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最新专利技术
  • 确定晶圆良率的方法和装置
    确定晶圆良率的方法和装置_杭州长川科技股份有限公司_202511536605.7
    本公开实施例提供了一种确定晶圆良率的方法和装置，通过获取当前轮次所测芯品的第一芯片数量；基于第一芯片数量，确定当前组待抽检芯片中已测芯片的第二芯片数量，当前组待抽检芯片通过至少一个轮次的芯片测试操作完成测试；基于第二芯片数量以及抽检阈值，确...
    2026-02-08
  • 一种集成电路晶圆表面缺陷检测装置
    一种集成电路晶圆表面缺陷检测装置_南通晟芯微设备有限公司_202511547464.9
    本发明提供一种集成电路晶圆表面缺陷检测装置，涉及集成电路领域，包括：抵紧自稳组件，所述抵紧自稳组件由抵触机构和操作机构组成，抵紧自稳组件具备抵紧后自动锁止和定位抵触支臂及其侧面定位夹块使用位置的功能，从而避免因为夹紧力度过大而导致晶圆损坏的...
    2026-02-08
  • 一种半导体刻蚀终点的检测方法及多通道检测系统
    一种半导体刻蚀终点的检测方法及多通道检测系统_上海车仪田科技有限公司_202511983431.9
    本发明公开了一种半导体刻蚀终点的检测方法及多通道检测系统，检测方法，包括以下步骤，输出检测光线；将检测光线展开为连续光谱带；将连续光谱带成像至数字微镜器件的调制面，对应连续光谱带的每个窄带波长建立像素组；对连续光谱带进行空间采样，为每个像素...
    2026-02-08
  • 改善关键尺寸负载效应的方法和半导体工艺设备
    改善关键尺寸负载效应的方法和半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511359151.0
    本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种改善关键尺寸负载效应的方法和半导体工艺设备。该改善关键尺寸负载效应的方法包括：提供衬底，衬底上形成有叠层结构，叠层结构包括第一掩膜层、第二掩膜层、第三掩膜层和图案化光刻胶层，图案化光刻胶层包括密集区...
    2026-02-08
  • 一种基于等离子体活化的碳化硅基材表面缺陷修复与钝化工艺
    一种基于等离子体活化的碳化硅基材表面缺陷修复与钝化工艺_安徽微芯长江半导体材料有限公司_202511461586.6
    本发明涉及半导体技术领域，公开一种基于等离子体活化的碳化硅基材表面缺陷修复与钝化工艺，旨在解决现有SiC基材缺陷修复与钝化工艺复杂、修复效果欠佳及性能影响等问题。该方法包括：对SiC基材预处理，于等离子体腔室中抽真空加热；通入活化气体，形成...
    2026-02-08
  • 一种外延片及衬底处理方法
    一种外延片及衬底处理方法_天津中环领先材料技术有限公司_202511547351.9
    本申请公开了一种外延片及衬底处理方法，属于半导体制造技术领域。衬底处理方法，包括以下步骤：对衬底表面进行第一次刻蚀；在第一次刻蚀后的衬底表面进行沉积，形成本征层；对本征层进行第二次刻蚀，以去除覆盖于衬底表面的本征层，得到处理后的衬底；其中，...
    2026-02-08
  • 芯片级加热器及其制作方法
    芯片级加热器及其制作方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511286208.9
    本发明提供一种芯片级加热器及其制作方法。该芯片级加热器包括：衬底、设置在衬底上的多晶硅加热丝、以及设置在多晶硅加热丝上方的介质层，其中在所述介质层中形成有储液槽。其制作方法包括：在衬底上形成多晶硅加热丝；在所述多晶硅加热丝上方形成介质层；并...
    2026-02-08
  • SOI芯片结构的制备方法及SOI芯片结构
    SOI芯片结构的制备方法及SOI芯片结构_广州增芯科技有限公司_202511554472.6
    本发明提供了一种SOI芯片结构的制备方法及SOI芯片结构，该方法通过将已经制备好半导体器件的第一晶圆与第二晶圆键合，并将第一晶圆的衬底从背面减薄至目标顶硅层厚度，随后在减薄后的顶硅层表面生长氧化层，形成SOI结构，并在SOI结构中形成背部互...
    2026-02-08
  • 半导体结构的制备方法、半导体结构及电子设备
    半导体结构的制备方法、半导体结构及电子设备_北京超弦存储器研究院_202410961477.X
    本申请涉及一种半导体结构的制备方法、半导体结构及电子设备，包括：提供衬底，于衬底上形成叠层结构；于叠层结构内形成沿第一方向延伸、且沿第二方向间隔排列的多个第一沟槽，第一沟槽暴露出部分衬底；第一方向与第二方向相交；于第一沟槽的内表面和叠层结构...
    2026-02-08
  • 存储芯片的浅沟槽隔离结构的制作方法及浅沟槽隔离结构
    存储芯片的浅沟槽隔离结构的制作方法及浅沟槽隔离结构_杭州积海半导体有限公司_202511523472.X
    本发明公开了一种存储芯片的浅沟槽隔离结构的制作方法及浅沟槽隔离结构，属于半导体技术领域，所述方法包括以下步骤：提供一硅衬底，在硅衬底上依次形成第一氧化硅层和第一氮化硅层；在第一氮化硅层上形成第二氧化硅层和第二氮化硅层，并蚀刻第二氮化硅层、第...
