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最新专利技术
  • 一种基于神经网络的激光退火系统
    一种基于神经网络的激光退火系统_电子科技大学_202511615691.0
    本发明属于晶圆退火领域，具体为一种基于神经网络的激光退火系统。本发明根据检测的晶体缺陷类型，使用神经网络得到二次激光退火的参数，进而控制皮秒、飞秒等超短脉冲高能激光束对缺陷进行二次激光退火，从而精确、高效地对半导体材料表面存在晶格缺陷问题的...
    2026-02-15
  • 一种提升高Al组分n-AlGaN上金属-半导体接触电学性能的方法和应用
    一种提升高Al组分n-AlGaN上金属-半导体接触电学性能的方法和应用_北京大学_202411063529.8
    本发明公开了一种提升高Al组分n‑AlGaN上金属‑半导体接触电学性能的方法和应用。所述提升的途径为n‑AlGaN材料表面刻蚀方法。所述表面刻蚀方法由两步组成，第一步采用高偏置射频功率(Bias RF Power)刻蚀，其目的是维持高刻蚀速...
    2026-02-15
  • 一种制备低开启电压SBD器件的刻蚀装置及方法
    一种制备低开启电压SBD器件的刻蚀装置及方法_华南理工大学_202511516933.0
    本发明公开了一种制备低开启电压SBD器件的刻蚀装置及方法，该装置包括ICP刻蚀腔、电流检测装置、电感线圈、射频源、真空泵；ICP刻蚀腔包括腔体、基座、射频偏置功率源、穿板电极、探针、陶瓷套筒及气体阀门，陶瓷套筒与腔体相通，电感线圈缠绕于陶瓷...
    2026-02-15
  • 半导体器件的刻蚀方法和半导体器件
    半导体器件的刻蚀方法和半导体器件_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202511761760.9
    本申请公开了一种半导体器件的刻蚀方法和半导体器件，属于半导体制造技术领域。所述方法包括：提供具有侧墙结构的基底；对侧墙结构进行第一阶段刻蚀，形成第一中间结构；对第一中间结构的侧墙结构进行第二阶段刻蚀，形成第二中间结构；其中，第二刻蚀气源的氢...
    2026-02-15
  • 一种半导体结构的平坦化方法
    一种半导体结构的平坦化方法_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202411076291.2
    本申请提供一种半导体结构的平坦化方法，提供第一半导体结构；第一半导体结构包括沿目标方向排布的第一区域和第二区域，目标方向与衬底指向第一膜层的方向垂直，在第一区域中第二膜层的表面，与在第二区域中第二膜层的表面之间具有第一高度差异；对第二膜层利...
    2026-02-15
  • 一种利用含碳膜层消除湿法腐蚀铝工艺中侧钻的方法
    一种利用含碳膜层消除湿法腐蚀铝工艺中侧钻的方法_安徽华鑫微纳集成电路有限公司_202511701164.1
    本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种利用含碳膜层消除湿法腐蚀铝工艺中侧钻的方法。首先在晶圆的衬底表面设置一层含碳膜层；然后涂覆第一光刻胶层，在待制备铝条的区域进行曝光显影处理，干法刻蚀去除曝光区域内的含碳膜层及所有的光刻胶，然后溅射铝...
    2026-02-15
  • 一种改善湿法腐蚀铝工艺中侧壁腐蚀的方法
    一种改善湿法腐蚀铝工艺中侧壁腐蚀的方法_安徽华鑫微纳集成电路有限公司_202511701166.0
    本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种改善湿法腐蚀铝工艺中侧壁腐蚀的方法。首先在衬底表面涂覆第一光刻胶层，高温坚膜，曝光显影，曝光区域为待制备铝条的区域；然后溅射一层厚度均一的铝薄膜；再在铝薄膜表面涂覆第二光刻胶层，高温坚膜，曝光显影，...
    2026-02-15
  • 一种大尺寸晶圆减薄方法及其应用
    一种大尺寸晶圆减薄方法及其应用_甬江实验室_202511410064.3
    本申请公开了一种大尺寸晶圆减薄方法及其应用，属于晶圆加工技术领域。该方法包括：提供晶圆，在所述晶圆一侧表面上目标区域的表层进行激光处理形成隐形损伤层；在所述晶圆具有所述隐形损伤层一侧的表面复合支撑层；对所述晶圆背离所述复合支撑层一侧的表面进...
    2026-02-15
  • 晶圆处理方法及半导体器件
    晶圆处理方法及半导体器件_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511963437.X
    本申请涉及一种晶圆处理方法及半导体器件，包括：提供待处理的晶圆键合结构；执行第一晶边修整，以至少去除第二晶圆的晶边部，第一晶边修整的宽度小于预设修整宽度；执行研磨减薄工艺，以对第二底部支撑层进行减薄；执行刻蚀工艺，以去除第二底部支撑层的剩余...
    2026-02-15
  • 一种半导体结构的制造方法
    一种半导体结构的制造方法_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202411075682.2
    本申请提供一种半导体结构的制造方法，利用第一刻蚀工艺对半导体结构的第一形貌进行修饰，得到过渡形貌，第一刻蚀工艺的第一入射角度根据第一起伏度差值、刻蚀速率以及等效入射角之间的第一对应关系确定，第一起伏度差值为第一形貌中第一最高点和第一最低点之...
