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最新专利技术
  • 形成用于互连结构的金属衬垫的方法
    形成用于互连结构的金属衬垫的方法_应用材料公司_202480023721.6
    形成元件的方法包含在基板上形成介电层，此介电层包含限定包括侧壁及底部的间隙的至少一个特征。此等方法包括在此间隙的此底部上选择性地沉积自组装单层(SAM)。此SAM具有通式I至XIX，其中R、R’、R1、R2、R3、R4，及R5是独立地选自氢...
    2025-11-27
  • 在衬底的介电表面上选择性沉积金属氧化物
    在衬底的介电表面上选择性沉积金属氧化物_朗姆研究公司_202480023573.8
    一种用于在衬底上选择性沉积金属氧化物的方法，衬底包括金属表面以及介电表面，所述方法包括：将所述衬底暴露于含硅抑制剂，以选择性地将所述含硅抑制剂吸附到所述衬底的所述金属表面上，所述含硅抑制剂包括一个或更多个有机配体。所述方法还包括：将含金属前...
    2025-11-27
  • 使用浸泡处理的低K及氮化钽阻挡复原
    使用浸泡处理的低K及氮化钽阻挡复原_应用材料公司_202480022878.7
    本文的实施方式描述了一种制造互连结构的方法。所述方法包括在含钨表面上沉积选择性钨层，所述含钨表面在特征内设置，其中所述特征包括包含介电材料的一或多个表面，并且所述沉积所述选择性钨层导致在所述介电材料上形成残留物。所述方法亦包括通过将所述残留...
    2025-11-27
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社电装_202480026120.0
    一种半导体装置及其制造方法。反向导通IGBT(1、2、3)的半导体基板(10)具有：第一导电型的第一导电型边界层(18)，设置于边界区域(106)，配置于漂移层(13)的下方，与下部电极(22)相接；以及第二导电型的第二导电型边界层(19)...
    2025-11-27
  • 具有电荷控制组件的静电夹
    具有电荷控制组件的静电夹_应用材料股份有限公司_202480026843.0
    一种静电夹系统可包括：导电基底；陶瓷本体，具有贴合至导电基底的内侧及面向基板的外侧，所述陶瓷本体包括电极组件；以及电荷控制组件，所述电荷控制组件对电性导电结构进行界定，所述电性导电结构与电极组件隔离且穿过导电基底延伸至陶瓷本体的外侧的上表面...
    2025-11-27
  • 用于处理腔室的改善基座
    用于处理腔室的改善基座_应用材料公司_202480023859.6
    提供一种基板支撑组件，所述基板支撑组件包括：基座组件，所述基座组件包括：内部部分，所述内部部分具有内部主体、经安置而围绕所述内部主体的外部轮缘，及多个凹陷部分，每个凹陷部分相对于所述内部主体的下表面凹陷；以及经定位而围绕所述内部部分的外部部...
    2025-11-27
  • 用于将基板夹持在单极静电吸盘上来沉积光刻胶膜的设备
    用于将基板夹持在单极静电吸盘上来沉积光刻胶膜的设备_应用材料公司_202480028136.5
    本文公开了用于将基板夹持在单极静电吸盘上来沉积光刻胶膜的设备。在一个示例中，一种升降杆组件包括：第一金属弹簧；第一金属，所述第一金属在所述第一金属弹簧上方并耦接到所述第一金属弹簧；第二金属弹簧，所述第二金属弹簧在所述第一金属上方并耦接到所述...
    2025-11-27
  • 蚀刻高深宽比结构的方法
    蚀刻高深宽比结构的方法_应用材料公司_202480027406.0
    本文公开了一种用于在半导体处理腔室中蚀刻高深宽比结构的方法和系统。在一个示例中，图案化基板的方法包括蚀刻基板以形成凹槽，在凹槽的侧壁上沉积钝化层，处理钝化层，以及蚀刻凹槽至第二深度。基板蚀刻形成凹槽至第一深度，基板具有安置在其上的掩模层。钝...
    2025-11-27
  • 静电基板支撑
    静电基板支撑_应用材料公司_202480025673.4
    静电夹盘(ESC)包括具有第一表面的陶瓷主体，其中在所述第一表面上界定的两个或多个区域在所述第一表面上相对于彼此同心地布置。每个区域包括在所述第一表面上布置并且界定所述区域的外边缘的保持环、及在所述第一表面上并且在所述区域内布置的结构，所述...
    2025-11-27
  • 供电部件及晶片载放台
    供电部件及晶片载放台_日本碍子株式会社_202380011724.3
    供电部件50用于对植入于陶瓷基材的电极进行供电。供电部件50具备：电极侧端子51，其由含高熔点金属材料形成，且接合于电极；中间部件52，其由含Cu材料形成，且没有借助焊料而与电极侧端子51直接接合；电缆支撑部件53，其由含Cu材料形成，且与...
