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最新专利技术
  • 半导体结构、功率器件及半导体结构的制备方法
    半导体结构、功率器件及半导体结构的制备方法_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202511259649.X
    本申请公开了一种半导体结构、功率器件及半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制备方法包括在衬底上形成外延层，在外延层的远离衬底的表面上形成硬掩模，硬掩模包括第一开槽，第一开槽暴露外延层的远离衬底的表面的至少部分，在第一开槽...
    2026-01-28
  • 一种改善超结功率器件IGSS失效的方法
    一种改善超结功率器件IGSS失效的方法_西安龙威半导体有限公司_202511514948.3
    本发明提供一种改善超结功率器件IGSS失效的方法，涉及功率器件超结良率提升技术领域。包括：根据晶圆测试或晶圆接受测试结果，确认失效区域的失效参数为IGSS；对IGSS确定出多个失效原因；根据第一失效原因，确定对应的多个制定化方案，并执行多个...
    2026-01-28
  • 一种磷化铟高迁移率晶体管的复合势垒外延材料结构及其埋栅控制方法
    一种磷化铟高迁移率晶体管的复合势垒外延材料结构及其埋栅控制方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511511383.3
    本发明公开了一种磷化铟高迁移率晶体管的复合势垒外延材料结构及其埋栅控制方法。由下而上依次包括半绝缘磷化铟衬底、缓冲层、沟道层、隔离层、掺杂层、里势垒层、埋栅停止层、表势垒层、InP腐蚀自停止层、帽层。其埋栅控制方法，先准备4英寸InP晶圆片...
    2026-01-28
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510140477.8
    提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一有源图案和第二有源图案，在基底上；第一源极/漏极图案和第一沟道图案，在第一有源图案上；第二源极/漏极图案和第二沟道图案，在第二有源图案上；以及栅电极，与第一沟道图案和第二沟道图案中的每个交叉。沿着...
    2026-01-28
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_鸿扬半导体股份有限公司_202410854479.9
    一种半导体装置包含基板、漂移区、通道区、源极区、栅极电极层以及栅极垫。漂移区位于基板内。通道区位于基板内。源极区位于基板内并相邻于通道区。栅极电极层位于漂移区上方并相邻于通道区与源极区，其中栅极电极层包含元件区、连接区以及栅极接垫区。元件区...
    2026-01-28
  • 一种防爆绝缘板、硅堆组件及功率模块
    一种防爆绝缘板、硅堆组件及功率模块_许继电气股份有限公司_202511217636.6
    本发明属于柔性直流输电换流阀防爆领域，具体是指一种防爆绝缘板、硅堆组件及功率模块。功率模块包括硅堆组件，硅堆组件包括功率器件和散热器，功率器件和散热器交错叠层设置且功率器件的两侧均有散热器，散热器连接有防爆绝缘板，防爆绝缘板具有与功率器件对...
    2026-01-28
  • 一种硅电容器及其制备方法
    一种硅电容器及其制备方法_苏州凌存科技有限公司_202511942236.1
    本申请提供一种硅电容器及其制备方法，属于半导体领域。本申请提供的硅电容器包括：硅晶圆，包括相对设置的上表面和下表面；硅晶圆的上表面的中心区域设有多个沟槽，沟槽的开口与硅晶圆的上表面齐平；在硅晶圆的上表面无沟槽区域和沟槽内设有介电层薄膜；在介...
    2026-01-28
  • 一种集成多种性能CMOS器件的芯片的制备方法及芯片
    一种集成多种性能CMOS器件的芯片的制备方法及芯片_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511908569.2
    本发明属于半导体集成芯片技术领域，公开了一种集成多种性能CMOS器件的芯片的制备方法及芯片；其中，所述制备方法包括：基于芯片的平面布局设计图，在晶圆衬底上形成各CMOS器件的有源区和栅极，并在形成的栅极的侧壁形成侧墙；各CMOS器件共用一张...
    2026-01-28
  • 半导体结构以及其制作方法
    半导体结构以及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410964400.8
    本发明公开一种半导体结构以及其制作方法，其中半导体结构的制作方法包括下列步骤。提供硅基底，对硅基底进行图案化制作工艺，用以在硅基底中形成多个第一沟槽。硅基底的一部分被图案化制作工艺图案化而成为在水平方向上位于中相邻的两个第一沟槽之间的第一鳍...
    2026-01-28
  • 双极型PNP管及集成电路
    双极型PNP管及集成电路_无锡市晶源微电子股份有限公司_202511690781.6
    本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种双极型PNP管及集成电路，包括：硅衬底；N型埋层，位于硅衬底内；外延层，位于硅衬底上表面且覆盖硅衬底的上表面；P型凹槽型隔离区域，位于外延层内且对应N型埋层的上表面；N阱区，位于P型凹槽型隔离区域所形...
