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最新专利技术
  • 半导体结构及其制备方法、存储器件、电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储器件、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410999388.4
    本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器件、电子设备。该半导体结构的制备方法包括：提供一衬底；接着在衬底的一侧制作源极和漏极，源极和漏极分别具有用于与待制作沟道接触的接触部，源极接触部和漏极接触部中至少一个的材料包括金属氧化物；接着依...
    2026-02-07
  • 一种埋入式有源层结构金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法
    一种埋入式有源层结构金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法_北京理工大学_202511421263.4
    本发明提供了一种埋入式有源层结构金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法，包括以下步骤：S1、在衬底上形成绝缘层并通过图案化及刻蚀工艺在所述绝缘层中形成刻蚀区域；S2、在所述刻蚀区域内沉积金属氧化物材料形成有源层；S3、在所述有源层上方沉积源漏电极...
    2026-02-07
  • 半导体器件的制备方法以及半导体器件
    半导体器件的制备方法以及半导体器件_广州增芯科技有限公司_202511562748.5
    本发明提供了一种半导体器件的制备方法以及半导体器件，由于在衬底内的埋层表面形成相互独立的第一阱区和第二阱区，并在第一阱区和第二阱区之间的衬底表面形成栅结构，且栅结构部分覆盖第一阱区，在第一阱区的顶部形成体接触区在第二阱区远离栅结构的顶部的部...
    2026-02-07
  • NMOS管的制造方法
    NMOS管的制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511587355.X
    本发明公开了一种NMOS管的制造方法，包括步骤：形成NMOS管的第一栅极结构并在第一栅极结构两侧的半导体衬底中形成嵌入式SiP外延层。在嵌入式SiP外延层的表面形成介质盖帽层，介质盖帽层采用具有使P向嵌入式SiP外延层和介质盖帽层的界面聚集...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511597562.3
    本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。所述形成方法在衬底有源区形成的伪栅叠层中，在沟道长度方向，高介电常数层的侧面向伪栅极下方偏移而在伪栅极下方形成空隙，由于高介电常数层的介电常数高，器件的有效沟道范围位于所述空隙里侧，伪栅极及栅极凹槽形...
    2026-02-07
  • 一种高电子迁移率晶体管的外延层及钝化层制备方法
    一种高电子迁移率晶体管的外延层及钝化层制备方法_闽都创新实验室_202511624788.8
    本发明公开了一种高电子迁移率晶体管的外延层及钝化层制备方法。该制备方法包括：准备衬底；在所述衬底的一侧制备外延层；对所述外延层远离所述衬底的一侧表面进行氢气退火处理；在所述外延层远离所述衬底的一侧制备钝化层。本发明通过设置在对外延层的表面进...
    2026-02-07
  • 基于原位氧化渐变势垒的类存储增强型GaN基HEMT及制备方法
    基于原位氧化渐变势垒的类存储增强型GaN基HEMT及制备方法_西安电子科技大学_202511646761.9
    本发明公开了一种基于原位氧化渐变势垒的类存储增强型GaN基HEMT及制备方法，结合了优化的渐变Al组分的AlGaN势垒层设计和原位氧化技术，实现了一种新型电荷存储结构的同时对异质结特性进行了很好的保留，具体地：通过自饱和原位氧化形成电荷存储...
    2026-02-07
  • 功率芯片的制作方法和计算机存储介质
    功率芯片的制作方法和计算机存储介质_中国第一汽车股份有限公司_202511781356.8
    本发明公开了一种功率芯片的制作方法和计算机存储介质，其中，方法包括：S1，硅衬底预处理；S2，在硅衬底上异质外延生长碳化硅外延层；S3，碳化硅外延层和硅晶圆预处理；S4，键合碳化硅外延层和硅晶圆；S5，对键合后的硅晶圆进行降温处理；S6，对...
    2026-02-07
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_芯联动力科技(绍兴)有限公司_202511926343.5
    本申请提供一种半导体器件及其制造方法, 制造方法包括：提供衬底，衬底上设置有第一外延层；在第一外延层中形成间隔设置的两个第一阱区，第一阱区向第一外延层内延伸；对两个第一阱区之间的间隔区域进行掺杂，形成掺杂浓度大于第一外延层的第一导电类型的第...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_北京大学_202511445773.5
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括衬底、有源层、第一半导体结构与第二半导体层；有源层设置于衬底沿厚度方向的一侧；有源层背向衬底的一侧设置有源极、栅极与漏极；第一半导体结构沿厚度方向设置于有源层与栅极之间并与栅极形成欧姆接...
