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  • 本发明提供一种光学临近效应修正方法,包括:选择包含目标图形层与孔层的原始版图层,根据所述目标图形层与所述孔层的位置关系寻找所述目标图形层中的异常边;将所述异常边沿垂直于所述异常边且远离所述目标图形层的方向移动第一设定距离;将所述目标图形层中...
  • 本发明公开了一种光刻胶与显影液保温装置,涉及半导体领域;该光刻胶与显影液保温装置,通过在双层套管组件内部设置第一内流道、第二内流道组成恒温水流道,用于向喷嘴传输光刻胶和显影液的输液管经由恒温水流道穿过,恒温水控制装置主动循环恒温水流道内部的...
  • 本发明公开了一种基于分段比例限力的六自由度柔顺对接控制方法及系统,涉及六自由度并联机构技术领域。本发明通过高精度的坐标变换解算、误差模型的定量分析、参数辨识的迭代优化,并结合分段比例限力策略,实现了对制造和装配偏差的实时补偿,确保末端执行器...
  • 本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种基于接近式光刻的图形缩小方法,包括:S1:在基底外延片上,生长一层硬掩膜层。S2:在硬掩膜层上旋涂光刻胶,采用接近式光刻技术,经曝光与显影,将掩模版上的图案以预设的缩小尺寸转移到光刻胶上。S3:采用干法...
  • 本申请涉及一种光刻摇摆曲线拟合方法、装置、计算机设备及存储介质。该方法包括:构建光刻机系统的仿真模型;基于光刻机系统的仿真模型,生成初始反射率和对应的初始晶圆膜层数据;初始反射率基于目标光刻参数得到;根据初始反射率以及初始晶圆膜层数据,对初...
  • 提供了一种光刻机的晶圆对准物镜和晶圆对准系统。该光刻机的晶圆对准物镜包括:从物面到像面依次排列的第一镜组和第二镜组,所述第一镜组为负透镜组,且所述第二镜组为正透镜组;以及,孔径光阑,位于所述第一镜组朝向物面的一侧。这样,通过镜组和孔径光阑的...
  • 本发明公开了一种曝光机,包括有定位座的机架,定位座上抽拉有载台、及载台定位校平机构,载台上设有板体快速定位机构和平面校准机构;载台下方的机架上设有微调平台,微调平台上设有带有片体吸附顶升机构的载片弹性调节、固定装置;机架上还设有上、下料移送...
  • 本发明提供一种激光光束特性实时监测系统,包括:激光光源、分束器一、照明系统和光源监测装置,分束器一将激光光源发出的激光光束分成两束,分别进入照明系统和光源监测装置;光源监测装置的分束器二接收分束器一的激光光束并将其分成两束,透射至功率计和反...
  • 本申请提供一种掩模版传输尺寸调节系统及光刻设备,涉及半导体技术领域。该掩模版传输尺寸调节系统包括:传输机架和设置在传输机架上的传输手臂,传输手臂包括调距机构和托举机构;调距机构包括:线性导轨、第一滑块和第二滑块,第一滑块和/或第二滑块设置在...
  • 本发明公开了一种光刻机电磁驱动式可动镜组及其光刻机。一种光刻机电磁驱动式可动镜组,包括镜片、镜座、电磁悬浮导轨、磁铁滑块、气浮导轨以及气浮滑块;所述镜片安装在所述镜座上,所述镜座上安装有气浮滑块,所述气浮滑块滑动设置在所述气浮导轨上;所述电...
  • 本发明公开了一种快速的化学放大光刻胶光刻潜像计算方法与系统,涉及化学放大光刻胶模型领域,可用于同步加速曝光过程与后烘过程的仿真,解决了现有快速仿真方法仅针对单一环节进行优化、无法整体提升光刻成像模拟效率的问题,提高了整体计算效率。其方案包括...
  • 本发明属于全息光栅加工技术领域,公开了一种静态全息光刻锁相系统和方法。本发明利用光源单元提供线偏振激光;利用分光模块将线偏振激光分离为对称分布的双束光,并分别引导至两个反射调节单元;两束光分别由两个反射调节单元反射,并分别经过两个电光调制器...
  • 本申请实施例公开了一种光学邻近校正模型的建模方法、装置、设备和介质;该方法包括:获取掩模版图;基于掩模版图,对第一衬底进行离子注入仿真,得到各注入区域的第一量测数据,第一衬底内包括浅沟槽隔离区和有源区;根据各第一量测数据,确定各开口图形组对...
  • 本发明涉及光刻机技术领域,具体公开了一种光刻机用硅片台驱动装置及方法,包括光刻机本体,所述光刻机本体的内部一侧开设有第一工作槽,所述第一工作槽的内部设有开关机构,将等离子清洁单元集成于光刻机本体内,通过等离子喷嘴对位硅片,低温等离子体可高效...
  • 本发明提供一种晶圆光刻胶曝光装置,属于半导体加工技术领域,具体包括吸附机构、曝光机构、调控组件和遮盖板,吸附机构用于对晶圆进行定位且能够带动晶圆转动;曝光机构用于对晶圆表面的光刻胶进行照射;调控组件与曝光机构连接,能够使曝光机构移动至晶圆的...
  • 本发明公开了一种曝光系统及其安全自检方法以及光刻机,方法包括:根据源光束的辐射通量生成第一状态信号;根据快门的状态生成第二状态信号,根据第一状态信号和第二状态信号确定曝光系统是否自检正常。将曝光系统中原有的只用来作为剂量控制用的照度传感器检...
  • 本发明公开了一种激光直写曝光机及激光直写曝光机的控制方法,该激光直写曝光机包括用于曝光工件的曝光系统、控制模块、工作台和位移采集模块;曝光系统包括激光器和曝光镜头,位移采集模块与工作台或曝光镜头固定连接,用于获取工作台的位移数据或曝光镜头的...
  • 本发明公开了一种曝光系统、激光直写曝光机、激光器的控制方法及其应用,该曝光系统包括激光器及与激光器相连的曝光镜头,曝光镜头上安装有DMD器件,DMD器件包括DMD控制板和DMD芯片,曝光系统还包括主控制板和LD控制板;DMD控制板用于产生激...
  • 本发明涉及半导体及膜层剥离技术领域,具体公开了一种酸性剥离液及其在硅基表面复合膜剥离中的应用。该剥离液含有按质量百分数计的以下原料:80~85%酸性物质、1~1.6%氧化剂,0.14~0.26%吸附剂,余量为水;其中吸附剂为胺肟类化合物。该...
  • 本发明属于蚀刻液技术领域,具体涉及一种OLED用光刻胶剥离液及其制备方法和应用。光刻胶剥离液以配方总质量为100%计,包括有机醇胺1~10%、脒基化合物2~5%、多元醇0.1~3%、甜菜碱型缓蚀剂0.01~0.2%,其余为有机溶剂。该OLE...
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