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最新专利技术
  • 一种图像传感器集成芯片及其制作方法
    一种图像传感器集成芯片及其制作方法_上海微阱电子科技有限公司_202511837085.3
    本发明提供一种图像传感器集成芯片及其制作方法，包括：提供具有基础图像传感器结构的第一晶圆；形成具有金属线栅的介质层；形成第一键合焊盘；提供具有算法处理芯片的第二晶圆；形成第二键合焊盘；将第一键合焊盘与第二键合焊盘进行键合。通过在基础图像传感...
    2026-03-18
  • 图像传感器及超表面层的设计方法
    图像传感器及超表面层的设计方法_苏州山河光电科技有限公司_202511854650.7
    本发明提供一种图像传感器及其超表面层的设计方法，图像传感器包括超表面层、光电转换层，所述光电转换层包括阵列排布的若干像素单元，所述超表面层包括多个颜色路由单元，所述颜色路由单元与所述像素单元相关联，所述颜色路由单元被配置为对入射光施加组合相...
    2026-03-18
  • 图像传感器及其制备方法、摄像头模组、电子设备
    图像传感器及其制备方法、摄像头模组、电子设备_华为技术有限公司_202411238359.2
    本申请实施例公开一种图像传感器及其制备方法、摄像头模组、电子设备，涉及成像技术领域。该制备方法包括：采用含硅气体和含氧气体，在预设温度范围、预设压强范围及第一预设射频功率下，在滤光片阵列层上形成隔离介质层。采用含硅气体和含氮气体，在预设温度...
    2026-03-18
  • 具有掺杂隔离结构的图像传感器
    具有掺杂隔离结构的图像传感器_半导体元件工业有限责任公司_202411959438.2
    本公开涉及具有掺杂隔离结构的图像传感器。一种图像传感器设备可包括半导体衬底、衬底中的第一图像传感器像素和第二图像传感器像素，以及处于第一图像传感器像素与第二图像传感器像素之间的梯度掺杂深沟槽隔离(DTI)结构。梯度掺杂DTI结构可包括至少两...
    2026-03-18
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510594430.9
    示例图像传感器包括具有多个像素的第一层和具有外围电路的第二层。外围电路通过多条行线和多条列线连接到所述多个像素，以驱动所述多个像素。第二层堆叠在第一层上。所述多个像素中的每个包括光电二极管、浮置扩散区域、传输晶体管和放大晶体管，由光电二极管...
    2026-03-18
  • 阵列基板及其制作方法、平板探测器
    阵列基板及其制作方法、平板探测器_惠科股份有限公司_202511621380.5
    本申请属于显示领域，具体涉及一种阵列基板及其制作方法、平板探测器，阵列基板包括衬底基板、第一金属层、层间绝缘层、第二金属层、有源层、栅极绝缘层和第三金属层，第一金属层包括相连接的漏极和下电极，层间绝缘层部分覆盖第一金属层，第二金属层形成在层...
    2026-03-18
  • 一种CMOS图像传感器的像素结构及CMOS图像传感器
    一种CMOS图像传感器的像素结构及CMOS图像传感器_中国科学院新疆理化技术研究所_202511643994.3
    本公开提供了一种CMOS图像传感器的像素结构及CMOS图像传感器，该CMOS图像传感器的像素结构包括：外延层，包括第一表面和第二表面，第一表面为用于感光的表面，第二表面与第一表面相对；光电二极管，位于外延层的内部；沿感光方向的截面上，光电二...
    2026-03-18
  • 图像传感器传输栅介质层结构及其制作方法
    图像传感器传输栅介质层结构及其制作方法_荣芯半导体(宁波)有限公司_202610163054.2
    本申请提供一种图像传感器传输栅介质层结构及其制作方法，结构包括依次层叠的第一栅介质层、第二栅介质层与第三栅介质层，其中第一栅介质层为氧化层，第二栅介质层为含氮元素的氧化层，第三栅介质层为氧化层或高介电常数材料层；从下至上第二栅介质层中氮元素...
    2026-03-18
  • 一种全背接触太阳能电池的激光诱导烧结方法
    一种全背接触太阳能电池的激光诱导烧结方法_帝尔激光科技(无锡)有限公司_202411180191.4
    本申请提出一种全背接触太阳能电池的激光诱导烧结方法，应用于激光诱导烧结设备中，该方法包括在加工台面上放置一个校正基板，在校正基板与激光扫描机构之间放置一个透明支撑板，振镜控制激光束在校正基板上加工点阵，测量点阵的实际坐标值，对比实际坐标值与...
    2026-03-18
  • 一种背接触光伏组件的制作方法及背接触光伏组件
    一种背接触光伏组件的制作方法及背接触光伏组件_马鞍山凌众新能科技有限公司_202511305195.5
    本发明提供一种背接触光伏组件的制作方法及背接触光伏组件，所述方法在制作光伏电池导电背板时，将探针加载在金属导电层的正负极上进行通电，形成金属导电层正极‑导电胶‑电池片正极‑电池片负极‑导电胶‑金属导电箔负极的通路；在所述通路中，导电胶在几层...
