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最新专利技术
  • 处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及处理装置
    处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及处理装置_株式会社国际电气_202380095978.8
    本发明具有将包含(a)、(b)以及(c)的循环使(a)的实施期间和(b)的实施期间的至少一部分重叠地进行预定次数而将膜蚀刻的工序，上述(a)是对上述膜供给改性气体的工序，上述(b)是对上述膜供给惰性气体的工序，上述(c)是对上述膜供给蚀刻气...
    2025-11-19
  • 学习模型的生成方法、信息处理方法、计算机程序以及信息处理装置
    学习模型的生成方法、信息处理方法、计算机程序以及信息处理装置_东京毅力科创株式会社_202380095807.5
    本发明提供一种用于实现基于在基板处理时获取的反射光光谱的结构参数的预测的学习模型的生成方法、信息处理方法、计算机程序以及信息处理装置。在本实施方式所涉及的学习模型的生成方法中，信息处理装置进行下述处理：获取由使基板的状态变化的基板处理引起的...
    2025-11-19
  • 基片处理装置和基片处理方法
    基片处理装置和基片处理方法_东京毅力科创株式会社_202480021532.5
    本发明的基片处理装置包括基片旋转部、杯体、排气管和处理液喷嘴。基片旋转部保持基片并使其旋转。杯体呈环状地包围由基片旋转部保持的基片的周围。排气管与杯体连接，来自杯体的排气在其中流动。处理液喷嘴至少能够在水平方向上移动，向保持于基片旋转部的基...
    2025-11-19
  • 光照射剥离用的剥离剂组合物、层叠体以及经加工的半导体基板的制造方法
    光照射剥离用的剥离剂组合物、层叠体以及经加工的半导体基板的制造方法_日产化学株式会社_202480021189.4
    一种剥离剂组合物，其是光照射剥离用的剥离剂组合物，所述剥离剂组合物含有聚合物和溶剂，所述聚合物具有第一结构、第二结构以及第三结构，所述第一结构具有吸收光并对由所述剥离剂组合物形成的剥离剂层赋予剥离性的结构，所述第二结构在所述聚合物的主链中具...
    2025-11-19
  • 臭氧水的供给装置以及供给方法
    臭氧水的供给装置以及供给方法_株式会社明电舍_202480018579.6
    在臭氧水的供给装置(1)中，具备：臭氧水生成部(2)，所述臭氧水生成部(2)在气液混合器(21)中接受臭氧浓度50体积％以上且臭氧分压30kPa(abs)以下的臭氧气体和溶剂而生成臭氧水；臭氧水供给部(3)，所述臭氧水供给部(3)向被供给对...
    2025-11-19
  • 基板处理方法以及基板处理装置
    基板处理方法以及基板处理装置_株式会社斯库林集团_202480017989.9
    基板处理方法包括：药液工序，向基板W的主面供给酸性药液；酸性冲洗工序，向基板的主面供给调整为酸性药液的pH以下的pH的酸性冲洗液，以置换基板的主面上的酸性药液；以及中性冲洗工序，向基板的主面供给pH比酸性冲洗液大的中性冲洗液，以置换基板的主...
    2025-11-19
  • 半导体晶片磨削装置和磨削方法
    半导体晶片磨削装置和磨削方法_株式会社东京精密_202480016082.0
    本发明提供一种半导体晶片的磨削方法，其包括如下步骤：关于从同一锭切出的多个半导体晶片中的至少一片，测量半导体晶片的外周部处的晶体取向，作为与半导体晶片的从基准位置起的周向位移相对应的晶体取向数据进行存储；根据晶体取向改变包括所施加的超声波的...
    2025-11-19
  • 基板处理装置和基板处理装置的清洗方法
    基板处理装置和基板处理装置的清洗方法_东京毅力科创株式会社_202480015945.2
    本公开的一个方式的基板处理装置具备：处理腔室(20)；基板保持部(33)，其配置在处理腔室(20)内，将基板保持为水平；雾防护件(70)，其从杯体(60)的外侧包围所述杯体(60)，所述杯体(60)用于对从保持于基板保持部(33)的基板飞散...
    2025-11-19
  • 研磨处理装置及研磨台
    研磨处理装置及研磨台_超微细技研有限公司_202380095646.X
    本发明提供一种研磨处理装置，其能够有效抑制CMP装置的研磨定盘的变形(热变形)，进一步改善基板表面的SFQR等，并且能够进行高质量稳定的每次大量的研磨处理。研磨台(11)具有：研磨定盘(1)，在表面设置有研磨垫；冷却基座(2)，载置研磨定盘...
    2025-11-19
  • 砷化镓单晶衬底及其制造方法
    砷化镓单晶衬底及其制造方法_住友电气工业株式会社_202380095227.6
    砷化镓单晶衬底具有主表面，主表面具有圆形状，并且砷化镓单晶衬底具有作为第一积分强度比的R1、R2、R3、R4、R5以及R6，第一积分强度比是基于在特定的条件下对主表面的中心分别照射X射线的X射线光电子能谱法，通过求出砷的3d电子的检测强度相...