    2026-02-08
  • 存储芯片的浅沟槽隔离结构的制作方法及浅沟槽隔离结构
    存储芯片的浅沟槽隔离结构的制作方法及浅沟槽隔离结构_杭州积海半导体有限公司_202511523475.3
    本发明公开了一种存储芯片的浅沟槽隔离结构的制作方法及浅沟槽隔离结构，属于半导体技术领域，所述存储芯片的浅沟槽隔离结构的制作方法包括以下步骤：提供一硅衬底，所述硅衬底上形成浅沟槽，所述浅沟槽之间的硅衬底表面形成有预设厚度的氮化硅层和氧化硅层依...
    2026-02-08
  • 沟槽隔离结构的形成方法
    沟槽隔离结构的形成方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511534965.3
    本发明涉及一种沟槽隔离结构的形成方法。所述形成方法中，先堆叠垫氧化层和氮化硅层于衬底上，并形成贯穿氮化硅层、垫氧化层以及部分衬底的隔离沟槽以及覆盖隔离沟槽内衬底表面的线氧化层，之后利用含氢等离子体对衬底进行等离子处理，使氮化硅层的上表面和侧...
    2026-02-08
  • 一种浅沟槽隔离结构的制作方法
    一种浅沟槽隔离结构的制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511971884.X
    本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的制作方法，属于半导体技术领域，且浅沟槽隔离结构的制作方法包括以下步骤：提供一衬底，并在衬底上形成前置氧化层和氮化层；蚀刻氮化层、前置氧化层和部分衬底，形成浅沟槽；在浅沟槽内沉积隔离介质层并平坦化，形成浅沟槽隔...
    2026-02-08
  • 基于Trench挖槽隔离结构的TVS保护器件及其制备方法
    基于Trench挖槽隔离结构的TVS保护器件及其制备方法_丹东安顺微电子有限公司_202511989224.4
    本发明涉及半导体器件制造与工艺技术领域，具体涉及基于Trench挖槽隔离结构的TVS保护器件及其制备方法。包括：步骤S1：在硅基底表面光刻制备掩膜，暴露刻蚀区；步骤S2：利用ICP设备，通过毫秒级脉冲切换的循环刻蚀与钝化工艺，制备出垂直度高...
    2026-02-08
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202411054748.X
    本发明公开一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括基底、元件隔离结构以及栅极。所述元件隔离结构设置于所述基底中，以界定出主动区。所述栅极设置于所述元件隔离结构上。所述元件隔离结构包括彼此连接的第一部分与第二部分。所述第一部分位于所述基...
    2026-02-08
  • 深沟槽隔离结构及其制造方法
    深沟槽隔离结构及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511286286.9
    本发明提供一种深沟槽隔离结构及其制造方法。该方法在形成深沟槽及隔离氧化层后，在沟槽内分两步填充多晶硅：先填充第一多晶硅层；再于其表面形成一层薄的阻挡氧化层；最后填充第二多晶硅层以填满沟槽。本发明形成的结构中，该阻挡氧化层作为物理屏障，在后续...
    2026-02-08
  • 形成接触孔的方法、半导体器件及其制造方法
    形成接触孔的方法、半导体器件及其制造方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511535169.1
    本发明提供一种形成接触孔的方法、半导体器件及其制造方法，形成接触孔的方法包括：提供前端器件，在器件顶面形成非金属缓冲层和氮化硅阻挡层；遮盖器件区域顶面；使用氢等离子体对边缘区域顶面的氮化硅阻挡层进行改性处理，得到改性层；使改性层氧化为第一氧...
    2026-02-08
  • 接触孔形成方法、半导体器件及其制备方法
    接触孔形成方法、半导体器件及其制备方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511535232.1
    本发明提供一种接触孔形成方法、半导体器件及其制备方法，该接触孔形成方法包括：提供包括器件区域和边缘区域的前端器件，并在器件顶面形成非金属缓冲层和氮化硅阻挡层，其中器件区域包括需要形成接触孔的第一区域；对边缘区域顶面的氮化硅阻挡层注入预设剂量...
    2026-02-08
  • 堆叠的半导体装置
    堆叠的半导体装置_三星电子株式会社_202510772743.9
    一种堆叠的半导体装置包括：基础半导体管芯和多个核心半导体管芯，在垂直方向上堆叠；多个温度感测电路，分别包括在所述多个核心半导体管芯中；转换电路，被包括在基础半导体管芯中；以及多个垂直导电路径，电连接基础半导体管芯和所述多个核心半导体管芯，贯...
    2026-02-08
  • 一种基于系统级封装的本振锁定组件及其制备方法
    一种基于系统级封装的本振锁定组件及其制备方法_北京晨晶电子有限公司_202511373248.7
    本发明提供一种基于系统级封装的本振锁定组件及其制备方法，属于半导体器件技术领域，本振锁定组件包括：顶层晶圆、底层晶圆和中间层晶圆，中间层晶圆位于顶层晶圆和底层晶圆之间，中间层晶圆分别与顶层晶圆键合和底层晶圆键合以形成系统级封装；中间层晶圆和...
    2026-02-08
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