    2026-03-18
  • 晶硅太阳能电池及其制备方法
    晶硅太阳能电池及其制备方法_三一硅能(株洲)有限公司_202511520051.1
    本发明涉及光伏电池技术领域，具体涉及一种晶硅太阳能电池及其制备方法。所提供的晶硅太阳能电池的制备方法，包括：对N型硅片进行制绒，硼扩；对N型硅片进行激光钝化处理，具体为在N型硅片的前表面，分别使用激光器在第一方向和第二方向形成切割线；在N型...
    2026-03-18
  • 磷扩退火方法及TBC电池的制备方法
    磷扩退火方法及TBC电池的制备方法_天津中环光伏科技有限公司_202511584922.6
    本发明中公开了磷扩退火方法及TBC电池的制备方法，磷扩退火的方法包括如下步骤：A1：硅片在石英炉管内进行高温加热，再进行抽压和第一次升温，检漏后，进行第二次升温和升压，通入氮气进行退火晶化，将掺硼微晶硅层晶化为P型多晶硅层；A2：降温，通入...
    2026-03-18
  • 一种太阳能电池组件层压内置框结构及层压机压框
    一种太阳能电池组件层压内置框结构及层压机压框_秦皇岛晟成自动化设备有限公司_202511630400.5
    本发明公开了一种太阳能电池组件层压内置框结构及层压机压框，层压内置框结构通过安装板安装在压框本体的内部；层压内置框结构包括多个T型三通、多个钢丝绳、多个不锈钢管和多个旋拧长度调节器，钢丝绳安装在沿纵向分布的相邻两个T型三通的第一接口之间，且...
    2026-03-18
  • 一种具有激光氧化层的联合钝化背接触电池及其制作方法
    一种具有激光氧化层的联合钝化背接触电池及其制作方法_江苏中胜微科技有限公司_202511638742.1
    本申请公开了一种具有激光氧化层的联合钝化背接触电池及其制作方法，涉及太阳能电池领域。本发明在n型掺杂硅晶层表面进行激光氧化处理形成激光氧化层，激光氧化层覆盖并填补n型掺杂硅晶层表面的微裂纹、浅坑或悬挂键，提高后续膜层平整度，填补化学清洗制绒...
    2026-03-18
  • 一种铜基硫族化合物吸收层及其处理方法、太阳能电池
    一种铜基硫族化合物吸收层及其处理方法、太阳能电池_深圳大学_202511644628.X
    本发明涉及能源材料技术领域，公开一种铜基硫族化合物吸收层及其处理方法、太阳能电池。所述铜基硫族化合物吸收层的处理方法包括以下步骤：提供铜基硫族化合物吸收层；将所述铜基硫族化合物吸收层放置于氟化钾溶液中，进行反应，完成对铜基硫族化合物吸收层的...
    2026-03-18
  • 一种碲镉汞探测器芯片加工方法
    一种碲镉汞探测器芯片加工方法_安徽晶芯科技有限公司_202511773090.2
    本发明公开了一种碲镉汞探测器芯片加工方法，属于半导体器件制造技术领域；本发明包括前序开孔工序，获取到完成钝化层制备的碲锌镉晶圆进行开孔光刻，依次开展匀胶、曝光显影，形成包含接触孔和对位标记的图形；随后通过刻蚀去除对应区域材料，同步制作接触孔...
    2026-03-18
  • 一种片间通信系统
    一种片间通信系统_光本位智能科技(上海)有限公司_202511812053.8
    本发明涉及半导体技术领域，具体为一种片间通信系统，包括：光源；玻璃基板芯片，玻璃基板芯片包括：玻璃基板层、波导层；波导层的外表面设置有计算区、处理区；计算区包括：驱动芯片、调制芯片，调制芯片与光源通过经由波导层的第一光通道相连接，调制芯片与...
    2026-03-18
  • 一种改善管式PECVD镀膜均匀性的制备方法
    一种改善管式PECVD镀膜均匀性的制备方法_宜宾英发德坤科技有限公司_202511847456.6
    本发明公开了一种改善管式PECVD镀膜均匀性的制备方法, 属于太阳能电池片镀膜技术领域中的一种制备方法，其技术方案为S1、硅片输入；S2、温度调配；S3、真空处理；S4、第一次反应气体通入，将反应的气体NH3、N2O和SiH4 通入沉积管内...
    2026-03-18
  • 一种利用硅墨水制备TBC电池的方法及TBC电池
    一种利用硅墨水制备TBC电池的方法及TBC电池_盐城工学院_202511902639.3
    本发明涉及光伏电池制造技术领域，且公开了一种利用硅墨水制备TBC电池的方法及TBC电池，S1：提供一硅基底，在所述硅基底的背面制备隧穿氧化层；S2：在所述隧穿氧化层上，利用富氢硅墨水打印预设的第一指交叉图形和第二指交叉图形；所述富氢硅墨水包...
    2026-03-18
  • 一种topcon电池背面减反膜结构及其制备方法
    一种topcon电池背面减反膜结构及其制备方法_宜宾英发德坤科技有限公司_202511913929.8
    本发明公开了一种topcon电池背面减反膜结构及其制备方法，属于太阳能电池制造技术领域，其技术方案为包括如下步骤：对硅片进行制绒、扩散、背面抛光和刻蚀之后，S1、首先进行第一层氮化硅沉积，沉积时间130‑150s，硅烷流量2100‑2300...
    2026-03-18
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