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最新专利技术
  • 一种环状焦点电子束聚焦装置及方法
    一种环状焦点电子束聚焦装置及方法_成都凯赛尔科技有限公司_202511732997.4
    本发明公开了一种环状焦点电子束聚焦装置及方法，属于能源、宇航、材质分析以及高能物理领域，包括沿电子束传播方向依次设置的阴极组件、聚焦电极组件和阳极靶；阴极组件包括灯丝；聚焦电极组件至少包括聚焦极和聚焦罩，聚焦极设有用于固定灯丝的支撑部，支撑...
    2026-04-19
  • 一种用于等离子体设备的辅助点火装置和工艺腔室
    一种用于等离子体设备的辅助点火装置和工艺腔室_北京北方华创微电子装备有限公司_202411155403.3
    本发明实施例提供了一种用于等离子体设备的辅助点火装置和工艺腔室，所述辅助点火装置包括：电子束产生装置，与所述进气组件结构连通，用于在通电时，产生电子束，所述电子束通过进气组件结构进入所述等离子体设备的等离子腔室中；真空腔室，包围所述电子束产...
    2026-04-19
  • 开口环谐振器离子束源
    开口环谐振器离子束源_FEI公司_202511136828.4
    描述了用于从气体中提取带电粒子的带电粒子束系统、部件和方法的实施例。在第一方面中，带电粒子源包括谐振器。谐振器可包括限定第一侧和第二侧的介电基底，第二侧与第一侧相对。谐振器可包括设置在第一侧上的第一传导层。第一传导层可以根据包括环部的图案设...
    2026-04-19
  • 多输入开口环谐振器离子束源
    多输入开口环谐振器离子束源_FEI公司_202511136837.3
    描述了用于从气体中提取带电粒子的带电粒子束系统、部件和方法的实施例。在第一方面中，带电粒子源包括谐振器。谐振器可包括限定第一侧和第二侧的介电基底，第二侧与第一侧相对。谐振器可包括设置在第一侧上的第一传导层。第一传导层可以根据包括环部的图案设...
    2026-04-19
  • 一种双脉冲限域离子流能量筛选装置及方法
    一种双脉冲限域离子流能量筛选装置及方法_北京师范大学_202511797804.3
    本申请公开了一种双脉冲限域离子流能量筛选装置及方法，涉及离子束控制领域，该装置包括：等离子体源、偏转磁场、平行板电极、离子束控制电极、毛细管束和沉积靶盘；等离子体源用于提供等离子体；偏转磁场用于根据垂直电场对等离子体进行纵向扫描和均匀化，得...
    2026-04-19
  • 一种双脉冲限域离子流尺寸筛选装备
    一种双脉冲限域离子流尺寸筛选装备_北京师范大学_202511798614.3
    本申请公开了一种双脉冲限域离子流尺寸筛选装备，涉及原子级制造领域，包括阴极、过滤管道、真空腔室、平行板电极、线圈、电子抑制电极、能量调节电极、毛细管束和沉积靶盘。平行板电极设置在电子抑制电极和能量调节电极的两侧。线圈设置在电子抑制电极和能量...
    2026-04-19
  • 一种应用于电镜的极靴组件及电镜的使用方法
    一种应用于电镜的极靴组件及电镜的使用方法_广州国家实验室_202511173432.7
    本申请公开了一种应用于电镜的极靴组件及电镜的使用方法，应用于电镜的极靴组件包括第一极靴和第二极靴，第一极靴用于聚焦电子束，设有第一通道；第二极靴用于进一步聚焦电子束，设有第二通道，电子束能够依次通过第一通道和第二通道进行聚焦，第一极靴和第二...
    2026-04-19
  • 一种用于电子束系统的物镜装置和电子束系统
    一种用于电子束系统的物镜装置和电子束系统_惠然科技有限公司_202511868591.9
    本申请公开了一种用于电子束系统的物镜装置和电子束系统。所述物镜装置包括：物镜本体，至少两个物镜电极，其布置于所述物镜本体的物镜极靴外侧周围，与电子束系统中的电子探测器呈圆周阵列均匀分布，并且被配置为被同步施加第一电压时，与所述电子探测器的第...
    2026-04-19
  • 经由分束法示教带电粒子显微镜机器人夹持器
    经由分束法示教带电粒子显微镜机器人夹持器_FEI公司_202511159611.5
    本发明涉及一种装置，用于促进经由分束法示教带电粒子显微镜机器人夹持器。在各种实施方案中，系统可访问具有真空腔室的带电粒子显微镜，其中所述真空腔室可包括机器人夹持器和显微镜网格容器。在各个方面，所述系统可基于耦合到所述机器人夹持器的配备分束器...
    2026-04-19
  • 一种应用于扫描电子显微镜的五轴样品台
    一种应用于扫描电子显微镜的五轴样品台_纳克微束(北京)有限公司_202511803906.1
    本发明公开了一种应用于扫描电子显微镜的五轴样品台，属于电子显微镜的技术领域。该样品台包括Z轴运动机构、T轴旋转机构、X 轴运动机构、Y轴运动机构、R轴旋转机构及样品台；各轴通过交叉滚柱导轨实现精准直线或旋转运动，采用真空电机驱动，搭配光栅尺...