    2025-11-19
  • 利用分子层沉积的掺杂
    利用分子层沉积的掺杂_应用材料公司_202480018696.2
    分子层沉积(MLD)用于为HAR和凹入结构提供保形和均匀的掺杂技术。MLD用于沉积含有掺杂元素的保形碳基膜。随后使用热退火使掺杂元素扩散到半导体材料中。对于HAR结构，保形层与低温掺杂、精确控制一起使用，并且碳基膜可以在掺杂期间或掺杂之后容...
    2025-11-19
  • 基板处理方法
    基板处理方法_株式会社斯库林集团_202480015421.3
    本发明的基板处理方法是使用单片式清洗机并利用处理液去除基板表面的光阻剂膜的基板处理方法，在单片式清洗机内保持上述基板，使上述基板围绕与上述基板的面交叉的轴旋转，并且将硫酸溶液作为上述处理液释放至上述基板的表面，回收包含从上述基板脱离的光阻剂...
    2025-11-19
  • 用于区域选择性沉积的保护性覆盖层
    用于区域选择性沉积的保护性覆盖层_应用材料公司_202480019679.0
    描述了在半导体基板的金属层上形成保护性覆盖层的方法。使用金属前驱物和脉冲的反应物沉积金属层，以形成具有反应表面的金属层。循环数目可以在1至10个循环或2至5个循环或2至100个循环的范围内。将金属层接着暴露于长链前驱物(例如一级胺、醇、硫醇...
    2025-11-19
  • 用于在含硅晶圆上提供被涂覆的石墨烯层结构的方法
    用于在含硅晶圆上提供被涂覆的石墨烯层结构的方法_帕拉格拉夫有限公司_202480018831.3
    提供了一种用于在含硅晶圆(435)上提供被涂覆的石墨烯层结构(410)的方法，该方法包括：(1)提供晶圆堆叠(420)，该晶圆堆叠(420)依次包括透明衬底(400)、氮化物层(405)、石墨烯层结构(410)和介电钝化层(415)，其中，...
    2025-11-19
  • 制造包括超晶格的射频绝缘体上硅(RFSOI)晶片的方法
    制造包括超晶格的射频绝缘体上硅(RFSOI)晶片的方法_阿托梅拉公司_202480018689.2
    一种用于制造半导体器件的方法可以包括：在外延沉积工具中对绝缘体上半导体(SOI)基板执行退火，该基板包括第一半导体层、在第一半导体层上的绝缘层和在绝缘层上的第二半导体层，第二半导体层具有第一厚度。该方法还可以包括在外延沉积工具中执行原位蚀刻...
    2025-11-19
  • 计算机程序、信息处理方法以及信息处理装置
    计算机程序、信息处理方法以及信息处理装置_东京毅力科创株式会社_202480015458.6
    提供一种使多个制程中包含的多个处理步骤之间的关系明确的计算机程序、信息处理方法以及信息处理装置。计算机程序使计算机执行以下处理：获取关于分别包含为了处理基板而按顺序被执行的多个处理步骤的多个制程的、分别包含各处理步骤的内容及基于各处理步骤的...
    2025-11-19
  • 旋转电机壳体
    旋转电机壳体_威格电气设备股份有限公司_202280102898.6
    本发明描述了一种旋转电机壳体，包括在壳体的上部部分中的至少一个冷却流体入口；在壳体的下部部分中的至少一个冷却流体出口；内表面，其具有内表面的第一侧和内表面的第二侧，其中第一侧和第二侧彼此面对，第一侧包含至少一组第一侧凹部，并且第二侧包含至少...
    2025-11-19
  • 用于分析样品的系统和方法
    用于分析样品的系统和方法_CMP科学公司_202380085703.6
    提供了用于分析样品的系统和方法。在一些实施方案中，质谱仪可包括被配置为输出多个粒子的源、具有中心轴线的管和撇渣器。在一些实施方案中，撇渣器可以包括被布置成接收由偏转器偏转的一个或多个带电粒子的孔和包括与管的中心轴线相交的交点的接触表面。所述...
    2025-11-19
  • 磁控管溅射工艺的动态均匀性控制
    磁控管溅射工艺的动态均匀性控制_梭莱先进镀膜有限公司_202480018527.9
    磁控管溅射工艺的动态均匀性控制。公开了一种用于溅射装置的磁控管组件、其制造方法及其在非平面基底镀膜应用中的用途。该磁控管组件(170)包括分别用于在其上安装细长溅射靶(178)和磁体组件(130)的第一和第二支撑构件(171、172)；并进...
    2025-11-19
  • 具有先进涂层技术的半导体腔室组件
    具有先进涂层技术的半导体腔室组件_应用材料公司_202480022575.5
    本技术一般涉及半导体处理系统及方法。系统及方法包括具有多个腔室部件的腔室，所述腔室部件诸如基座、盖叠层、面板、电极及喷淋头。所述面板由所述盖叠层支撑并限定多个第一孔，而所述喷淋头位于所述面板与所述基座之间并限定多个第二孔。在系统及方法中，所...
    2025-11-19
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