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最新专利技术
  • MMIC芯片的制备方法、芯片、电子设备及制备装置
    MMIC芯片的制备方法、芯片、电子设备及制备装置_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511589732.3
    本发明提供一种MMIC芯片的制备方法、芯片、电子设备及制备装置，涉及半导体技术领域。该方法包括：在晶圆的正面制备MMIC功能电路；根据晶圆的目标厚度，在晶圆的背面进行减薄操作；在减薄后的晶圆的背面制备谐振抑制电路；对制备有MMIC功能电路和...
    2026-03-16
  • 一种电子仓三维扎线工艺
    一种电子仓三维扎线工艺_陕西航天时代导航设备有限公司_202511876159.4
    本申请公开了一种电子仓三维扎线工艺，包括扎线工装和扎线方法，所述扎线工装包括矩形方框、钉板、扎线图板及工艺表；所述矩形方框的外形适配电子仓内腔结构，且其每个面上分别安装有钉板，所述钉板纵向中线两侧设置有若干定位柱，并使所述定位柱之间构成线束...
    2026-03-16
  • 一种埋入芯片的TGV玻璃基板及其制作方法
    一种埋入芯片的TGV玻璃基板及其制作方法_上海美维科技有限公司_202511450165.3
    本发明公开一种埋入芯片的TGV玻璃基板及其制作方法，该方法包括：提供一玻璃芯板；在玻璃芯板的第一表面形成临时金属掩膜层；在临时金属掩膜层上进行图形转移和蚀刻；在第二图形区域通过干法刻蚀玻璃芯板，形成第一TGV孔；在第一图形区域和第二图形区域...
    2026-03-16
  • 自动作业系统及作业方法
    自动作业系统及作业方法_珠海兴科半导体有限公司_202511670573.X
    本发明公开了一种自动作业系统及作业方法，包括多个上pin工位、多个钻孔机台、多个移动机器人、多个下pin工位、扫码装置以及控制器，所述扫码装置、所述移动机器人和所述钻孔机台均与所述控制器信号连接；所述扫码装置用于获取待钻孔加工产品的编码信息...
    2026-03-16
  • 封装基板曝光方法、制作方法及封装基板
    封装基板曝光方法、制作方法及封装基板_浙江创豪半导体有限公司_202511684406.0
    本申请实施例提供一种封装基板曝光方法、制作方法及封装基板，包括 : 提供一基板，基板上设有金属层，基板和金属层上均涂敷有油墨，且位于金属层上的油墨为第一油墨层，位于基板上的油墨为第二油墨层，第一油墨层上设有开窗区；使用第一曝光工艺，对第一油...
    2026-03-16
  • 一种半导体器件的制造方法及半导体器件
    一种半导体器件的制造方法及半导体器件_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511714744.4
    本申请公开了一种半导体器件的制造方法及半导体器件，制造方法包括：提供基板；在基板形成第一芯片、第二芯片和位于第一间隔的连接结构，其中，第一芯片和第二芯片相邻并通过第一间隔隔开，第一布线层与第二布线层通过连接结构电连接，第一布线层为第一芯片的...
    2026-03-16
  • 芯片封装结构的制备方法、芯片封装结构及电子设备
    芯片封装结构的制备方法、芯片封装结构及电子设备_成都奕成集成电路有限公司_202511806634.0
    本申请提供一种芯片封装结构的制备方法、芯片封装结构及电子设备。首先，提供第一重布线层，接着，在第一重布线层的一侧制作至少一个存储单元，存储单元包括存储芯片，存储芯片远离第一重布线层的一侧包括焊盘。再接着，在存储芯片的焊盘上生长沿远离第一重布...
    2026-03-16
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_长电科技管理有限公司_202511856844.0
    本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，一种半导体结构的形成方法，包括：形成具有开口的介质层；形成第一牺牲层，所述第一牺牲层暴露出所述开口，及邻近所述开口的部分介质层的顶部表面；形成种子层，所述种子层保形覆盖所述开口的底部和侧壁，以及保...
    2026-03-16
  • 扇出型封装结构的制备方法
    扇出型封装结构的制备方法_上海先封科技有限公司_202511819739.X
    本申请公开了扇出型封装结构的制备方法，属于半导体封装技术领域。通过与释放层接触的第一绝缘层采用非感光性介电材料，至少一个非最下层的绝缘层采用感光型聚酰亚胺材料的材料架构，将易吸湿的感光型聚酰亚胺用于上层以形成高密度细线路，同时利用具备绝缘绝...
    2026-03-16
  • 扇出型封装结构的制备方法
    扇出型封装结构的制备方法_上海先封科技有限公司_202511819985.5
    本申请公开了扇出型封装结构的制备方法，属于半导体封装技术领域。本申请通过引入两次模塑工艺并结合垂直导柱的支撑，构建了一个应力平衡的双面包覆结构，从而显著抑制了因材料热失配引起的封装体翘曲。采用本申请形成的稳定的低翘曲结构大幅提升了光刻等后续...
