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最新专利技术
  • 一种基于晶圆重组前后的对位方法
    一种基于晶圆重组前后的对位方法_安测半导体技术(江苏)有限公司_202511759847.2
    本发明公开了一种基于晶圆重组前后的对位方法，包括S1：遍历对应晶圆的所有晶粒，将所述晶粒的坐标和测试结果存入数据映射单元，所述数据映射单元单元包括第一数据和第二数据，其中每个晶粒的坐标作为第一数据，晶粒的测试结果作为第二数据。S2：获取待组...
    2026-03-08
  • 一种晶圆对准方法和相关装置
    一种晶圆对准方法和相关装置_深圳中科飞测科技股份有限公司_202511788744.9
    本申请提供一种晶圆对准方法和相关装置，基于晶圆的中心位置和晶圆中缺口的预设朝向，确定缺口在晶圆中所处的目标区域，对目标区域进行图像采集，得到目标区域的目标图像，通过最小二乘法对目标图像中的缺口边缘点集进行曲线拟合，得到二次拟合曲线，基于二次...
    2026-03-08
  • 键合装置、方法及存储介质
    键合装置、方法及存储介质_拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司_202511790081.4
    本发明提供了键合装置、方法及存储介质。所述键合装置包括第一相机、第二相机及控制器。所述第一相机用于采集位于第一待键合件的第一区域的第一标记，以及位于第二待键合件的第一区域的第三标记的第一图像。所述第二相机用于采集位于所述第一待键合件的第二区...
    2026-03-08
  • 一种新能源电驱系统用半导体加工刻字定位冶具
    一种新能源电驱系统用半导体加工刻字定位冶具_苏州藤飞精工科技有限公司_202511809291.3
    本发明公开了一种新能源电驱系统用半导体加工刻字定位冶具，涉及半导体制造技术领域，工作台的一端上表面固定连接有加工架，加工架的一侧固定连接有加工导轨，加工导轨表面滑动连接有刻字组件，加工槽的内部设置有将半导体载板固定在加工槽中心处的定位机构，...
    2026-03-08
  • 晶圆映射寻边装置及晶圆映射寻边方法
    晶圆映射寻边装置及晶圆映射寻边方法_苏州希盟智能装备有限公司_202610106593.2
    本发明属于半导体加工技术领域，公开了晶圆映射寻边装置及晶圆映射寻边方法。其中，搭接台先吸附固定晶圆，视觉定位机构的粗定位相机对晶圆的标准Notch口或Mark标识进行初步定位，精定位相机基于粗定位结果精对位，将精定位数据传输至中央控制机构进...
    2026-03-08
  • 一种用于CPO硅光引擎的光芯片贴片剥离工艺
    一种用于CPO硅光引擎的光芯片贴片剥离工艺_武汉钧恒科技有限公司_202511531525.2
    本发明涉及一种用于CPO硅光引擎的光芯片贴片剥离工艺，由剥离机构中的固定盘对水平分布的蓝膜进行固定，剥离机构所具有的吸嘴处于蓝膜上表面上超长光芯片的上方，两个叉针位于蓝膜上方并对称分布在超长光芯片宽度方向的两侧，刀片式顶针处在蓝膜下方并沿超...
    2026-03-08
  • 一种微组装粘片键合连线自动化磁吸工装和方法
    一种微组装粘片键合连线自动化磁吸工装和方法_西安微电子技术研究所_202511703892.6
    本发明公开了一种微组装粘片键合连线自动化磁吸工装和方法，属于混合集成电路封装领域，通过在底板组件设置可拆卸磁吸连接的子载具组件和所述压板组件；其中，工装依靠子载具放置多个电路，子载具组件进行后续工序的电路流转，可以大幅度降低生产过程中频繁的...
    2026-03-08
  • 一种便于生产、加热均匀的内热式静电卡盘及其制备方法
    一种便于生产、加热均匀的内热式静电卡盘及其制备方法_广东精瓷新材料有限公司_202610052350.5
    本发明公开一种便于生产、加热均匀的内热式静电卡盘及其制备方法，静电卡盘的陶瓷体包括有陶瓷层、吸附电极层、发热电极层和玻璃层；所述陶瓷层与吸附电极层通过共烧技术制备，所述吸附电极层成型在陶瓷层内，所述发热电极层和玻璃层依次以印刷烧结方式制备在...
    2026-03-08
  • 一种晶圆载具过渡倒片装置及倒片方法
    一种晶圆载具过渡倒片装置及倒片方法_晶芯半导体(黄石)有限公司_202511547603.8
    本申请涉及晶圆倒片技术领域，具体公开了一种晶圆载具过渡倒片装置及倒片方法。本申请利用载具台与输送机构实现了开口式花篮和前开式晶圆传送盒的相对位置精确调控，并通过两组输送机构上的夹持座与外部对中机构的协同作用，自动完成两种载具的夹持固定与外部...
    2026-03-08
  • 一种晶圆传输夹持治具
    一种晶圆传输夹持治具_常州锆芯科技有限公司_202511749182.7
    本发明涉及晶圆传输的技术领域，尤其涉及一种晶圆传输夹持治具，包含有若干手指本体和集合基座，若干手指本体叠放设置于集合基座的开口一侧且相邻手指本体之间存在距离差；所述手指本体的四侧设置有可居中位移的夹持件，四侧所述夹持件的下端设置有柔性驱动机...
