-06
  • 极紫外光刻的在线计量、热管理与批次放行系统及方法
    极紫外光刻的在线计量、热管理与批次放行系统及方法_广州市君盘实业股份有限公司_202511375892.8
    本发明涉及半导体制造技术领域，具体公开了一种极紫外光刻的在线计量、热管理与批次放行系统及方法。该系统核心包括：集成于晶圆划片区的片上相位回声读回装置，用于生产曝光期间同步重建像瞳相位；子瞳正交微探针装置，用于注入微扰动并获取高阶像差模式系数...
    2026-03-06
  • 电子束曝光机的曝光方法及电子束曝光机
    电子束曝光机的曝光方法及电子束曝光机_东莞泽攸科技有限公司_202511346013.9
    本申请公开了电子束曝光机及其曝光方法，电子束曝光机包括位移台、电子枪及电子束聚焦偏转系统。曝光方法包括：电子枪开启并向位移台上的晶圆发射电子束；针对晶圆上单个写场内的单个待曝光位置执行：电子束聚焦偏转系统在偏转时间段内控制电子束偏转并到达待...
    2026-03-06
  • 电子束曝光机的写场畸变校正方法及电子束曝光机
    电子束曝光机的写场畸变校正方法及电子束曝光机_东莞泽攸科技有限公司_202511346006.9
    本申请公开了电子束曝光机及其写场畸变校正方法，校正方法包括：在晶圆上确认一个标记位置；生成包括多个理想点的坐标的第一扫描数据，并基于标记位置及写场的参数生成位移台移动晶圆的多个移动位置；位移台按照多个移动位置逐次移动晶圆，并在每次移动晶圆后...
    2026-03-06
  • 适用于厚光刻胶层次套刻精确测量的方法
    适用于厚光刻胶层次套刻精确测量的方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511240615.6
    本发明提供一种适用于厚光刻胶层次套刻精确测量的方法，该方法包括：在涂布厚光刻胶层后，首先采用第一掩模版对套刻标记区域执行一次可控低剂量曝光，以使顶层光刻胶感光；随后采用第二掩模版执行常规曝光以定义器件图形和当层套刻标记图形；最后进行显影。通...
    2026-03-06
  • 改善厚胶光刻层次套刻精确度的方法
    改善厚胶光刻层次套刻精确度的方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511240610.3
    本发明提供一种改善厚胶光刻层次套刻精确度的方法，该方法包括：在衬底上依次形成下层光刻胶层、中间层和上层光刻胶层；对上层厚光刻胶层进行第一次曝光，在套刻标记区域全局曝光，在芯片区域图形化曝光；再对下层薄光刻胶层进行第二次曝光，在套刻标记区域和...
    2026-03-06
  • 套刻标记量测条件的测量方法、装置、存储介质、设备
    套刻标记量测条件的测量方法、装置、存储介质、设备_上海御微半导体技术有限公司_202511190566.X
    本发明公开了一种套刻标记量测条件的测量方法、装置、存储介质、设备，测量方法包括构建套刻标记的工艺模型；设定仿真成像的量测条件范围；仿真生成各个量测条件下的仿真图像；计算各个仿真图像的标记对比度，筛选对比度最高的前n个量测条件；在筛选后的n个...
    2026-03-06
  • 用于光场调制的反射器、用于形成反射器的方法和光刻系统
    用于光场调制的反射器、用于形成反射器的方法和光刻系统_张江国家实验室_202410727448.7
    本申请涉及用于光场调制的反射器、用于形成反射器的方法和光刻系统。反射器包括：基板；层堆叠，位于基板上并且包括交替堆叠的多个第一材料层和多个第二材料层，其中，多个第一材料层和多个第二材料层包括各自具有突起结构的第一突起层和第二突起层，第一突起...
    2026-03-06
  • 异形光刻胶结构及其制备方法和应用
    异形光刻胶结构及其制备方法和应用_中国科学院物理研究所_202511289328.4
    本发明提供一种用于制备异形光刻胶结构的方法，其包括以下步骤：(1)提供衬底；(2)在衬底上涂覆含有磁性物质的光刻胶，以形成光刻胶层；(3)对步骤(2)获得的光刻胶层进行曝光和显影，以形成正常的非异形光刻胶结构；(4)向步骤(3)获得的光刻胶...
    2026-03-06
  • 异形光刻胶结构及其制备方法和应用
    异形光刻胶结构及其制备方法和应用_中国科学院物理研究所_202511289326.5
    本发明提供一种用于制备异形光刻胶结构的方法，其包括以下步骤：(1)提供衬底；(2)在所述衬底上涂覆含有磁性物质的光刻胶，以形成光刻胶层；(3)向步骤(2)获得的光刻胶层施加磁场，使得所述磁性物质在所述光刻胶层中定向排列成期望的图案；(4)对...
