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  • 本发明提出了一种高量子效率的可见‑短波红外InGaAs探测器及其制备方法,包括专用读出电路芯片和光敏芯片,光敏芯片从下到上依次由P型接触电极区、钝化层、InP帽层P型区、InP帽层N型区、In0.530.53Ga0.470.47As吸收层、...
  • 本发明公开了一种太阳能电池、电池组件和光伏系统,太阳能电池包括:基底,基底的第一表面具有多个交替排布的N型掺杂区和P型掺杂区;N型掺杂区设有N型掺杂层,P型掺杂区设有P型掺杂层;相邻的N型掺杂区和P型掺杂区之间设置有隔离区,隔离区用于隔离N...
  • 本发明公开了一种背接触太阳能电池及其制备方法,涉及太阳能电池技术领域。该电池包括:电池基体,位于电池基体的第一主表面的第一掺杂区、第二掺杂区、隔离区和缓冲区;隔离区和缓冲区位于第一掺杂区和第二掺杂区之间,缓冲区位于第一掺杂区和隔离区之间;第...
  • 本公开提供了一种太阳能电池片、太阳能电池、电池组件和光伏系统。太阳能电池片包括正面、背面、以及位于所述正面和所述背面之间且沿所述太阳能电池片的厚度方向设置的多个侧面;所述多个侧面包括至少一个第一侧面,所述第一侧面与所述正面之间,并且/或者所...
  • 本发明属于半导体光电探测领域,公开了一种基于TeSeOxx非晶‑晶体混合半导体柔性光电探测器及制备方法。该器件包括依次设置的柔性衬底、底电极、电子传输层、TeSeOxx空穴传输层和顶电极;TeSeOxx空穴传输层为TeSeOxx非晶‑晶体混...
  • 本发明公开了一种全碳透明电极金刚石紫外探测器及其制备方法,包括,在本征单晶金刚石衬底上生长本征金刚石外延层和p型重掺杂金刚石层;在p型重掺杂金刚石层上形成带有pad的叉指结构光刻胶掩膜,刻蚀未掩膜的p型重掺杂金刚石层获得p型重掺杂金刚石电极...
  • 本申请公开了一种太阳能电池片及光伏组件,属于光伏组件技术领域。所述太阳能电池片包括电池片,电池片的表面设置有沿第一方向延伸的第一细栅和第二细栅,电池片的表面具有第一区域和第二区域,第二区域和第二区域均沿第二方向延伸,第一区域的表面粗糙度大于...
  • 本发明适用于太阳能电池技术领域,提供了一种选择性接触区域掩埋型太阳能电池及其背面接触结构,该背面接触结构包括间隔设置于硅衬底背面的凹槽;设置在硅衬底背面的第一电介质层;设置于第一电介质层上,且设置在凹槽内的第一掺杂区域;设置于第一电介质层上...
  • 本申请涉及光电探测领域,公开了一种基于光栅结构的光电探测器及光电探测方法,其中,所述光电探测器包括衬底层和光电材料层,光电材料层包括金属光栅结构、第一电极、第二电极、第一光电限域材料和第二光电限域材料,金属光栅结构包括第一金属光栅和第二金属...
  • 本申请提供了一种太阳能电池片和光伏组件,该太阳能电池片包括基底,和设置于基底至少一侧的电极层和保护层;电极层包括至少一个导电部;保护层包括绝缘层和金属氧化层,其中,绝缘层覆盖于导电部的背离基底的表面;金属氧化层覆盖于导电部的侧面。本申请能够...
  • 本发明属于技术领域,公开了一种具有光谱调节功能的导电玻璃及其制备方法。这种导电玻璃包括透明玻璃基板、透明导电层和光谱截止层。所述光谱截止层设置于玻璃基板的一侧表面,用于选择性截止太阳光谱中的特定波段,特别是紫外光;所述光谱截止层的位置可位于...
  • 本申请提出一种太阳能电池、制备方法、光伏组件及系统,涉及太阳能电池技术领域,该太阳能电池由整片电池进行切割处理得到,太阳能电池具有相对的第一表面和第二表面,以及连接第一表面和第二表面且经由切割处理形成的切割面,该太阳能电池包括:硅衬底及设于...
  • 本发明涉及太阳能电池技术领域,具体公开了一种叠层电池及其制备方法、光伏组件与光伏系统。所述叠层电池包括底电池和顶电池;底电池的硅基底第一面设有复合膜层,该复合膜层由钝化层和减反射层叠层构成,且其上设有贯穿的图形化开口;顶电池设于复合膜层远离...
  • 本申请公开了一种红外探测器及其制备方法,涉及红外探测器技术领域。制备方法包括:提供一读出电路晶圆;在读出电路晶圆的顶面沉积牺牲层,并对牺牲层依次进行光刻处理、沉积处理以及刻蚀处理,制备获得具有支撑层的第一半导体器件;在支撑层上依次沉积第二金...
  • 本申请公开一种红外探测器及其制备方法,涉及红外探测器技术领域。制备方法包括:提供一读出电路晶圆;在读出电路晶圆的顶面沉积牺牲层,并对牺牲层依次进行光刻处理、沉积处理以及刻蚀处理,制备获得第一半导体器件;在支撑层上依次沉积第二金属层和第三金属...
  • 本公开提供一种背接触太阳能电池及其制造方法、一种太阳能电池组件。所述太阳能电池包括局域化钝化接触结构,所述局域化钝化接触结构包括位于硅片背面的隧穿氧化层和掺磷多晶硅层,所述局域化钝化接触结构具有局域化隔离沟槽区并通过该沟槽区实现与空穴选择性...
  • 本发明公开了一种太阳能电池切割边缘钝化结构及其制备方法,钝化结构包括:在切割后的电池片边缘叠层设置的非晶硅或非晶氧化硅底层、掺杂非晶硅层、反射层、非晶硅层和外保护层。本发明利用PECVD的方法在电池边缘切割区域沉积非晶硅钝化层,修复损伤,改...
  • 本发明提供一种双面光伏组件及其制备方法,双面光伏组件至少包括层叠设置的正面封装板、正面透明胶膜、电池片层、背面透明胶膜和背面封装板,电池片层和背面封装板之间还设置有反光层;反光层至少包括第一区域和第二区域,电池片层包括若干相互连接的电池串,...
  • 本发明公开了一种倒装型黑色光传感器封装结构,包括光发射芯片、光接收芯片、晶圆、黑色塑封体、发射区反射层和接收区反射层;光发射芯片和光接收芯片倒置布置在晶圆的上方并与晶圆电性连接,并通过黑色塑封体封装在晶圆上,光发射芯片与晶圆间形成发射空腔,...
  • 本申请涉及太阳电池技术领域,公开一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。所述太阳电池包括:基底,所述基底包括相背设置的受光面和背光面,所述受光面上设置有第一金字塔结构;第一硅层,所述第一硅层设置于所述受光面上的所述第一金字塔结构上,其中,覆盖于...
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