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最新专利技术
  • 半导体器件阵列
    半导体器件阵列_杭州知存算力科技有限公司_202511691539.0
    本公开涉及半导体技术领域，特别是涉及一种半导体器件阵列。该半导体器件阵列，包括：多个支路，多个支路中的每个支路沿半导体器件阵列的行方向延伸，每个支路包括多个并联的半导体器件；多个源线，多个源线沿第一方向延伸与半导体器件的源极相连；多个字线，...
    2026-03-05
  • 半导体装置
    半导体装置_铠侠股份有限公司_202511535298.0
    本发明的实施方式涉及一种半导体装置。根据一实施方式，半导体装置具备：衬底；以及积层膜，包含交替设置在所述衬底上方的多层电极层及多层绝缘层。所述装置还具备：第1半导体层，设置在所述积层膜内；以及第2半导体层，在所述积层膜内设置在所述第1半导体...
    2026-03-05
  • 一种基于铁电相Mn2NO2的多铁赛道存储器件及其制备和使用方法
    一种基于铁电相Mn2NO2的多铁赛道存储器件及其制备和使用方法_西北有色金属研究院_202511782803.1
    本发明公开了一种基于铁电相Mn22NO22的多铁赛道存储器件，包括基底、铁电相Mn22NO22纳米片、写入电极、读取电极和信号解释器，本发明还公开了制备该存储器件的方法，将单层铁电相Mn22NO22纳米片后转移至基底之上并进行面内区域划分，...
    2026-03-05
  • 电阻式随机存取存储器与其形成方法
    电阻式随机存取存储器与其形成方法_联华电子股份有限公司_202411257062.0
    本发明提供一种电阻式随机存取存储器以及其形成方法，此电阻式随机存取存储器包括：第一电极；阻值转换层，位于所述第一电极上；第二电极，位于阻值转换层上；以及多个纳米颗粒，位于所述阻值转换层与所述第二电极间。
    2026-03-05
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202510632342.3
    本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：可变电阻存储层，其中存储层包括磁性隧道结结构，该磁性隧道结结构包括具有可变磁化方向的自由层、具有固定磁化方向的固定层、以及设置在自由层和固定层之间的隧道势垒层；以及设置在自由层的侧壁上的...
    2026-03-05
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202510632669.0
    本公开涉及半导体器件及其制造方法。公开了一种可以改善存储单元的选择器特性的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括多个存储单元。每个存储单元包括：存储层；以及选择器层，其形成在存储层之上或之下以选择存储层。选择器层包括非晶硅层，该非晶硅层具有...
    2026-03-05
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202511128260.1
    公开了一种半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法，半导体器件具有改善的存储单元的选择器特性。半导体器件包括：多个存储单元，其中，存储单元中的每个存储单元包括：存储层；选择器层，该选择器层形成在存储层的上部或下部中，以选择存储层；以及缓冲层...
    2026-03-05
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202511129198.8
    公开了一种半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括多个存储单元，每个存储单元包括：存储层；第一选择器层，其形成在存储层的上部或下部中以选择存储层；第二选择器层，其用于选择存储层；以及界面层，其设置在第一选择器层和第二选择器层之间，其中第一...
    2026-03-05
  • 半导体器件及半导体器件的制造方法
    半导体器件及半导体器件的制造方法_铠侠股份有限公司_202510216441.3
    本发明提供一种能够缩小芯片面积的半导体器件及半导体器件的制造方法。实施方式的半导体器件具备：第一芯片，具有形成有第一晶体管的第一基板；以及第二芯片，设置在第一芯片的上方，具有形成有第二晶体管的第二基板。第二基板包含分别贯通第二基板的第一绝缘...
    2026-03-05
  • 一种硅电容器立体结构电极的制造方法和硅电容器
    一种硅电容器立体结构电极的制造方法和硅电容器_苏州集泰信息科技有限公司_202511700249.8
    本发明涉及一种硅电容器立体结构电极的制造方法和硅电容器，属于硅电容器制造技术领域。包括：对选取的绝缘衬底进行碳纳米管的图形化转移，得到第一层碳纳米管结构；通过原子层沉积工艺在第一层碳纳米管结构上沉积第一层氧化铝介质层；在第一层氧化铝介质层表...
    2026-03-05
  • MIM电容制备方法及MIM电容
    MIM电容制备方法及MIM电容_广州增芯科技有限公司_202511940435.9
    本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种MIM电容制备方法及MIM电容，制备方法包括：提供基底结构，所述基底结构上依次层叠设置有下电极层、介电层、上电极层以及第一硬掩膜层；在所述第一硬掩膜层上形成光刻胶层；所述光刻胶层具有用于定义孤岛结构和上...
