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  • 本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备,涉及半导体技术领域,旨在减小相邻的两个导电结构之间的寄生电容的电容值,并降低相邻的两个导电结构之间的电容耦合,避免由于相邻的两个导电结构之间的寄生电容导致的导电结构的信号延迟,提升...
  • 一种半导体结构及其形成方法,半导体结构包括:基底,基底上形成有第一介质层,第一介质层中形成有前层互连结构;第二介质层,位于第一介质层和前层互连结构的顶部,且第二介质层暴露前层互连结构的顶部;互连结构,位于第二介质层中,互连结构的底部与对应的...
  • 本申请公开了一种晶圆结构,包括晶圆、第一绝缘层和金属层。第一绝缘层覆盖于晶圆的其中一面。金属层,包括多条金属线,分布于第一绝缘层上。其中,在第一绝缘层面向金属层的表面上,位于金属层的多条金属线间的位置,具有沟槽结构,该沟槽结构沿着沟槽结构两...
  • 本发明提供一种半导体元件,包括:衬底、多个栅极结构、间隙壁以及多个接触窗。多个栅极结构配置在衬底上。每一个栅极结构包括:隧穿介电层以及字线堆叠配置在隧穿介电层上。间隙壁配置在隧穿介电层上且覆盖字线堆叠的侧壁。多个接触窗分别配置在多个栅极结构...
  • 本发明公开了一种基于十字形结构单元的斜铺密排阵列的深沟槽硅电容,属于硅电容技术领域。其结构为:在硅衬底上蚀刻若干个十字形的沟槽结构单元,若干个沟槽结构单元以其中心为轴,旋转角度α后按照间距d进行斜铺形成密排阵列,角度α满足, d沟槽结构单元...
  • 提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。半导体器件包括:基层;在基层上在第一方向上延伸的第一金属线;第二金属线,在基层上在第一方向上延伸并且在同一层级处与第一金属线相邻;以及金属跳线,在同一层级处在第一金属线和第二金属线之间,其中金属跳线连...
  • 本申请涉及半导体技术领域,本申请提供一种半导体电路,其包括金属基板、金属连接柱、玻纤基板和引脚,金属连接柱竖向设置在金属基板上,玻纤基板设置在金属连接柱上端,玻纤基板通过金属连接柱与金属基板固定连接,且金属连接柱的两端分别与玻纤基板和金属基...
  • 半导体结构包括:中介层,中介层包括:衬底;再分布结构(RDS),位于衬底上;钝化膜,位于RDS上,其中钝化膜包括位于RDS上的第一蚀刻停止层(ESL)和位于第一ESL上的第一介电层;通孔,嵌入钝化膜中,其中通孔电耦接至RDS的导电部件;接合...
  • 本申请涉及半导体电路应用技术领域,本申请提供一种半导体电路,其包括第一基板、第二基板和引线框架,第二基板与第一基板相对设置,引线框架包括第一引脚组件和第二引脚组件,第一引脚组件具有第一端、第二端和第三端,第二引脚组件具有第四端、第五端和第六...
  • 本发明属于半导体技术领域,公开了一种半导体电路及其塑封方法,半导体电路包括基板、芯片功能层、若干个前段引脚、若干个后段引脚和塑封体,其中基板的两侧分别设有若干个焊盘;前段引脚的一端与焊盘连接,前段引脚的自由端开设有穿插孔;后段引脚的一端可拆...
  • 本公开涉及具有改善的散热的引线框架封装。提供了一种示例引线框架封装、一种制造引线框架封装的方法以及一种包括具有改善的散热的引线框架封装的电气系统。具有改善的散热的示例引线框架封装包括第一表面和与第一表面相对的第二表面。示例引线框架封装还包括...
  • 一种半导体模块,其包括:至少一个功率半导体裸片;包封体,其包封所述功率半导体裸片;第一母线,其电连接到所述功率半导体裸片并从所述包封体暴露,所述第一母线包括第一侧、相反的第二侧以及连接第一侧和第二侧的侧向侧,其中,所述第一母线包括第一狭缝和...
  • 半导体装置具备在表面形成有发射极电极、在背面形成有集电极电极的半导体元件(30)。集电极电极与配置于半导体元件(30)的背面侧的散热器(40)经由焊料(80)连接。在焊料接合部设有多个线片(90)。所有的线片(90)接合于散热器(40)的安...
  • 本发明涉及一种改良晶垫的芯片封装结构及其方法,旨在提升芯片与载板间的电性连接效能与稳定性。该结构主要包括一芯片单元,该芯片单元的表面设有至少一晶垫,每一晶垫包含一焊接区及一周边区,周边区环绕焊接区。核心创新之一在于一镍金层直接覆盖于至少一晶...
  • 本发明属于半导体技术领域,公开了一种半导体电路,包括基板、芯片功能层和若干个活动引脚组件;其中,基板的两侧分别设有若干个焊盘;活动引脚组件包括第一引脚、第二引脚和第三引脚,第一引脚的第一端与焊盘连接,第一引脚的第二端与第二引脚的第一端活动连...
  • 根据本公开的实施例的微电子组合件可以包括玻璃芯(例如,玻璃层或玻璃结构),其具有第一面和与第一面相对的第二面;所述玻璃层中的玻璃通孔(TGV),该TGV从第一面朝向第二面延伸并包括导电材料;TGV中的第一衬垫,其在导电材料和玻璃层之间;以及...
  • 本发明涉及一种双层独立双通道冷板,属于热管理技术领域,解决了现有散热冷板的换热性能不足、安全稳定性等影响整个散热系统的正常运行的技术问题。本发明的双层独立双通道冷板包括盖板、第一层冷板、第二层冷板、第一层进液管、第一层出液管、第二层进液管和...
  • 本发明提供一种嵌入式功率芯片封装结构及其制备方法,包括:金属层,设有凹槽;凹槽底部设通孔;芯片设于凹槽中;第一烧结金属层,芯片下电极与凹槽通过第一烧结金属层连接;树脂层,填充于凹槽中;上电极铜嵌件,与芯片上电极连接;绝缘导热层,设于通孔中;...
  • 本申请涉及显示领域,具体公开了一种覆晶薄膜和显示装置,所述覆晶薄膜,包括基材层、第一金属层以及驱动芯片,所述第一金属层设置在所述基材层上方,所述第一金属层远离所述基材层的一侧通过连接线与所述驱动芯片连接;所述覆晶薄膜还包括第二金属层,所述第...
  • 本发明公开了一种MOS管固定工装,包括底座、限位板、右侧板、左侧板、导轨;底座左右两侧各设有挡板一,挡板一上有一矩形槽,槽内安装汝铁硼磁铁;底座后侧设有一个安装板,安装板后设有支撑板,安装板上设有两个定位销,限位板的一端装于定位销上;右侧板...
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