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最新专利技术
  • 一种集成电路引线框架的蚀刻设备及方法
    一种集成电路引线框架的蚀刻设备及方法_深圳市纳泽臻致科技有限公司_202511160245.5
    本发明公开了一种集成电路引线框架的蚀刻设备及方法，属于集成电路引线框架领域，包括：工作台、蚀刻池和引线框架；还包括：第一固定支撑块，设置于所述蚀刻池的内壁上；转动蚀刻部，设置于所述第一固定支撑块上，以带动所述引线框架在所述蚀刻池中进行转动蚀...
    2026-01-29
  • 一种具有定位功能的半导体芯片加工用贴片装置
    一种具有定位功能的半导体芯片加工用贴片装置_杭州陨石精密科技有限公司_202511152067.1
    本发明公开了一种具有定位功能的半导体芯片加工用贴片装置，涉及半导体芯片生产技术领域，一种具有定位功能的半导体芯片加工用贴片装置，包括下工作台，下工作台中间设置有传送机构，下工作台上面固定安装有固定杆，固定杆上面固定安装有上工作台，还包括夹持...
    2026-01-29
  • 半导体检测设备、控制方法、存储介质及产品
    半导体检测设备、控制方法、存储介质及产品_东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司_202511134215.7
    本申请公开了一种半导体检测设备、控制方法、存储介质及产品，该半导体检测设备包括：壳体，壳体内部形成密封腔；传动组件，传动组件包括转轴和螺旋桨，螺旋桨设置于壳体内，螺旋桨固定设置在转轴上，螺旋桨用于传送晶圆；驱动组件，驱动组件与转轴连接，用于...
    2026-01-29
  • 一种晶圆加工用化学液集中供给装置
    一种晶圆加工用化学液集中供给装置_安徽尹尚半导体科技有限公司_202511043359.1
    本发明公开了一种晶圆加工用化学液集中供给装置，涉及化学液供给技术领域，该装置包括供液箱、供液组件及循环导流组件。循环导流组件集成补液泵、加热筒、存液管及循环泵液筒，在间歇供液时通过电动伸缩缸驱动活塞块将滞留液泵入加热筒循环加热，维持温度恒定...
    2026-01-29
  • 贴片机共晶台温度场高均一性加热控制系统及控制方法
    贴片机共晶台温度场高均一性加热控制系统及控制方法_中南大学_202510987675.8
    本发明涉及芯片封装过程中的控温技术领域，公开了一种贴片机共晶台温度场高均一性加热控制系统及控制方法，该系统将共晶加热台纵向划分N个加热区域，各区域分别采用温度补偿电路进行温度补偿，通过解耦不同补偿回路，对各回路与校准温度轨迹进行跟踪控制，最...
    2026-01-29
  • 剥离系统和剥离方法
    剥离系统和剥离方法_东京毅力科创株式会社_202510682015.9
    本发明提供剥离系统和剥离方法。提供能够促进系统的小型化、并且使生产效率提高的技术。剥离系统将第1基板与第2基板接合而成的重合基板剥离成第1基板和第2基板。剥离系统包括：输入输出站，其使重合基板、剥离后的第1基板以及第2基板待机；和处理站，其...
    2026-01-29
  • 基片液处理装置、基片液处理方法和图像处理方法
    基片液处理装置、基片液处理方法和图像处理方法_东京毅力科创株式会社_202510669795.3
    本公开提供一种有利于确认浸渍于处理液之后的基片是否被基片保持部件适当地保持的技术。基片液处理装置包括：处理槽，其贮存处理液；基片支承部件，其将多个基片以立起姿态彼此隔开间隔地排列并支承；支承移动部，其使基片支承部件移动以将多个基片配置于以浸...
    2026-01-29
  • 一种CV值检测装置
    一种CV值检测装置_中科艾尔(北京)科技有限公司_202510366430.3
    本发明公开了一种CV值检测装置，涉及阀门检测技术领域，主要包括单向阀、滑块、基块和弹性件，单向阀与基块通过锁紧螺母连接并连通，滑块滑动设置与基块和单向阀的侧壁，滑块上由靠近单向阀进口的一端向远离单向阀进口一端依次设置有连接件和抵触件，连接件...
    2026-01-29
  • 铁电电容器双退火工艺、制备方法以及铁电电容器
    铁电电容器双退火工艺、制备方法以及铁电电容器_中国科学院微电子研究所_202410722762.6
    本申请涉及微电子技术领域的一种铁电电容器双退火工艺以及制备方法，所述铁电电容器双退火工艺包括：在生长所述铁电电容器的铁电功能层之后，对所述铁电功能层进行预退火；在制备所述铁电电容器的上电极和互联层之后，对所述铁电电容器进行二次退火；所述预退...
    2026-01-29
  • 进气系统及半导体工艺设备
    进气系统及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410711490.X
    本申请提供一种半导体工艺设备及进气系统，进气系统包括第一进气管路、第二进气管路以及相位阀，第一进气管路和第二进气管路均与相位阀连通，相位阀包括第一输出通道和第二输出通道，第一输出通道和第二输出通道分别用于连接工艺腔室和排气装置；相位阀配置为...