    2026-02-15
  • 一种半导体结构的平坦化方法
    一种半导体结构的平坦化方法_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202411079157.8
    本申请提供一种半导体结构的平坦化方法，通过第一离子束刻蚀工艺可以对膜层表面起伏度即第一高度差异进行初步修平。利用第二离子束刻蚀工艺，借助膜层以及结构、密集度差异性，对第二半导体结构的不同区域间重新创造出新的表面起伏度差异，增大高度差，即在表...
    2026-02-15
  • 一种解键合设备和解键合方法
    一种解键合设备和解键合方法_拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司_202511720811.3
    本发明公开了一种解键合设备和解键合方法。该解键合设备包括：第一卡盘，用于抓取键合件中的上晶圆；第二卡盘，用于吸附键合件中的下晶圆；多个力传感器，分布于第二卡盘中，用于检测第二卡盘多个区域与下晶圆接触过程中的受力状态；控制器，被配置为：在第二...
    2026-02-15
  • 基于半导体多晶表面晶界判断的力伺服微结构加工方法
    基于半导体多晶表面晶界判断的力伺服微结构加工方法_浙江大学_202610007704.4
    本发明涉及一种基于半导体多晶表面晶界判断的力伺服微结构加工方法，属于半导体表面超精密切削加工技术领域，该方法包括搭建力伺服辅助切削加工装置，并为其配置力检测模块；结合力伺服辅助切削加工装置和力检测模块扫描半导体多晶工件，获得多个晶界点，基于...
    2026-02-15
  • 半导体结构的切割方法
    半导体结构的切割方法_清华大学_202511593360.1
    本申请提供了一种半导体结构的切割方法，涉及半导体技术领域。该切割方法包括：沿第三方向将预设光束聚焦在半导体结构内部的目标位置处，形成第一初始纳米损伤结构。基于第一初始纳米损伤结构的位置以及预设光束的脉冲间隔，形成多个干涉增强点。预设光束和半...
    2026-02-15
  • 一种热滑移解键合方法、热场监控结构及热滑移解键合设备
    一种热滑移解键合方法、热场监控结构及热滑移解键合设备_湖北九峰山实验室_202511665321.8
    本发明涉及一种热滑移解键合方法、热场监控结构及热滑移解键合设备。所述热滑移解键合方法包括：S10.获取由上晶圆和下晶圆相键合的键合晶圆，加热所述键合晶圆至解键合温度；S20.驱动所述键合晶圆的至少一侧以使得所述上晶圆和所述下晶圆发生滑移，同...
    2026-02-15
  • 一种晶种自动酸洗线
    一种晶种自动酸洗线_昆吾先进材料(江西)有限公司_202511490558.7
    本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种晶种自动酸洗线，包括有驱动设备、石英花篮和清洗箱；驱动设备上连接有石英花篮；驱动设备下方放置有清洗箱；清洗箱内设置有四个清洗槽；还包括有防尘罩；清洗箱上固接有防尘罩；清洗箱左侧和右侧均安装有电动阀门；每个清...
    2026-02-15
  • 降低高深宽比工艺中电弧缺陷的方法
    降低高深宽比工艺中电弧缺陷的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511587252.3
    本发明提供一种降低高深宽比工艺中电弧缺陷的方法。该方法应用于对经过干法刻蚀的晶圆进行湿法清洗，包括：采用低电导率的第一清洗液对晶圆进行第一清洗处理，通过先降低转速形成厚液膜以物理性分散带电聚合物，再提高转速将污染物甩离晶圆；采用电导率高于第...
    2026-02-15
  • 控片回收使用方法及系统、计算机可读存储介质
    控片回收使用方法及系统、计算机可读存储介质_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511667731.6
    本发明提供一种控片回收使用方法及系统、计算机可读存储介质。该控片回收使用方法包括：将清洗条件相同的多个晶片盒中的多片控片的编码均记录在数据库中，数据库记载的清洗条件相同的所有控片默认为同一个虚拟批次；对多片控片进行相同条件的清洗；在数据库中...
    2026-02-15
  • 一种硅片清洗机
    一种硅片清洗机_江苏山水半导体材料有限公司_202511702938.2
    本发明涉及硅片清洗装置技术领域，具体为一种硅片清洗机，包括控制箱，所述控制箱的内侧固定连接有安装架，所述安装架的一侧安装有第一电机，所述第一电机的内侧安装有超声波清洗机，所述超声波清洗机的内侧安装有用于滚动清理硅片的转动机构，所述超声波清洗...
    2026-02-15
  • 一种精密的空气加热装置
    一种精密的空气加热装置_西安稳能微电子科技有限公司_202311808018.X
    本发明涉及精密加热装置领域，尤其涉及一种精密的空气加热装置。在加热器支架(4)上安装有PTC加热器(6)；所述加热器支架(4)设置在加热箱(1)的内下部上方，PTC加热器(6)设置在加热器支架(4)的上方，侧封板(5)设置在PTC加热器(6...
    2026-02-15
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