    2026-03-08
  • 一种石英保温基座及其制作方法
    一种石英保温基座及其制作方法_辽宁汉京半导体材料有限公司_202511794482.7
    本发明公开了一种石英保温基座及其制作方法，涉及石英保温基座技术领域，包括石英基座主体，石英基座主体包括石英架体，石英架体顶部处开设有通槽，通槽内可拆卸地安装有承托组件，承托组件包括两个对称设置的放置件，所述两个放置件共同用于晶圆的安装；放置...
    2026-03-08
  • 一种用于晶圆对准的气浮式调平装置及调平设备
    一种用于晶圆对准的气浮式调平装置及调平设备_西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所)_202511743966.9
    本发明涉及晶圆对准技术领域，具体为一种用于晶圆对准的气浮式调平装置及调平设备。为了解决现有的用于晶圆对准的调平设备存在上述缺陷的问题，故提供了一种新的用于晶圆对准的气浮式调平装置，包括气浮动子组件与气浮定子组件，气浮动子组件位于气浮定子组件...
    2026-03-08
  • 一种真空吸附型陶瓷手指及其制造方法
    一种真空吸附型陶瓷手指及其制造方法_常州锆芯科技有限公司_202511749255.2
    本发明涉及晶圆传输的技术领域，尤其涉及一种真空吸附型陶瓷手指及其制造方法，包含有陶瓷基体，所述陶瓷基体的内部开设有真空气道，所述陶瓷基体的正面开设有吸附晶圆本体的弧形气口，所述弧形气口的弧度与晶圆本体的边缘相适配；所述陶瓷基体上设置有可相对...
    2026-03-08
  • 工艺中电荷生成状况的监测方法
    工艺中电荷生成状况的监测方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511345435.4
    本申请公开了一种工艺中电荷生成状况的监测方法，包括：提供一晶圆，所述晶圆上形成有测试用的一次性可编程结构，所述一次性可编程结构用于在捕获到电荷后开启；对所述晶圆进行预处理，以去除所述晶圆上残留的电荷；通过目标工艺处理所述晶圆；对所述晶圆进行...
    2026-03-08
  • 半导体测试结构及其制造方法
    半导体测试结构及其制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511640200.8
    本发明提供一种半导体测试结构及其制造方法。该半导体测试结构包括：基底、设置在基底上的介电层、形成于介电层沟槽中以模拟栅极结构的栅极金属、以及设置在模拟栅极结构上并与其电连接的栅极过孔。该制造方法包括：在基底上形成包含沟槽的介电层，并向沟槽中...
    2026-03-08
  • 半导体设备维护装置
    半导体设备维护装置_上海华力集成电路制造有限公司_202511759476.8
    本发明公开了一种半导体设备维护装置，包括：伸缩杆。在伸缩杆的端部固定设置有液体储物罐。在液体储物罐的前端设置有喷头替换口。液体储物罐的尾端设置有液体挤压装置，液体挤压装置用于对液体储物罐的液体进行挤压并以使液体从喷头替换口流出。液体挤压装置...
    2026-03-08
  • SOI衬底电流测试结构
    SOI衬底电流测试结构_上海华力集成电路制造有限公司_202511767514.4
    本发明公开了一种SOI衬底电流测试结构，第一导电类型的MOS晶体管形成于由SOI衬底形成的第一有源区上。第一有源区分成在MOS晶体管的第一栅极结构的条形的延伸方向上相邻排列的器件主体区以及器件延伸区；第一栅极结构从器件主体区延伸到器件延伸区...
    2026-03-08
  • 一种可提升晶圆背面接触以及提升电流传导的测试载片盘装置
    一种可提升晶圆背面接触以及提升电流传导的测试载片盘装置_吉林麦吉柯半导体有限公司_202511783210.7
    本发明属于但不限于半导体技术领域，尤其涉及一种可提升晶圆背面接触以及提升电流传导的测试载片盘装置，在载片盘正面开启若干真空小吸孔。载片盘内部，交叉排布真空槽，连接多个真空小吸孔。载片盘边缘，有一个连接真空线路的接口。当开启真空时，通过载片盘...
    2026-03-08
  • 湿法刻蚀动态调控方法、系统及计算机可读介质
    湿法刻蚀动态调控方法、系统及计算机可读介质_联光元和(孝感)光学科技有限公司_202511594330.2
    本申请涉及一种湿法刻蚀动态调控方法、系统及计算机可读介质，涉及半导体领域，其包括以下步骤：通过光学检测装置采集刻蚀区域的图像数据；计算刻蚀区域图像与设计图形的相似度；当所述相似度达到或超过预设阈值时，停止刻蚀；当所述相似度低于所述预设阈值时...
    2026-03-08
  • 监测FDSOI源/漏区外延掺杂浓度的方法
    监测FDSOI源/漏区外延掺杂浓度的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511695332.0
    本申请提供一种监测FDSOI源/漏区外延掺杂浓度的方法，包括：步骤一，提供绝缘体上硅衬底，在绝缘体上硅衬底上形成具有SIMS pad图案的掩膜层；步骤二，以该掩膜层为掩模，通过刻蚀去除露出的绝缘体上硅衬底中的绝缘体层；步骤三，去除该掩膜层后...
    2026-03-08
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