    2026-03-06
  • 光刻胶喷涂装置及其使用方法
    光刻胶喷涂装置及其使用方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511195857.8
    本发明提供一种光刻胶喷涂装置及其使用方法。该装置包括设置在外壳内部的喷嘴组件，该外壳具有可机械地打开和关闭的底部，以及与控制系统连接的重力传感器。在非喷涂阶段，底部关闭以承接任何意外滴落的光刻胶；在喷涂阶段，底部打开。本发明的方法包括：在移...
    2026-03-06
  • 负型感光性树脂组成物、图案形成方法、硬化被膜形成方法、层间绝缘膜、表面保护膜、及电子零件
    负型感光性树脂组成物、图案形成方法、硬化被膜形成方法、层间绝缘膜、表面保护膜、及电子零件_信越化学工业株式会社_202510744814.4
    本发明涉及负型感光性树脂组成物、图案形成方法、硬化被膜形成方法、层间绝缘膜、表面保护膜、及电子零件。本发明的课题：本发明的目的为提供一种感光性树脂组成物，是能于低温进行酰亚胺闭环反应，组成物的稳定性优良，能形成微细图案的使用了聚酰亚胺前驱体...
    2026-03-06
  • 感光性树脂组合物、使用所述组合物制造的感光性树脂膜以及滤色器
    感光性树脂组合物、使用所述组合物制造的感光性树脂膜以及滤色器_三星SDI株式会社_202510752477.3
    一种感光性树脂组合物、使用所述组合物制造的感光性树脂膜以及滤色器，所述感光性树脂组合物包含：着色剂；光可聚合化合物；光聚合引发剂；粘合剂树脂；以及溶剂，其中所述着色剂包含颜料、分散剂、分散粘合剂、以及由化学式1表示的分散助剂，[化学式1]
    2026-03-06
  • 感光树脂组合物、固化膜、图案固化膜及其应用
    感光树脂组合物、固化膜、图案固化膜及其应用_武汉柔显科技股份有限公司_202511233007.2
    本发明公开了一种感光树脂组合物、固化膜、图案固化膜及其应用，所述感光树脂组合物包含：(A)碱可溶性树脂；(B)结构中至少含有2个甲氧基甲基基团的小分子化合物或低聚物交联剂；(C)感光剂；以及(D)溶剂；所述碱可溶性树脂由主聚合物和次聚合物共...
    2026-03-06
  • 光刻胶组合物、光刻胶组合物的制备方法及旋涂方法
    光刻胶组合物、光刻胶组合物的制备方法及旋涂方法_深圳市嘉敏利光电有限公司_202511111649.5
    本发明提供了一种光刻胶组合物、光刻胶组合物的制备方法及旋涂方法，光刻胶组合物包括：重量百分比分别为82%‑86%的环氧丙烯酸酯树脂、3.5%‑4.5%的双峰分子量分布光酸剂、0.8%‑1.2%的纳米二氧化硅改质剂，以及剩余重量百分比的梯度沸...
    2026-03-06
  • 一种光敏引发体系及包含其光致聚合物型全息记录介质和光聚合树脂
    一种光敏引发体系及包含其光致聚合物型全息记录介质和光聚合树脂_中国科学院理化技术研究所_202410731829.2
    本发明公开一种光敏引发体系及包含其光致聚合物型全息记录介质和光聚合树脂。所述光敏引发体系包括：光引发剂以及染料，所述染料选自如下所示结构通式中的一种。该光敏引发体系可以在发射波长范围为400‑800nm的LED、激光或其他可见‑近红外光源照...
    2026-03-06
  • 一种通过黏流温度调控改善压印胶面型的方法
    一种通过黏流温度调控改善压印胶面型的方法_广东中图半导体科技股份有限公司_202511465289.9
    本发明属于压印技术领域，涉及一种通过黏流温度调控改善压印胶面型的方法，其包括以下步骤：制备压印胶；将所述压印胶在20‑30℃下搅拌20‑28h，搅拌转速为1000‑2000RPM；将搅拌后的压印胶滴胶在晶片中心，在主转速为2000‑3000...
    2026-03-06
  • 光刻机的光罩版缺陷检测方法
    光刻机的光罩版缺陷检测方法_上海新毅东半导体科技有限公司_202511578867.X
    提供了一种光刻机的光罩版缺陷检测方法。该光刻机的光罩版缺陷检测方法包括：通过所述光刻机的光源照射光罩版，由所述光刻机的相机获得光罩版图像；对所述光罩版图像通过空间域高斯函数和灰度域高斯函数进行线条缺陷检测；通过对所述光罩版图像进行自适应阈值...
    2026-03-06
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