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最新专利技术
  • 全自动送料系统
    全自动送料系统_四川通妙自动化设备有限公司_202410427890.8
    本发明公开了全自动送料系统，包括：送料基座、料架移载装置、第一上料装置、以及第二上料装置，所述料架移载装置用于对放置有引线框架和塑封料的料架进行移载，所述第一上料装置用于将引线框架搬送到所述料架的框架下料口中，所述第二上料装置用于输出塑封料...
    2026-02-12
  • 用于衬底处理系统中的旋转组件定心的装置和方法
    用于衬底处理系统中的旋转组件定心的装置和方法_ASMIP私人控股有限公司_202511030609.8
    公开了用于旋转组件定心的系统和方法。旋转组件可以在衬底处理系统中使用，用于在系统中的反应室之间移动衬底，并且其定心对于处理质量很重要。本公开提出了一种具有旋转臂定心功能的衬底处理装置，包括：预定数量的反应室，其配置成处理衬底；旋转组件，其设...
    2026-02-12
  • 一种带有吸附固定结构的晶圆定位装置
    一种带有吸附固定结构的晶圆定位装置_武汉驿天诺科技有限公司_202511399029.6
    本发明公开了一种带有吸附固定结构的晶圆定位装置，涉及晶圆加工领域，包括基座；活动组件，其装配于所述基座的端部，通过所述活动组件对晶圆边缘吸附状态进行调整；该带有吸附固定结构的晶圆定位装置，通过活动组件对晶圆的边缘吸附进行动态调节，进而调节晶...
    2026-02-12
  • 一种晶圆预对准方法
    一种晶圆预对准方法_三河建华高科有限责任公司_202511570916.5
    本发明公开了一种晶圆预对准方法，涉及半导体领域；该晶圆预对准方法，采用单轴机器人模组组成的驱动组件，实现高速、高精度晶圆校准，晶圆位置的精度小于±0.1mm，晶圆缺边或缺口小于±0.1°；设备校准高效，定位晶圆缺口位置只需要3秒，能够快速完...
    2026-02-12
  • 一种芯片拾取定位方法及装置
    一种芯片拾取定位方法及装置_拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司_202511648910.5
    本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种芯片拾取定位方法及装置。本方法包括：使用第一光源或第二光源对顶针进行照明，获取顶针图像，并基于所述顶针图像识别出所述顶针的位置坐标；使用第一光源或第二光源对芯片进行照明，获取芯片图像，并基于...
    2026-02-12
  • 一种临时键合基板及其制作方法
    一种临时键合基板及其制作方法_物元半导体技术(青岛)有限公司_202511605651.8
    本申请提供了一种临时键合基板及其制作方法，该临时键合基板包括承载基底和位于承载基底上表面的键合胶层；键合胶层依次包括第一胶层、基材层以及第二胶层；其中，第一胶层为全面积粘接界面，用以粘附晶圆；第二胶层为非连续粘接界面，用以粘附承载基底；第二...
    2026-02-12
  • 一种真空系统用的二段行程的驱动载台及真空传输腔
    一种真空系统用的二段行程的驱动载台及真空传输腔_南京原磊纳米材料有限公司_202411033503.9
    本申请涉及半导体器件生产技术领域，提供一种真空系统用的二段行程的驱动载台及真空传输腔，驱动载台包括一段驱动机构和二段驱动机构，二段驱动机构包括底座、波纹管、密封筒体、支撑筒体和驱动装置；波纹管连接底座和真空腔；密封筒体连接底座，支撑筒体设置...
    2026-02-12
  • 基片处理方法和基片处理系统
    基片处理方法和基片处理系统_东京毅力科创株式会社_202511016606.9
    本发明提供一种能够降低工艺性能的偏差的技术。本发明的一个方式的基片处理方法包括：对多张基片一并进行处理的批量处理的步骤；在所述批量处理之后进行逐张处理多张所述基片的单片处理的步骤；确定进行了所述批量处理后的所述基片的外周上设置的缺口部的位置...
    2026-02-12
  • 一种用于倒装焊芯片清洗的翻转装置及清洗方法
    一种用于倒装焊芯片清洗的翻转装置及清洗方法_北京智创芯源科技有限公司_202511385451.6
    本发明涉及一种用于倒装焊芯片清洗的翻转装置及清洗方法，涉及芯片清洗技术领域，包括：支撑板，其上设有用于放置至少一个芯片的容纳槽；挡位组件，挡位组件设于支撑板的容纳槽的开口一侧，挡位组件夹持于芯片的无效区域，挡位组件用于在进行翻转时与支撑板共...
    2026-02-12
  • 用于键合基底的方法和装置
    用于键合基底的方法和装置_EV集团E·索尔纳有限责任公司_202511622640.0
    提出了一种用于弯曲基底(7)的基底保持器(1', 1'', 1''')以及一种相应的方法，该基底保持器具有：‑ 用于固定基底(7)的固定板(3)；‑ 用于弯曲固定板(3)的弯曲器件(6, 6', 6'')，其中，固定板(3)如此构造，使得基...