    2025-11-27
  • 真空腔室、电子器件的制造装置以及电子器件的制造方法
    真空腔室、电子器件的制造装置以及电子器件的制造方法_佳能特机株式会社_202480022191.3
    提供一种能够降低成本的真空腔室、电子器件的制造装置以及电子器件的制造方法。其特征在于，具备：相机(301)，其拍摄形成于基板(S)的第一对准标记(S1)及第二对准标记(S2)；调整机构，其基于由相机(301)拍摄到的图像数据来调整基板(S)...
    2025-11-27
  • 工件保持装置
    工件保持装置_创意科技股份有限公司_202480027284.5
    提供工件保持装置，即便是较重工件也能可靠保持，而且能不施加负荷地拆卸所保持的工件。工件保持装置在可弹性变形的带状片(1)的一个面安装具有自粘性的粘附保持材料(2)，该带状片(1)使粘附保持材料(2)朝外并卡固在具有卡固部(4)的台座块(5)...
    2025-11-27
  • 装载端口
    装载端口_昕芙旎雅有限公司_202480020732.9
    [问题]提供一种在确保安全的同时能够以足够的精度判定基板的容纳状态的技术。[方案]装载端口(1)包括：安装部(20)，其上安装有容纳多个矩形基板(W)的容纳容器(9)；映射传感器(61)，其在沿安装在安装座(20)上的容纳容器(9)中容纳的...
    2025-11-27
  • 基板收纳容器
    基板收纳容器_未来儿股份有限公司_202380097566.8
    基板收纳容器(1)具备：容器主体(2)；盖体(3)；以及侧方基板支承部(5)，在基板收纳空间(27)内以成对的方式分别固定配置在一对的侧壁(25、26)，在盖体(3)未封闭容器主体开口部(21)时能够以使多个基板(W)中的相邻的基板(W)彼...
    2025-11-27
  • 用于流动调节的系统、方法和装置
    用于流动调节的系统、方法和装置_朗姆研究公司_202480028190.X
    一种多站式半导体处理装置包含处理站(“站”)以及与这些站流体连接的流体输送系统。流体输送系统包含第一至第四通路及流量调节器。第一通路接收输入供给的流体。第二通路将输入供给的流体的第一部分转移到流体连接这些站中的第一站的第三通路，且将输入供给...
    2025-11-27
  • 高压基板处理装置
    高压基板处理装置_株式会社HPSP_202480028065.9
    本发明提供一种高压基板处理装置，其中，包括：内腔，被形成为用于容纳待处理基板；外腔，具备：外壳，用于容纳所述内腔；外门，被形成为在封闭所述外壳的关闭状态和开放所述外壳的打开状态之间移动；以及紧固模块，被形成为在所述关闭状态下用于紧固所述外壳...
    2025-11-27
  • 高压基板处理装置
    高压基板处理装置_株式会社HPSP_202480028063.X
    本发明提供一种高压基板处理装置，其中，包括：内腔，被形成为容纳待处理基板；外腔，具备：外壳，用于容纳所述内腔；外门，被形成为在封闭所述外壳的关闭状态和开放所述外壳的打开状态之间移动；以及紧固模块，被形成为在所述关闭状态下用于紧固所述外壳与所...
    2025-11-27
  • 基板清洁改进
    基板清洁改进_应用材料公司_202480027538.3
    提供了一种基板清洁装置，所述基板清洁装置包括：轴，所述轴具有外部主体和内部容积，所述轴具有在第一方向上的长度；以及垫载体组件，所述垫载体组件包括：壳体，所述壳体在相对于所述轴的所述外部主体的固定位置连接至所述外部主体，所述壳体具有内部容积；...
    2025-11-27
  • 用于监测等离子体自由基物质通量的方法及系统
    用于监测等离子体自由基物质通量的方法及系统_应用材料公司_202480027252.5
    一种监测处理腔室中的基于等离子体的制程的方法包括：在基于等离子体的制程期间量测与处理腔室相关联的第一位置处的第一温度；以及基于第一温度来决定表示与基于等离子体的制程相关联的第一自由基物质通量的值。方法包括经训练的机器学习模型以决定表示自由基...
    2025-11-27
  • 用于减少飞溅的流体曝气器
    用于减少飞溅的流体曝气器_应用材料公司_202480027237.0
    本文的实施例提供了一种半导体基板清洁腔室。清洁腔室包括部分限定清洁体积的侧壁、在侧壁内设置的基座、及在基座上方设置的清洁臂。清洁臂包括在清洁臂的喷嘴端上设置的喷嘴组件。喷嘴组件包括外壳、及在外壳内设置并且具有气体端口的主体，该气体端口穿过该...
    2025-11-27
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