    2026-03-16
  • 功率模块单元及功率模块封装结构
    功率模块单元及功率模块封装结构_比亚迪股份有限公司_202511494525.X
    本申请提供一种功率模块单元及功率模块封装结构，该功率模块单元包括：第一基板，第一基板包括依次层叠的第一下导体层、第一绝缘层及第一上导体层，第一上导体层包括直流电极部和交流电极部，直流电极部电连接至正极端子，交流电极部电连接至输出端子；第二基...
    2026-03-16
  • 一种车用多芯片并联的桥臂、半桥和功率模块
    一种车用多芯片并联的桥臂、半桥和功率模块_武汉理工大学_202511593324.5
    本发明涉及一种车用多芯片并联的桥臂、半桥、功率模块以及驱动回路，其中，桥臂包括基板、两组芯片和两个铜夹；两组芯片沿一中轴线一维对称布置于所述基板上，且两组所述芯片之间经由所述基板电连接，每组所述芯片均包括四个所述芯片，四个所述芯片沿十字轴线...
    2026-03-16
  • 半导体封装结构及半导体封装方法
    半导体封装结构及半导体封装方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511726705.6
    本申请提供了一种半导体封装结构及半导体封装方法，其中，半导体封装结构包括：引线框架；芯片，包括衬底，所述衬底上靠近所述引线框架的一侧开设有凹槽，所述凹槽的开口面向所述引线框架；以及粘接件，所述粘接件的部分填充于所述凹槽内，并连接所述芯片和所...
    2026-03-16
  • 内置去耦电容器的双面冷却功率模块
    内置去耦电容器的双面冷却功率模块_中国第一汽车股份有限公司_202511780393.7
    本发明公开了一种电力电子封装技术领域的内置去耦电容器的双面冷却功率模块，包括：第一DBC基板的顶部具有分别对应半桥电路的直流正极与直流负极电位的两个独立金属岛；第二DBC基板的顶部铜层对应半桥电路的交流输出电位；功率器件，包括作为下开关的功...
    2026-03-16
  • 一种双面散热型MOS芯片堆叠封装结构
    一种双面散热型MOS芯片堆叠封装结构_无锡市乾野微纳科技有限公司_202511783300.6
    本发明涉及半导体器件技术领域，具体地说，涉及一种双面散热型MOS芯片堆叠封装结构。其包括封装件以及堆叠件。本发明中，当上塑封体与下塑封体通过卡扣配合形成完整盒体时，其内部侧轴同步挤压弧形边，驱动外套筒转动，使第二通口与第一通口对齐。促使传热...
    2026-03-16
  • 封装框架、封装结构及封装方法
    封装框架、封装结构及封装方法_安特永(苏州)光电科技有限公司_202511878956.6
    本发明公开了一种封装框架、封装结构及封装方法，所述封装框架包括框架本体和设于框架本体上的弹性导电件，所述框架本体包括边框及设于所述边框内且与所述边框固定连接的连接条，所述弹性导电件的第一端固定于所述框架本体上，所述弹性导电件的第二端位于所述...
    2026-03-16
  • 微波电路、封装、谐振抑制芯片制备方法、设备及介质
    微波电路、封装、谐振抑制芯片制备方法、设备及介质_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511589731.9
    本发明涉及微波电路谐振抑制技术领域，尤其涉及一种微波电路、封装、谐振抑制芯片制备方法、设备及介质，本发明提供的抗腔体谐振的微波电路，包括：微波芯片、谐振抑制芯片以及多个第一键合装置；微波芯片的第一面以及所述谐振抑制芯片的第二面分别设有多个第...
    2026-03-16
  • 芯片封装结构及封装方法
    芯片封装结构及封装方法_安特永(苏州)光电科技有限公司_202511802653.6
    本发明揭示了一种芯片封装结构及封装方法，芯片封装结构包括基板，具有第一表面；至少一个第一芯片，设置于所述第一表面且和所述基板电连接；第二芯片，设置于所述第一芯片背离所述基板的一侧，所述第二芯片和所述基板电连接；支撑结构，设置于至少一个所述第...
    2026-03-16
  • 一种集成式电源模块及其制造方法
    一种集成式电源模块及其制造方法_西安微电子技术研究所_202511766514.2
    本发明公开了一种集成式电源模块及其制造方法，以克服现有技术中高压电源模块体积大、可靠性差及性能受限的不足。所述模块通过基板内部容纳腔实现电路系统三维集成，利用绝缘封装材料进行内部封装，结合固定壳体连接的集成引线组件，有效压缩模块体积，增强绝...
    2026-03-16
  • 芯片与引线框架的粘接方法
    芯片与引线框架的粘接方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202411176873.8
    本发明公开的芯片与引线框架的粘接方法，包括：在芯片的粘接面上进行离子刻蚀以形成第一粗糙区域；在引线框架的粘接面上进行湿法刻蚀以形成第二粗糙区域；以及将所述第一粗糙区域和所述第二粗糙区域面对面粘接；其中，所述离子刻蚀包括在将芯片置于具有预定压...
    2026-03-16
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