    2026-02-12
  • 用于键合基底的方法和装置
    用于键合基底的方法和装置_EV集团E·索尔纳有限责任公司_202511622641.5
    提出了一种用于弯曲基底(7)的基底保持器(1', 1'', 1''')以及一种相应的方法，该基底保持器具有：‑ 用于固定基底(7)的固定板(3)；‑ 用于弯曲固定板(3)的弯曲器件(6, 6', 6'')，其中，固定板(3)如此构造，使得基...
    2026-02-12
  • 一种单轴结构的控温偏压旋转底座
    一种单轴结构的控温偏压旋转底座_奕晟微科技(武汉)有限责任公司_202511645311.8
    本发明属于半导体制造设备技术领域，尤其涉及一种单轴结构的控温偏压旋转底座，包括，腔室；晶圆台，设置在腔室内；晶圆台下底座，与晶圆台传动连接，晶圆台下底座带动晶圆台在腔室内转动；升降驱动装置，活动端与晶圆台下底座的固定端固接，升降驱动装置使晶...
    2026-02-12
  • 一种晶圆搬运装置及其搬运方法
    一种晶圆搬运装置及其搬运方法_盛吉盛半导体科技(无锡)有限公司_202512012010.8
    本发明公开了一种晶圆搬运装置及其搬运方法，涉及半导体技术领域。该晶圆搬运装置包括机架、中转室、调度室、搬运机械手和工艺室。中转室、调度室和工艺室均安装于机架，中转室和工艺室共同围设于调度室外，且均与调度室连通，搬运机械手安装于调度室内；搬运...
    2026-02-12
  • 一种晶舟缺片监测系统及方法
    一种晶舟缺片监测系统及方法_江南大学_202511551448.7
    本发明公开了一种晶舟缺片监测系统及方法，涉及半导体制造设备检测技术领域，该系统包括：传感单元、数据采集与处理模块和软件终端模块。传感单元的感应层为多通道应变敏感阵列，其感知晶圆下压后产生的电阻信号变化。数据采集与处理模块采用多路切换对多通道...
    2026-02-12
  • 用于晶圆切割道的可靠性测试键结构及其可靠性验证方法
    用于晶圆切割道的可靠性测试键结构及其可靠性验证方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511578360.4
    本发明涉及一种用于晶圆切割道的可靠性测试键结构及其可靠性验证方法，所述可靠性测试键结构包括：测试键，设置于所述晶圆切割道内，所述测试键沿垂直于所述晶圆切割道的延伸方向的两个侧边被配置为与相邻芯片自带的芯片封装条相邻接，以借助所述芯片封装条阻...
    2026-02-12
  • 一种预对准中晶圆破损自动检测方法及系统
    一种预对准中晶圆破损自动检测方法及系统_沈阳新松半导体设备有限公司_202511592110.6
    本发明提供一种预对准中晶圆破损自动检测方法及系统，涉及晶圆检测技术领域。该方法首先通过旋转台采集晶圆边缘数据，结合CCD传感器和码盘值，获取完整的采样数据，并去除直流分量以简化信号形态；然后通过互相关性分析和面积计算来求解相关波的相位和振幅...
    2026-02-12
  • 一种反熔丝刻蚀缺陷的定位测试结构与监控方法
    一种反熔丝刻蚀缺陷的定位测试结构与监控方法_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511662976.X
    本发明涉及一种反熔丝刻蚀缺陷的定位测试结构与监控方法，所述定位测试结构包括MTM反熔丝单元、上极板金属梳指组、两个交叉排列的下极板金属梳指组，以及对应的上电控制MOS组和三个测试焊盘。每个金属梳指均通过一个MOS管独立控制通断。该方法通过向...
    2026-02-12
  • 快速热退火设备的监测方法及装置、电子设备及存储介质
    快速热退火设备的监测方法及装置、电子设备及存储介质_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511343517.5
    本公开提供了一种快速热退火设备的监测方法及装置、电子设备及存储介质，属于半导体技术领域。该快速热退火设备的监测方法包括：生长Ti层；测量得到Ti层的电阻率均匀性值；通过待测快速热退火设备对Ti层进行快速热退火，以得到TiN层，Ti层的退火参...
    2026-02-12
  • SRP过度区宽度的计算方法
    SRP过度区宽度的计算方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202511344565.6
    本发明涉及一种SRP过度区宽度的计算方法，所属硅片加工技术领域，如下操作步骤：当硅片的外延层材料和衬底层材料的电阻率数值相差在10²数量级时，电阻率‑深度曲线上会有一个非常陡峭的“悬崖式”下降或上升，在这种情况下，采用相对百分比法来确定边界...
    2026-02-12
  • 一种N型硅外延片汞C-V测试前的处理方法
    一种N型硅外延片汞C-V测试前的处理方法_麦斯克电子材料股份有限公司_202511512666.X
    一种N型硅外延片汞C‑V测试前的处理方法，本发明通过对完成外延生长的N型硅外延片依次用氢氟酸溶液、碱性清洗液以及酸性清洗液对N型硅外延片处理并进行干燥后，将干燥处理后的N型硅外延片转移至干法Pre‑CV处理区域，并在N型硅外延片表面生长氧化...
    2026-02-12
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