    2026-01-28
  • 半导体器件、级联放大器及其形成方法
    半导体器件、级联放大器及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510996405.3
    本申请的实施例公开了半导体器件、级联放大器及其形成方法。半导体器件包括：具有第一导电类型的衬底、形成在衬底内并具有与第一导电类型相反的第二导电类型的阱区、以及基于阱区形成的第一晶体管。第一晶体管包括栅极接触件、具有第一导电类型的漏极接触件、...
    2026-01-28
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510208795.3
    提供了一种半导体器件，其包括：在垂直方向上延伸的第一鳍结构；在垂直方向上延伸的第二鳍结构，其中，第二鳍结构与第一鳍结构间隔开；在第一鳍结构和第二鳍结构之间的蚀刻停止图案；下绝缘层，与第一鳍结构的下表面、第二鳍结构的下表面和蚀刻停止图案的下表...
    2026-01-28
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510730706.1
    一种半导体器件可以包括：衬底；顺序堆叠在衬底上的第一有源图案和第二有源图案，分别与第一有源图案和第二有源图案相交的第一栅电极和第二栅电极；第一层级源极/漏极图案，在第一栅电极的侧壁上并且连接到第一有源图案；第二层级源极/漏极图案，在第二栅电...
    2026-01-28
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510769726.X
    一种半导体装置包括：有源图案，在第一方向上在基底上延伸；沟道图案，垂直堆叠在有源图案上；分离结构，在第二方向上延伸并且将有源图案和沟道图案中的每个分离成第一部分和第二部分；栅极结构，在第二方向上延伸并且延伸到沟道图案的第一部分上；分离图案，...
    2026-01-28
  • 显示装置及其制造方法
    显示装置及其制造方法_乐金显示有限公司_202510708881.0
    公开了显示装置及其制造方法。该显示装置可以包括：基板，其具有显示区域和在显示区域外部的非显示区域；电路层，其包括设置在基板上的多条线，其中，该的多条线由其间的第一绝缘层分离；以及第二绝缘层，其包括暴露显示区域中的最上层线的第一接触孔和暴露非...
    2026-01-28
  • 显示装置和用于制造显示装置的方法
    显示装置和用于制造显示装置的方法_三星显示有限公司_202510985477.8
    本公开涉及显示装置和用于制造显示装置的方法。所述显示装置包括：基底；以及电路层，在所述基底上并且包括半导体层和导电层，其中，所述电路层包括：下图案，被包括在所述半导体层和所述导电层中的一者中；多个绝缘层，在所述下图案上；第一接触孔，穿透所述...
    2026-01-28
  • 一种Micro-LED显示面板及其制备方法
    一种Micro-LED显示面板及其制备方法_友达光电(昆山)有限公司_202511448375.9
    一种Micro‑LED显示面板，显示面板具有基板及阵列排布基板上的多个像素单元，每一像素单元包含驱动用薄膜晶体管，各薄膜晶体管包含半导体层、栅极绝缘层、第一图案化金属层、层间介质层及第二图案化金属层。半导体层位于基板上；栅极绝缘层覆盖于半导...
    2026-01-28
  • 阵列基板及其制备方法、显示面板
    阵列基板及其制备方法、显示面板_惠科股份有限公司_202511936443.6
    本申请属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板，阵列基板包括衬底基板、驱动背板、反射件、图形化层和阳极，所述驱动背板包括绝缘层和驱动晶体管，所述绝缘层中形成有过孔，反射件设于所述驱动背板上并通过所述过孔与所述驱动晶体管电...
    2026-01-28
  • 一种3D电容器及其制备方法
    一种3D电容器及其制备方法_苏州凌存科技有限公司_202511941403.0
    本申请提供一种3D电容器及其制备方法，属于半导体领域。本申请提供3D电容器包括硅衬底；硅衬底上方依次设有绝缘层和第一金属层；第一金属层上方有多个垂直堆叠的功能层；每个功能层从下至上至少包括形成有多个沟槽的SiO22层，以及位于所述SiO22...
    2026-01-28
  • 太阳电池及其制备方法
    太阳电池及其制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202511154103.8
    本申请涉及一种太阳电池及其制备方法。本申请的太阳电池包括衬底，以及层叠设置于衬底上的第一本征硅材料层、N型掺杂硅材料层以及第一透明导电层，第一本征硅材料层设置于N型掺杂硅材料层和衬底之间，N型掺杂硅材料层设置于第一本征硅材料层和第一透明导电...
    2026-01-28
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