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最新专利技术
  • 文本处理方法、装置、设备、存储介质及程序产品
    文本处理方法、装置、设备、存储介质及程序产品_腾讯科技(深圳)有限公司_202410259379.1
    本申请公开了一种文本处理方法、装置、设备、存储介质及程序产品，涉及计算机技术领域。该方法包括：获取限制词库；基于限制词库对待分析文本进行查找，从待分析文本中匹配得到文本限制词汇；根据限制词汇在限制词组中表达的情感状态，对文本限制词汇进行负向...
    2025-09-18
  • 基于知识挖掘技术的高效缝洞型油藏知识管理系统及方法
    基于知识挖掘技术的高效缝洞型油藏知识管理系统及方法_中国石油化工股份有限公司_202410243039.X
    本发明提供了一种基于知识挖掘技术的高效缝洞型油藏知识管理系统及方法，该系统包括知识获取模块、知识存储模块、应用辅助模块、应用管理模块和可视化展示模块，知识存储模块包括专业词词库，提供设定开发工艺和配套工艺的多类型专业词汇，为系统实现文件处理...
    2025-09-18
  • 机器人交互控制方法、服务器、客户端和机器人
    机器人交互控制方法、服务器、客户端和机器人_北京通用人工智能研究院_202410245016.2
    本申请公开了一种机器人交互控制方法、服务器、客户端和机器人，属于人工智能技术领域。方法包括：客户端接收用户行为信息，将用户行为信息发送至服务器；服务器根据用户行为信息识别交互的场景类型，将与场景类型匹配的提示信息和用户行为信息输入至预设的语...
    2025-09-18
  • 一种基于多池注意力机制的预训练问答事件论元抽取方法
    一种基于多池注意力机制的预训练问答事件论元抽取方法_中国科学院沈阳计算技术研究所有限公司_202410240380.X
    本发明是一种基于多池注意力机制的预训练问答事件抽取方法。该方法包括以下步骤：获取事件提及描述，得到事件类型分类，并检索事件类型对应的所有事件角色；通过构建预训练问答文本，并使用预训练模型对其编码；使用多池注意力机制获取特征向量；使用特征向量...
    2025-09-18
  • 一种离子储存材料及其制备方法和应用
    一种离子储存材料及其制备方法和应用_深圳市光羿科技有限公司_202410242587.0
    本发明提供一种离子储存材料及其制备方法和应用，所述离子储存材料包括式(I)所示的化合物：SnxAyMzOmRn；通过将特定的M元素...
    2025-09-18
  • 一种盐酸米托蒽醌脂质体及其制备方法与应用
    一种盐酸米托蒽醌脂质体及其制备方法与应用_上海交通大学_202410240203.1
    本发明属于药物输送技术领域，尤其涉及一种盐酸米托蒽醌脂质体及其制备方法与应用。本发明提供的盐酸米托蒽醌脂质体，以单价磺酸盐为内水相，将盐酸米托蒽醌高效、稳定地包封在脂质体内水相中，通过调节内水相中磺酸盐的浓度，可使所制备的盐酸米托蒽醌脂质体...
    2025-09-18
  • 有机光电子二极管和显示装置
    有机光电子二极管和显示装置_三星SDI株式会社_202480010117.X
    本发明涉及一种有机光电子二极管和显示装置，有机光电子二极管包括：彼此面对的阳极和阴极、位于阳极和阴极之间的发光层、位于阳极和发光层之间的空穴传输层以及位于空穴传输层和发光层之间的空穴传输辅助层，其中空穴传输辅助层包括与空穴传输层邻近的第一空...
    2025-09-18
  • 层叠铁芯的制造方法以及层叠铁芯
    层叠铁芯的制造方法以及层叠铁芯_日本发条株式会社_202480007288.7
    提供能够在将铁芯片一体化后可靠地调整层叠高度的层叠铁芯的制造方法。层叠多个铁芯片(3)，层叠的铁芯片(3)由通过遍及突起(15)间的第一焊接形成的第一焊接部(5)结合而被一体化，测定被一体化的铁芯片(3)的层叠高度，基于测定的层叠高度，在被...
    2025-09-18
  • 利用机器学习模型来检测泄漏的敏感浏览信息
    利用机器学习模型来检测泄漏的敏感浏览信息_微软技术许可有限责任公司_202480007775.3
    本公开涉及一种敏感度检测系统，该敏感度检测系统准确高效地确定基于用户浏览活动的信息何时无意地揭露了关于所述用户的私有或其他敏感信息。例如，敏感度检测系统生成和利用机器学习模型来检测敏感度，以准确地检测敏感用户信息何时从诸如用户简档等用户信息...
    2025-09-18
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202410251827.3
    一种显示面板，包括：衬底、多个子像素、多条数据线、多个栅极驱动电路、第一组数据扇出线、第二组数据扇出线、第一组控制信号线、第二组控制信号线、第一组静电释放电路和第二组静电释放电路。第一组数据扇出线与第一组控制信号线在衬底的正投影存在交叠，第...