    2026-02-07
  • 半导体器件和电子设备
    半导体器件和电子设备_英诺赛科(苏州)半导体有限公司_202511500459.2
    本申请提供一种半导体器件和电子设备。其中，该半导体器件包括衬底、沟道层、势垒层、钝化层和欧姆电极。沟道层位于衬底的一侧；势垒层位于沟道层远离衬底的一侧；钝化层位于势垒层远离沟道层的一侧，钝化层设有至少一个第一通孔，第一通孔暴露出势垒层的部分...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_英诺赛科(苏州)半导体有限公司_202511500468.1
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件包括衬底、沟道层、势垒层、源极和漏极。沟道层位于衬底的一侧；势垒层位于所述沟道层远离所述衬底的一侧，势垒层包括背离沟道层的第一表面，第一表面包括欧姆接触区域，欧姆接触区域包括至少一个第一欧姆...
    2026-02-07
  • 一种高耐压GaN基HEMT器件及其制备方法
    一种高耐压GaN基HEMT器件及其制备方法_华南师范大学_202511709282.7
    本发明公开了一种高耐压GaN基HEMT器件及其制备方法，所述器件包括：自下而上依次设置的衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层和金属电极；所述金属电极包括互不接触的源极、栅极和漏极；所述源极和漏极分别位于势垒层的两端，所述栅极位于源极和漏极之...
    2026-02-07
  • 一种耗尽型氮化镓芯片及其制备方法、级联封装器件
    一种耗尽型氮化镓芯片及其制备方法、级联封装器件_润新微电子(大连)有限公司_202511973887.7
    本发明属于半导体技术领域，具体公开一种耗尽型氮化镓芯片及其制备方法、级联封装器件，耗尽型氮化镓芯片包括栅电极、第一介质层、第二介质层、第三介质层和至少包括两层场板的第一场板单元，第一场板单元至少部分位于第二介质层与第三介质层之间，栅电极位于...
    2026-02-07
  • 在漏极区集成P-AlGaN与石墨烯层的HEMT器件及制造方法
    在漏极区集成P-AlGaN与石墨烯层的HEMT器件及制造方法_山东大学_202511982582.2
    本发明涉及在漏极区集成P‑AlGaN与石墨烯层的HEMT器件及制造方法，属于半导体功率器件制造领域，自下而上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层，AlGaN势垒层左侧上方设置源极金属，AlGaN势垒层右侧上方设置石墨烯...
    2026-02-07
  • 一种高开态、快速开关的晶体管及其制备方法
    一种高开态、快速开关的晶体管及其制备方法_北京大学_202410989145.2
    本公开提供了一种高开态、快速开关的晶体管及其制备方法，从而使器件具备高开态电流的同时，其亚阈值摆幅能突破传统晶体管的室温极限。该公开在常规器件结构的基础上，优化三维栅曲面形貌，其结构包括：半导体层；接触电极；栅介质层；以及栅电极，所述栅介质...
    2026-02-07
  • 铁电场效应晶体管、存储器件和神经网络器件
    铁电场效应晶体管、存储器件和神经网络器件_三星电子株式会社_202510544823.9
    本发明提供一种铁电场效应晶体管、一种存储器件和一种神经网络器件，该铁电场效应晶体管包括沟道层、面对沟道层的栅极电极、设置在沟道层和栅极电极之间的铁电层、设置在沟道层和铁电层之间的缺氧层、设置在沟道层和缺氧层之间并且被配置为减少或防止沟道层和...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202511023378.8
    本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包括：栅极结构，其包括形成在衬底之上并且包括凝固时体积增大的金属的栅电极；和栅极间隔件，其形成在栅极结构的两侧上。半导体器件的性能通过施加金属材料来形成在凝固时体积增大并且由此向沟道施加拉应...
    2026-02-07
  • 半导体晶体管、半导体晶体管的制作方法和芯片
    半导体晶体管、半导体晶体管的制作方法和芯片_珠海零边界集成电路有限公司_202511533426.8
    本发明实施例提供了一种半导体晶体管、半导体晶体管的制作方法和芯片，通过在晶体管中引入分裂栅结构，并在相邻的栅极中间将源极金属与N型漂移区形成N型肖特基接触，并在P型体区引入P型肖特基接触，当源极和栅极短接并接高压，漏极接低压时，P型肖特基接...
    2026-02-07
  • 一种降低开关损耗的SGT MOSFET器件及其制备方法
    一种降低开关损耗的SGT MOSFET器件及其制备方法_龙腾半导体股份有限公司_202511561312.4
    本发明公开了一种降低开关损耗的SGT MOSFET器件及其制备方法，该器件包括：N型衬底，以及位于衬底一侧表面的N型外延层；形成于N型外延层中的沟槽结构；沟槽结构包括：覆盖其下部侧壁内表面的场氧化层、覆盖其上部侧壁内表面的栅氧化层、位于沟槽...
    2026-02-07
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