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  • 本申请提供一种微孔加工方法和基板,涉及半导体技术领域,方法通过利用负压环境浸润待加工基板的空隙区,得到预浸润基板,并且利用腐蚀液腐蚀预浸润基板的空隙区,得到具有微孔的基板。由此,能够在腐蚀过程中,腐蚀液可以利用空隙区内留有的浸润液快速扩散,...
  • 本发明公开了一种eMMC基板共模结构的加工方法,所述eMMC基板共模结构的加工方法包括:确定目标eMMC基板的基准信息;确定样品基板的尺寸信息,并基于目标eMMC基板的尺寸信息进行区域划分;根据区域划分的结果以及所述目标eMMC基板的基准信...
  • 本发明公开一种集成电路封装基板上制作高精度、高平整度空腔的方法,该方法包括:提供一封装基板,封装基板的至少一重布线结构具有待开空腔区域的介电层,待开空腔区域的介电层的厚度为实际压合的介电层厚度×λ,其中λ≤1;待开空腔区域的介电层的底部具有...
  • 本发明提供一种混合结构高密度封装基板加工方法,包括以下步骤:步骤S1.提供芯板,在芯板内加工通孔,并在通孔内填充铜,以实现两侧布线层连通;步骤S2.在芯板顶部依次进行顶部高密度布线层加工、顶部焊盘加工,并在芯板顶部焊盘侧贴临时键合保护膜;步...
  • 本发明公开了一种用于改善玻璃通孔锥角的碱性湿法蚀刻方法,包括以下步骤:以硅酸盐或高铝硅酸盐玻璃作为蚀刻材料,使用有机溶剂和纯水分别对玻璃进行超声清洗预处理,并置于真空干燥箱干燥;采用多脉冲皮秒激光对玻璃基板预设区域进行照射激光改性;放入氢氧...
  • 本发明公开了一种Glass Core多芯粒封装方法及封装结构。以玻璃芯层作为封装的核心载体,通过在玻璃芯层内部先行实施激光诱导变性,再结合分阶段湿法腐蚀工艺,依次形成通孔和盲孔结构;通过在激光改性后引入裂纹封口钝化处理,有效抑制玻璃微裂纹在...
  • 本申请提供的一种2.5D中介层露铜制备工艺和封装结构,涉及半导体封装技术领域。该工艺包括:提供具有导电柱的衬底;其中,衬底包括相对设置的第一表面和第二表面,导电柱靠近第一表面的一端凸出衬底的第一表面;衬底具有模组贴装区域和骨架区域。在第一表...
  • 本发明提供一种半导体组件,其包括含衬底穿孔(TSV)的半导体管芯、黏着层和半导体载体衬底。含衬底穿孔(TSV)的半导体管芯包括第一半导体衬底,其中形成衬底穿孔(TSV)结构、第一半导体组件和位于第一半导体衬底前侧的前侧连接焊盘,以及位于第一...
  • 本发明公开了一种单MOS芯片的CSP封装结构及其封装方法,包括以下步骤:晶圆划片为裸片单元,将裸片倒装贴装,包封裸片并研磨暴露出裸片背面胶层,电镀布线层一将裸片背面电极电性重新布局,包封布线层一;翻转包封整体,裸片正面齐平外露于包封料,在该...
  • 本公开涉及微电子组件。公开了扇出封装的各个实施例。公开了一种形成微电子组件的方法。该方法可以包括:使用无需介入粘合剂的直接粘合技术将至少一个微电子衬底的第一表面粘合到载体的表面,该微电子衬底在微电子衬底的至少一个表面上具有多个导电互连。该方...
  • 本公开涉及微电子组件。公开了扇出封装的各个实施例。公开了一种形成微电子组件的方法。该方法可以包括:使用无需介入粘合剂的直接粘合技术将至少一个微电子衬底的第一表面粘合到载体的表面,该微电子衬底在微电子衬底的至少一个表面上具有多个导电互连。该方...
  • 一种半导体封装(20)包括:多个引线(21.2),所述多个引线(21.2)包括第一引线(21.2A)和第二引线(21.2B);第一基板(22),所述第一基板22连接到第一引线(21.2A);第二基板(23),所述第二基板(23)连接到一个或...
  • 本申请公开一种半导体封装结构及其封装方法,涉及半导体技术领域,包括基岛、芯片和多个引脚,芯片贴装于基岛上,多个引脚沿基岛的周侧设置,芯片与引脚的内端部电连接,引脚的外端部设有凹槽,以使引脚的外端部形成悬臂梁结构,悬臂梁结构被分割为沿引脚的厚...
  • 本发明提供即使在实施了回流处理的情况下也能够抑制翘曲并且还能够抑制设置为覆盖一部分布线层的固化物层产生裂纹的布线基板。一种布线基板,所述布线基板是具备基板、在所述基板的至少一个主表面上设置的布线层、设置为覆盖一部分所述布线层的固化物层、以及...
  • 本发明属于光电传输技术领域,涉及一种光电同传垂直互联结构,该结构包括依次形成在开设于衬底上的孔内的中空柱状介质层、中空柱状电信号传输层和同时具有中心支撑作用的柱状光信号传输层。中空柱状电信号传输层的材质为铜或钨,柱状光信号传输层的材质为能够...
  • 本发明提供一种高阶玻璃基板结构及其制备方法,包括以下步骤:提供一第一、二玻璃基板,分别形成贯穿第一、二玻璃基板的第一、二通孔,分别形成填充第一通孔并位于第一玻璃基板上、下表面的第一线路层、填充第二通孔并位于第二玻璃基板上、下表面的第二线路层...
  • 一种牵引逆变器模块,包括:多个功率半导体管芯,所述多个功率半导体管芯连接在一起以形成包括半桥的逆变器电路,其中,所述逆变器电路被配置为以3电平拓扑模式操作;封装体,所述封装体封装所述功率半导体管芯;第一外部接触件和第二外部接触件,所述第一外...
  • 本公开涉及用于射频设备的层压基板。一种用于射频RF的层压基板,包括:其中形成有第一槽的第一金属层,以及穿透到第一槽中的传输线,传输线;第二金属层,包括第二横向闭合槽;第三金属层,包括第三横向闭合槽;第四金属层,包括第四槽;介质层,被布置在每...
  • 本公开涉及用于射频设备的层压基板。一种用于射频设备的层压基板,相继包括:第一金属层,在该第一金属层中形成有在其各侧中的一侧上至少部分地开放的第一槽,以及具有延伸到第一槽中的馈线;第二金属层,在该第二金属层中形成有第二横向闭合槽;第三金属层,...
  • 本公开实施例提供一种封装结构。该封装结构包括:多个导电结构,导电结构沿第一方向延伸,导电结构包括沿第一方向相对设置的第一端部和第二端部,以及位于第一端部和第二端部之间的连接部;其中,由连接部至第一端部,导电结构沿第二方向的尺寸逐渐减小,由连...
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