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  • 本发明涉及功率器件热管理技术领域,尤其涉及一种适用于高功率密度氮化镓功率器件的集成微通道散热结构及其制备方法,所述散热结构由下至上依次为金属密封层、硅衬底和氮化镓基器件层;所述硅衬底的底壁上开设有交错狭缝阵列布局的微流道,所述微流道正对所述...
  • 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种半导体封装结构及其制备方法,包括:主动散热模块,包括层叠的测温层和散热层;测温层内集成有多个测温热电偶;散热层包括第一线路层、第二线路层、以及位于第一线路层和第二线路层之间的多个水平间隔排列的P型半导体导...
  • 本发明涉及一种具有多相变体系的热缓冲液冷均热装置及其制备方法,热缓冲液冷均热装置包括液冷板和用于接触热源的翅片流道一体化均热板;翅片流道一体化均热板的外侧设有翅片流道,翅片流道内部具有翅片中空结构,翅片中空结构内填充有相变温度为100℃至1...
  • 本发明涉及一种芯片级三维散热封装结构及其制作方法,属于微电子封装技术领域。该封装结构融合了梯度微通道、铜基蒸气腔、纳米强化热界面层与智能热管理系统,通过在芯片级别进行三维集成,实现了高效传热与均匀散热。纳米强化热界面层材料有效降低了界面热阻...
  • 本发明提供了一种储能散热一体的均热板结构及其控制方法,涉及电子器件冷却方式领域,依次包括蒸发板、蒸发吸液芯、支撑架、微型透平发电机模组、冷凝吸液芯和冷凝板,蒸发吸液芯连接到蒸发板上,冷凝吸液芯连接到冷凝板上,连接架上设有高温蒸汽通道和冷凝回...
  • 本发明涉及半导体封装技术领域,公开了半导体封装结构及其制备方法。结构包括基板、嵌入式电容器和芯片封装模块,嵌入式电容器沿基板厚度方向贯穿设置在基板内,包括第一电容堆叠体、分别位于第一电容堆叠体沿第二方向相对两侧面的第一焊盘和第二焊盘,第二方...
  • 本公开涉及电力电子技术领域,尤其涉及一种半导体器件、车载充电机及交通工具,其中,半导体器件包括:基板、功率电路、功率引脚(102)和信号引脚(101);功率电路设置在基板上;功率引脚(102)和信号引脚(101)连接功率电路;设置在基板的相...
  • 本申请提出一种微孔修复方法,包括以下步骤:在基板上形成若干未达到目标尺寸的微孔;对基板上的各微孔进行检测,区分异常微孔和正常微孔;以正常微孔为基准,对异常微孔进行二次激光改质处理;再对基板进行化学腐蚀,腐蚀一定程度后,异常微孔和正常微孔的形...
  • 本发明提供了一种实现双面DPC产品平坦化后均匀性一致的方法。本实现双面DPC产品平坦化后均匀性一致的方法,双面DPC产品包括非金属材料的基板和位于基板两侧的金属层,其特征在于,该方法包括以下步骤:A、准备;B、治具作业;C、一次减薄:双面D...
  • 本发明提供了一种双面DPC产品平坦化的均匀性方法。本双面DPC产品平坦化的均匀性方法包括以下步骤:A、表面清洁:对选用的基板进行清洁,并对其表面进行微粗化处理;B、贴膜:将包覆层贴合在基板表面;C、显影:通过显影处理后在基板边沿处形成若干条...
  • 本公开提供一种封装载板及其制备方法、芯片封装结构,该制备方法包括:提供一基板,在基板上制作通孔,通孔包括标记通孔和功能通孔;在基板的表面以及通孔的侧壁沉积种子层;贴附具有第一开口的第一保护膜,第一开口暴露标记通孔;在标记通孔内填塞绝缘材料形...
  • 本发明公开了一种半导体封装结构及封装方法,该封装方法包括以下步骤:提供一基底;在所述基底的正面上形成金属垫;在所述基底及所述金属垫上形成基础介电层,并图案化所述基础介电层以形成一开口,该开口暴露所述金属垫的至少一部分;形成金属再布线基础层,...
  • 本公开涉及具有互连结构的键合结构。公开了一种键合结构。键合结构可以包括互连结构。键合结构还可以包括直接键合到互连结构的第一管芯。键合结构还可以包括被安装到互连结构的第二管芯。第二管芯沿着互连结构的上表面与第一管芯横向地间隔开。第二管芯至少部...
  • 一种封装结构的形成方法,包括:提供基底,基底内具有若干导电插塞;在基底内形成填充层,填充层的材料热膨胀系数大于基底的材料热膨胀系数;在基底上形成顶层重布线层和底层重布线层,顶层重布线层和底层重布线层位于基底的不同侧面;在顶层重布线层上键合连...
  • 本发明涉及集成电路制造领域,特别是涉及一种集成电路及其封装方法,通过准备大尺寸转接芯片;所述大尺寸转接芯片包括金属线层区与空白区;所述金属线层区包括金属结构层与表面焊盘;在所述空白区刻蚀开放凹槽;将嵌合体嵌入所述开放凹槽,得到整合芯片;所述...
  • 本发明涉及集成电路制造领域,特别是涉及一种集成电路及其封装方法,通过准备转接芯片;在所述空白区刻蚀开放凹槽;将内嵌芯粒嵌入所述开放凹槽,得到整合芯片;在所述整合芯片的上表面设置图形化的绝缘阻断层;在所述绝缘阻断层的基础上,得到顶部布线层;在...
  • 本发明涉及集成电路制造领域,特别是涉及一种集成电路及其封装方法,通过准备转接芯片;所述转接芯片包括金属线层区与空白区;所述金属线层区包括金属结构层与第一表面电连接结构;在所述空白区刻蚀开放凹槽;将芯粒嵌入所述开放凹槽,得到整合芯片;在所述整...
  • 本发明涉及集成电路制造领域,特别是涉及一种集成电路及其封装方法,通过准备大尺寸转接芯片;所述大尺寸转接芯片包括金属线层区与空白区;所述金属线层区包括金属结构层与第一表面电连接结构;在所述空白区刻蚀开放凹槽;将嵌合体嵌入所述开放凹槽,得到整合...
  • 本发明公开了一种功率半导体晶圆氧化膜祛除方法,具体涉及芯片焊接前处理技术领域,包括气体制备与精确调控,提供由氢气和惰性气体组成的还原性混合气体,并通过压力‑流量控制装置,将气体输出压力稳定控制在0.3‑0.5Mpa,输出流量稳定控制在1.5...
  • 一种封装结构的形成方法,包括:提供临时载板;基于临时载板形成至少1层重布线层、导电插塞层和金属凹槽;提供预处理芯片,预处理芯片固定于金属凹槽内;提供至少1个主芯片,主芯片分别与预处理芯片和重布线层键合连接;对基于临时载板形成的面板级封装结构...
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