    2025-09-18
  • 一种显示模组、显示装置及显示模组成型方法
    一种显示模组、显示装置及显示模组成型方法_京东方科技集团股份有限公司_202410249113.9
    显示模组包括电路板、油墨层、LED芯片和封装层。油墨层的材料至少包括丙烯酸脂、环氧树脂和有机颜料，油墨膜片贴附于电路板，油墨层具有开窗；LED芯片，固晶于开窗；封装层覆盖于电路板、油墨层及LED芯片。
    2025-09-18
  • 半导体结构单元及其形成方法、半导体结构
    半导体结构单元及其形成方法、半导体结构_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410252040.9
    一种半导体结构单元及其形成方法、半导体结构，半导体结构单元包括：衬底，包括第一区和第二区；位于衬底上的若干第一栅极结构和若干第二栅极结构，第一栅极结构位于相邻的第二栅极结构之间；位于第一区第一栅极结构上和第二栅极结构上的若干第一金属层，第一...
    2025-09-18
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_长江存储科技有限责任公司_202410253724.0
    本公开实施例提供一种半导体器件及其制备方法，所述方法包括：在衬底上形成栅极层；在所述栅极层上形成第一掩膜层；利用所述第一掩膜层对所述栅极层进行刻蚀，形成栅极；对所述衬底进行离子掺杂，以在所述栅极两侧形成源/漏区；去除所述第一掩膜层；形成覆盖...
    2025-09-18
  • 半导体器件及其制作方法、集成电路、存储系统
    半导体器件及其制作方法、集成电路、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410249679.1
    本公开提供了一种半导体器件及其制作方法、集成电路、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决低电压晶体管背栅漏电的问题。所述半导体器件包括衬底、第一绝缘层、第二绝缘层、半导体层、第一晶体管和第二晶体管。第一绝缘层设置于衬底一侧，包括第一部分...
    2025-09-18
  • 薄膜晶体管、像素阵列基板、显示装置及其制造方法
    薄膜晶体管、像素阵列基板、显示装置及其制造方法_深超光电(深圳)有限公司_202410253958.5
    本发明涉及一种薄膜晶体管、像素阵列基板、显示装置及其制造方法。所述薄膜晶体管的制造方法包括以下步骤：在基板上形成第一金属层以及覆盖于第一金属层上的绝缘层；在绝缘层上形成非晶态半导体薄膜；对非晶态半导体薄膜进行热处理，以使非晶态半导体薄膜转换...
    2025-09-18
  • 薄膜晶体管、像素阵列基板、显示装置及其制造方法
    薄膜晶体管、像素阵列基板、显示装置及其制造方法_深超光电(深圳)有限公司_202410252139.9
    本发明公开一种薄膜晶体管、像素阵列基板、显示装置及其制造方法。所述薄膜晶体管的制造方法包括以下步骤：在基板上形成第一金属层以及覆盖于第一金属层上的绝缘层；在绝缘层上形成非晶态半导体薄膜；对非晶态半导体薄膜进行离子注入，以将3A族离子注入非晶...
    2025-09-18
  • 半导体装置及其形成方法
    半导体装置及其形成方法_世界先进积体电路股份有限公司_202410247015.1
    提供半导体装置及其形成方法。半导体装置包括碳化硅基板、外延层、第一电极、分离栅极结构以及源极接触。碳化硅基板具有第一、第二以及第三区，且具有第一导电类型。外延层设置于碳化硅基板的顶面上。外延层具有第一导电类型。第一电极设置于第一区的外延层中...
    2025-09-18
  • 半导体装置及其形成方法
    半导体装置及其形成方法_世界先进积体电路股份有限公司_202410247012.8
    本发明提供半导体装置及其形成方法。半导体装置包括碳化硅基板、外延层、阱区、栅极结构、第一绝缘柱、一对第一介电间隔物以及接触部件。碳化硅基板具有第一区以及第二区，且具有第一导电类型。外延层设置于碳化硅基板上且具有第一导电类型。阱区位于外延层中...
    2025-09-18
  • 一种注塑成型含前或后端盖的定子组件及其工艺
    一种注塑成型含前或后端盖的定子组件及其工艺_泰格运控(江苏)技术有限公司_202410246291.6
    本发明适用于电机制造技术领域，提供了一种注塑成型含前或后端盖的定子组件及其工艺，包括集成前端盖或集成后端盖，所述集成前端盖或集成后端盖内设有定子铁芯和定子绕组，所述集成前端盖或集成后端盖采用可塑性材质成型；其中，所述定子绕组置于所述定子铁芯...
    2025-09-18
  • 一种O3型钠离子电池镍锰基层状氧化物正极材料、制备方法和用途
    一种O3型钠离子电池镍锰基层状氧化物正极材料、制备方法和用途_北京工业大学_202410251143.3
    一种O3型钠离子电池镍锰基层状氧化物正极材料、制备方法和用途属于电极材料领域。化学通式表示为：Nax(NiyMn1‑y)1‑βMβ...
    2025-09-18
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