    2026-04-19
  • 一种电镜侧插式样品杆台自动进样方法
    一种电镜侧插式样品杆台自动进样方法_中国科学院大连化学物理研究所_202610133756.6
    本发明提供一种电镜侧插式样品杆台自动进样方法，属于透射电子显微镜自动化加载及智能控制技术领域。将样品杆和进样口同轴对齐后依次执行一次推进、二次推进以及三次推进；当执行一次推进后满足预设一次限位条件，则检测是否满足真空状态，若满足则执行二次推...
    2026-04-19
  • 半导体工艺腔室
    半导体工艺腔室_北京北方华创微电子装备有限公司_202411124557.6
    本发明提供一种半导体工艺腔室，包括腔室本体和进气部件，腔室本体设置有第一保护气道，进气部件设置有第一进气道和第二进气道，第一进气道与腔室本体内连通，用于向腔室本体内输送反应气体，第二进气道通过第一保护气道与腔室本体内连通，用于通过第一保护气...
    2026-04-19
  • 一种等离子体处理装置及其工作方法
    一种等离子体处理装置及其工作方法_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202411140948.7
    本发明公开了一种等离子体处理装置及其工作方法，该等离子体处理装置包含：真空反应腔，其内具有包含第一电极的下电极组件；脉冲直流电源，其与第一电极连接并向第一电极施加脉冲电压，脉冲电压的脉冲周期包含第一阶段和第二阶段，脉冲直流电源在第一阶段向第...
    2026-04-19
  • 变形检测组件、下电极装置及半导体工艺设备
    变形检测组件、下电极装置及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411147947.5
    本申请公开一种变形检测组件、下电极装置及半导体工艺设备，属于半导体技术领域。半导体工艺设备包括待检测件，待检测件设有待检测面，待检测面用于形成真空区和大气区，变形检测组件包括底座、转动部件、弹性件和检测部件，转动部件与底座转动连接，转动部件...
    2026-04-19
  • 一种介质窗冷却装置及等离子体刻蚀设备
    一种介质窗冷却装置及等离子体刻蚀设备_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202411163125.6
    本申请公开一种介质窗冷却装置及等离子体刻蚀设备。介质窗冷却装置用于冷却介质窗，所述介质窗的上方设有线圈，所述介质窗冷却装置包括导热件；所述线圈具有冷却腔，所述冷却腔连通有冷却介质源，所述导热件的上表面用于和所述线圈的下表面接触，所述导热件的...
    2026-04-19
  • 利用定制波形发生器控制等离子体工艺腔室中离子能量分布的系统及方法
    利用定制波形发生器控制等离子体工艺腔室中离子能量分布的系统及方法_启迪原子私人有限公司_202511103901.8
    本发明公开了一种利用定制波形发生器控制等离子体工艺腔室中离子能量分布的系统及方法，用于等离子体处理系统的实时控制与优化。具体地，本发明涉及与卡盘相连的定制波形发生器。该系统采用了一种系统控制器，可将工艺配方划分为设定阶段和处理阶段。设定阶段...
    2026-04-19
  • 基于磁驱动的多角度调节离子束杂质溅射实验装置及方法
    基于磁驱动的多角度调节离子束杂质溅射实验装置及方法_中国科学院合肥物质科学研究院_202511733898.8
    本发明公开一种基于磁驱动的多角度调节离子束杂质溅射实验装置及方法，包括真空腔体、样品台组件、磁控角度等心调节机构以及多层磁屏蔽机构。通过调节磁驱动角度等心调节机构中电磁铁的磁场方向与强度，实现样品在真空环境下的0°~90°非接触式角度调节，...
    2026-04-19
  • 进气组件、工艺腔室及半导体工艺设备
    进气组件、工艺腔室及半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511767110.5
    本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种进气组件、工艺腔室及半导体工艺设备。所提供的进气组件，包括第一进气匀流件和第二进气匀流件，第一进气匀流件设有用于通入第一等离子体的第一流体通道和用于通入反应气体的第二流体通道；第二进气匀流件间隔设置...
    2026-04-19
  • 聚焦环组件及半导体工艺设备
    聚焦环组件及半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511767407.1
    本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种聚焦环组件及半导体工艺设备。聚焦环组件包括聚焦环；聚焦环用于置于工艺腔室内，且环绕晶圆承载台设置；聚焦环的内壁由下而上朝内倾斜。本发明提供的聚焦环组件及半导体工艺设备，可大大减少被聚焦环的内壁反弹...
    2026-04-19
  • 工艺腔室清洁方法及半导体工艺设备
    工艺腔室清洁方法及半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511768094.1
    本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种工艺腔室清洁方法及半导体工艺设备。所提供的工艺腔室清洁方法，包括：向工艺腔室内通入第一清洁气体，将第一清洁气体转化为第一清洁等离子体，用以去除工艺腔室内的残留的氢；向工艺腔室内通入第二清洁气体，将第...
    2026-04-19
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