    2026-01-29
  • 一种半导体瑕疵品的处理方法和系统
    一种半导体瑕疵品的处理方法和系统_江苏道达智能科技有限公司_202511605790.0
    本发明公开了一种半导体瑕疵品的处理方法和系统，该方法包括以下步骤：在接收到半导体瑕疵品后，分别从不同的角度获取半导体瑕疵品对应的第一颗粒MAP图；获取第一瑕疵检测模型，并采用第一瑕疵检测模型根据第一颗粒MAP图对半导体瑕疵品进行瑕疵检测，以...
    2026-01-29
  • 一种半导体芯片的三维检测方法及装置、电子设备
    一种半导体芯片的三维检测方法及装置、电子设备_北京电子量检测装备有限责任公司_202511604521.2
    本申请公开了一种半导体芯片的三维检测方法及装置、电子设备，方法包括：通过3D相机测头获取待测芯片晶圆的高度检测数据、强度检测数据及检测Die；将检测Die和模板Die进行匹配，得到有效Die；基于有效Die的高度检测数据和强度检测数据形成有...
    2026-01-29
  • 一种晶圆状态检测装置和检测方法
    一种晶圆状态检测装置和检测方法_南京谦视智能科技有限公司_202511465366.0
    本申请提供一种晶圆状态检测装置和检测方法，装置包括：光源用于照射待测晶圆，折转光路用于导向待测晶圆的左侧区域、中央区域和右侧区域的反射光至成像模块，处理模块用于根据成像模块获取的待测晶圆的上下边缘像素距离和标准晶圆的上下边缘像素距离，确定重...
    2026-01-29
  • 晶圆缺陷检测装置及方法
    晶圆缺陷检测装置及方法_深圳中科飞测科技股份有限公司_202511434933.6
    本发明公开了一种晶圆缺陷检测装置及方法。该装置包括照明系统、运动平台、探测系统和信号处理系统。照明系统向晶圆表面提供至少三个不同入射方向的照明光束并形成重合的线状照明光斑；运动平台驱动晶圆进行线扫描；探测系统包括多个光轴共面的探测通道，收集...
    2026-01-29
  • 用于校正集成电路和关联设备的制造中的测量值的方法
    用于校正集成电路和关联设备的制造中的测量值的方法_ASML荷兰有限公司_202511244428.5
    公开了一种量测方法。方法包括：将辐射照射到衬底上；获得与衬底上的一个或多个结构中的每个结构的至少一个测量值相关的测量数据；使用傅里叶相关变换将测量数据变换为经变换的测量数据；以及从经变换的测量数据提取衬底的特征或者消除妨害性参数的影响。
    2026-01-29
  • 一种品质因数测算方法、晶圆的厚度测量方法和装置
    一种品质因数测算方法、晶圆的厚度测量方法和装置_华海清科股份有限公司_202511214116.X
    本发明提供一种品质因数测算方法、晶圆的厚度测量方法和装置，品质因数用于评价通过检测干涉光谱确定的晶圆的厚度值，品质因数测算方法包括：获取干涉光谱；根据干涉光谱确定晶圆的厚度值；根据干涉光谱对应的功率谱计算晶圆的厚度值对应的第一品质因数；根据...
    2026-01-29
  • 面向半导体封装的缺陷实时检测与智能诊断系统
    面向半导体封装的缺陷实时检测与智能诊断系统_深圳力迈电子有限公司_202511196385.8
    本发明属于半导体制造的技术领域，涉及了面向半导体封装的缺陷实时检测与智能诊断系统，包括：光学基础检测模块，执行光学基础检测生成光学检测结果包；热像联动检测模块，接收光学检测结果包，执行热像联动检测生成热力学特征包；振动信号采集模块，执行振动...
    2026-01-29
  • 一种用于MEMS探针卡测试的装置制造及使用方法
    一种用于MEMS探针卡测试的装置制造及使用方法_深圳市道格特科技有限公司_202511186306.5
    本发明涉及半导体测试领域，公开了一种用于MEMS探针卡测试的装置制造及使用方法，该一种用于MEMS探针卡测试的装置制造方法，包括以下步骤：光刻沉积：使用光刻技术在硅片上定义测试点的图案，并通过物理气相沉积或化学气相沉积方法沉积导电层，形成测...
    2026-01-29
  • 一种晶圆测试装置及方法
    一种晶圆测试装置及方法_北京寓茸科技有限公司_202511141957.2
    本发明公开了一种晶圆测试装置及方法，属于晶圆测试领域。一种晶圆测试装置，包括底座、吸附设备以及探针台，还包括：测试平台，设置在吸附设备上，测试平台上设置有吸附盘，吸附盘与吸附设备相连通，测试平台上设置有定位机构，用于将晶圆移动至吸附盘的中心...
    2026-01-29
  • 一种硅片边缘面的污染类型的检测方法
    一种硅片边缘面的污染类型的检测方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511105366.X
    本发明涉及半导体加工技术领域，提供一种硅片边缘面的污染类型的检测方法，包括：获取包括待测区域的硅片切片；通过座滴法测量待测区域与水性液体的接触角，得到待测区域接触角的实际测试值，记作θa；取标准清洁硅片重复上述步骤，得到标准清洁硅片的接触角...
    2026-01-29
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