    2026-03-05
  • 一种低压低钳位低漏电瞬态抑制二极管及制备方法
    一种低压低钳位低漏电瞬态抑制二极管及制备方法_扬州杰利半导体有限公司_202511981367.0
    一种低压低钳位低漏电瞬态抑制二极管及制备方法。涉及二极管技术领域。包括以下步骤：步骤一，选取P型硅衬底；步骤二，初始氧化；在干燥氧气氛围中，通过热氧化法在晶片表面生长一层氧化膜；步骤三，将正面区域用光阻剂保护，通过曝光和显影，定义正面区域的...
    2026-03-05
  • 一种低漏电肖特基二极管及其制备方法
    一种低漏电肖特基二极管及其制备方法_深圳辰达半导体有限公司_202610055436.3
    本发明涉及二极管制备技术领域，具体公开了一种低漏电肖特基二极管及其制备方法，所述二极管包括衬底；设置在所述衬底上的第一N型GaN层；所述第一N型GaN层包括平面层和设置在平面层上的凸台结构；设置在第一N型GaN层上的N型埋层；设置在凸台结构...
    2026-03-05
  • 逆导型绝缘栅双极型晶体管
    逆导型绝缘栅双极型晶体管_重庆大学_202511753341.0
    本申请提供一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括：沿第一方向依次堆叠的集电极结构、漂移区、载流子存储区、基区、第一导电类型发射区，以及沿第二方向分布的第一沟槽、第二沟槽，第一方向垂直于第二方向；第一沟槽和第二沟槽均从第一导电类型发射区远离基区的...
    2026-03-05
  • 一种横向导电氮化镓基常关型场效应晶体管及其制备方法
    一种横向导电氮化镓基常关型场效应晶体管及其制备方法_湖南工学院_202410117746.4
    一种横向导电氮化镓基常关型场效应晶体管及其制备方法，涉及功率电子器件技术领域，其结构包括衬底、缓冲层、i‑GaN外延层、AlN外延层、SiO22层、位于AlN外延层上方的Mg‑Al‑O层、设置于AlN外延层上的源极和漏极、高温处理后产生的扩...
    2026-03-05
  • 一种纵向导电氮化镓基常关型场效应晶体管及其制备方法
    一种纵向导电氮化镓基常关型场效应晶体管及其制备方法_湖南工学院_202410117749.8
    一种纵向导电氮化镓基常关型场效应晶体管及其制备方法，涉及电力电子器件技术领域，其结构包括衬底、缓冲层、i‑GaN外延层、AlN外延层、GaN外延层、Al22O33氧化层、n‑GaN再生长层、i‑GaN再生长层、n++‑GaN再生长层、氧化层...
    2026-03-05
  • PMOS晶体管及其制作方法
    PMOS晶体管及其制作方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411085896.8
    本发明涉及一种PMOS晶体管及其制作方法。所述制作方法中，在衬底上形成贯穿第一介质层的第一沟槽后，在第一沟槽侧壁形成第一侧墙以及栅介质层，之后在第一沟槽内填充多晶硅材料层，并刻蚀多晶硅材料层以在第一沟槽顶部形成第二沟槽，剩余的多晶硅材料层形...
    2026-03-05
  • PMOS晶体管及其制造方法
    PMOS晶体管及其制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411085912.3
    本发明涉及一种PMOS晶体管及其制造方法。所述制造方法中，在衬底上的第一沟槽内形成栅介质层和多晶硅栅极以及侧墙，多晶硅栅极具有上宽下窄的结构，可以在满足较小的晶体管特征尺寸的同时，增加栅极上表面面积，有助于减小多晶硅栅极的接触电阻，在多晶硅...
    2026-03-05
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411085985.2
    本发明提供一种半导体器件及其制造方法，在形成器件隔离结构之后，进一步形成图案化掩膜层和位于器件隔离结构边界顶部的边沟，该图案化掩膜层暴露出有源区的顶面，该边沟暴露出有源区顶角，由此在形成栅氧化层使能使有源区顶角表面和中央区域顶面上的氧化速度...
    2026-03-05
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411157938.4
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中制作半导体元件的方法主要包括先形成一通道结构于一基底上其中该通道结构包含多个第一半导体层以及多个第二半导体层交错堆叠，然后形成一通道延伸部于该通道结构旁，形成一第一栅极结构于该通道结构以及该通道延伸...
    2026-03-05
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